贾新章
- 作品数：132 被引量：395H指数：12
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程经济管理更多>>
- 基于LOF-KNN算法的晶圆级空间测量参数异常识别方法
- 本发明公开了一种基于LOF‑KNN算法的晶圆级空间测量参数异常识别方法，主要解决现有异常识别方法无法准确识别晶圆级空间测量参数中单个数据的可靠性隐患异常问题。其实施方案是：1、采集样本；2、根据K最近邻KNN算法，获得样...
- 游海龙张金力田文星贾新章顾铠
- 文献传递
- 漏极注入HPM诱发的nMOSFET热电损伤机理被引量：4
- 2013年
- 研究了nMOSFET漏极注入HPM诱发的器件热电损伤机理。建立了nMOSFET在HPM作用下的二维电热模型,获得了器件内部电场、电流密度以及温度对HPM作用的响应规律,分析了源-衬底PN结、漏-衬底PN结附近器件内部温度分布随HPM作用时间的变化关系。结果表明nMOSFET器件漏极注入HPM时,器件内部峰值温度出现在漏端PN结附近,且具有累积效应。当温度达到硅材料硅熔点,器件内部漏端PN结表面附近形成熔丝,器件损毁。该机理分析得到的器件特性变化与器件HPM损伤实验的测试结果相吻合,验证了文中描述的器件损伤机理。
- 范菊平游海龙贾新章
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管高功率微波熔丝
- 现代工艺水平下工序能力指数C_(pk)的计算被引量：13
- 2001年
- 介绍了工序能力指数Cp 和Cpk 的概念和作用 ,并结合实例 ,通过定量计算指出 ,在工艺不合格品率已降至百万分之几 (PPM :PartsPerMillion)水平的现代工艺情况下 ,用常规计算方法已不能正确地定量表征并比较不同工序的工艺质量水平 .采用优化提取的方法 ,可以比较精确地得到工序能力指数和工艺不合格品率 .
- 贾新章龚自立
- 关键词：工序能力指数微电子
- SRAM数据残留现象的机理分析被引量：2
- 2008年
- 通过实验进行了SRAM数据残留机理的研究,建立了数据残留时间与温度的关系。确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低,是导致SRAM断电后数据残留的主要原因。同时进行了SRAM电参数与数据残留的相关性分析,排除了实验条件下热载流子效应对数据残留特性的影响。
- 焦慧芳张小波贾新章杨雪莹钟征宇
- 关键词：SRAM数据残留载流子复合热载流子效应
- 低压功放IC特性异常现象的模拟分析
- 2006年
- 在分析某低压功放集成电路功能原理的基础上,针对该电路成品测试中出现的特性异常现象,结合原理分析,采用模拟仿真的方法,分析、再现异常现象,确定了导致特性异常的原因,并通过对PCM测试图形的测试,验证了分析结论。
- 孟莹贾新章焦慧芳
- 关键词：肖特基二极管模型参数计算机模拟
- VLSI塑料封装失效分析与控制方法研究被引量：1
- 2005年
- 塑封VLSI由于其固有的弱点,在应用过程中封装失效成为其重要的失效模式之一。通过大量的塑封VLSI失效分析实践,针对VLSI塑料封装失效,进行了快速定位技术的研究,总结出一套简化的失效分析程序。同时从引起塑封VLSI封装失效的根本原因入手,探讨了避免塑封VLSI封装失效的控制方法。
- 焦慧芳贾新章王群勇
- 非正态分布工艺参数情况的工序能力指数分析
- 对工艺参数为非正态分布的工序,如果采用常规方法计算其工序能力指数,评价生产工艺水平,将可能导致错误的结论.采用本文提出的方法和开发的软件,可以分析计算非正态分布工艺参数的工序能力指数和PPM水平下的工艺不合格品率.
- 贾新章蒲建斌宋军建
- 关键词：工序能力指数成品率微电子器件工艺参数
- 文献传递
- 可控硅输出的光耦器件Pspice模型与模型参数优化提取
- 在电力电子领域的电路仿真设计中经常需要建立光耦器件的模型。而有些特殊的光耦器件,例如可控硅输出的光耦器件,目前模拟软件(如Pspice)的器件库中尚未提供。本文基于Pspice的ABM工具建立了能用于Pspice仿真的光...
- 陈玲贾新章刘红侠
- 关键词：PSPICE模型光耦合器ABM双向可控硅
- 文献传递
- 通用微处理器等效老化试验方法
- 针对不同工艺、不同设计的同类集成电路等效老化的需要,提出了集成电路等效老化的特征参数--'归一化老化电流'指标a,并讨论了等效老化信号的确定原则.结合集成电路等效老化信号确定原则,以CPU486为研究对象,给出通用CPU...
- 焦慧芳温平平贾新章王群勇罗雯
- 关键词：微处理器CPU信号频率集成电路
- 文献传递
- BOX-COX变换与微电路工艺设备表征被引量：2
- 2005年
- (利用部分要因试验设计与数据转换表征微电路工艺设备)。因为试验数据的尺度效应和测量的固有属性,试验数据常违反模型误差的正态和一致性假设。通过BOX-COX数据转换分析,确定热氧化工艺目标值的最优转换形式,针对转换后数据建立的回归模型满足上述假设。结果表明:数据转换的建模方法能满足方差分析的假设(违反度减轻),并且能更多发掘数据信息,氧化膜厚的模型拟合修正判定系数R2由93.54%增加到98.64%。所得模型用于优化工艺条件,在满足膜厚目标下,非均匀性由0.2%减小到0.08%。文中讨论的基于数据转换的建模方法可以用于半导体制造其他工艺。
- 游海龙贾新章徐岚陈光炳
