刘成祥
- 作品数：23 被引量：12H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性被引量：1
- 2007年
- 用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.
- 谢自力张荣韩平刘成祥修向前刘斌李亮赵红朱顺明江若琏周圣明施毅郑有炓
- 关键词：MOCVDGAN
- 新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法
- 铟镓氮表面势垒型太阳电池，选用半导体材料In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>N(0≤x≤1)为光吸收区和In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>N MS或MIS结构表面势垒型太...
- 江若琏谢自力张荣文博周建军刘斌陈敦军郑有炓韩平刘成祥
- 文献传递
- AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱被引量：2
- 2005年
- 本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的A l和N元素。样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03 eV和3.17 eV处的发光峰,这分别相应于4H-S iC能带中电子从导带到A l受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-S iC。
- 秦臻韩平韩甜甜鄢波李志兵谢自力朱顺明符凯刘成祥王荣华李云菲S.XuN.Jiang顾书林张荣郑有炓
- 关键词：CVD光致发光
- 热退火对 InGaN薄膜性质的影响
- 2006年
- 对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86N薄膜的晶格质量、表面形貌以及光学特性和电学特性随着退火温度的变化情况.结果表明,有利于提高In0.14Ga0.86N薄膜质量的最佳退火温度为500℃.通过对变温霍尔实验数据的拟合,初步分析了退火前后InGaN样品中的多种散射机制以及它们的变化情况.
- 文博江若琏刘成祥谢自力周建军韩平张荣郑有炓
- 关键词：INGAN热退火散射机制
- InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象被引量：1
- 2006年
- 用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.
- 刘成祥谢自力韩平刘斌李亮符凯周建军叶建东文博王荣华张禹陈敦军江若琏顾书林施毅张荣郑有炓
- 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱L ED器件结构的方法
- 在β－Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底在500－1...
- 谢自力张荣韩平刘成祥周圣明修向前刘斌李亮郑有炓顾书林江若琏施毅朱顺明胡立群
- 文献传递
- 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法
- 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500－1...
- 谢自力张荣韩平刘成祥周圣明修向前刘斌李亮郑有炓顾书林江若琏施毅朱顺明胡立群
- 文献传递
- 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法
- 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1...
- 谢自力张荣韩平刘成祥周圣明修向前刘斌李亮郑有炓顾书林江若琏施毅朱顺明胡立群
- 文献传递
- m面InGaN/GaN非极性LED的研制
- 近年来GaN基Ⅲ族氮化物LED等光电子器件研究取得了长足的进步，目前在α-Al2O3和SiC等衬底上制作的LED器件已经实现了商业生产。但在这些衬底上制备的器件结构沿生长方向([0001]方向)存在自发和压电极化电场，这...
- 刘成祥
- 关键词：光电子器件发光效率
- AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长被引量：3
- 2005年
- 文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了A lxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌。
- 李亮张荣谢自力张禹修向前姬小利刘成祥毕朝霞陈琳周建军刘斌韩平江若琏顾书林施毅龚海梅郑有炓
- 关键词：ALGANGAN分布布拉格反射镜MOCVD
