您的位置: 专家智库 > >

游海龙

作品数:77 被引量:97H指数:5
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 50篇专利
  • 25篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 33篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 6篇理学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 16篇电路
  • 11篇统计过程
  • 9篇统计过程控制
  • 9篇过程控制
  • 8篇晶体管
  • 8篇集成电路
  • 7篇控制图
  • 7篇半导体
  • 6篇阈值电压
  • 6篇仿真
  • 5篇电路仿真
  • 5篇工序能力
  • 5篇工序能力指数
  • 5篇哈特
  • 4篇堆叠
  • 4篇探测器
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米片
  • 4篇晶圆
  • 4篇光电

机构

  • 77篇西安电子科技...
  • 4篇教育部
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇华中光电技术...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇深圳市科陆电...

作者

  • 77篇游海龙
  • 38篇贾新章
  • 18篇顾铠
  • 12篇李聪
  • 4篇庄奕琪
  • 4篇顾凯
  • 4篇赵杨杨
  • 3篇张进成
  • 3篇范菊平
  • 3篇徐岚
  • 3篇张洋
  • 3篇张小波
  • 3篇郝跃
  • 3篇张弘
  • 3篇陈大正
  • 2篇陈晨
  • 2篇刘红卫
  • 2篇刘鹏
  • 2篇张潇哲
  • 2篇张春福

传媒

  • 3篇电子质量
  • 3篇微电子学
  • 3篇西安电子科技...
  • 3篇吉林大学学报...
  • 2篇物理学报
  • 1篇电子科技
  • 1篇哈尔滨师范大...
  • 1篇Journa...
  • 1篇系统工程理论...
  • 1篇电子学报
  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇系统仿真学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇集成电路应用

年份

  • 9篇2024
  • 7篇2023
  • 10篇2022
  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 7篇2005
  • 1篇2004
77 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于LOF-KNN算法的晶圆级空间测量参数异常识别方法
本发明公开了一种基于LOF‑KNN算法的晶圆级空间测量参数异常识别方法,主要解决现有异常识别方法无法准确识别晶圆级空间测量参数中单个数据的可靠性隐患异常问题。其实施方案是:1、采集样本;2、根据K最近邻KNN算法,获得样...
游海龙张金力田文星贾新章顾铠
文献传递
漏极注入HPM诱发的nMOSFET热电损伤机理被引量:4
2013年
研究了nMOSFET漏极注入HPM诱发的器件热电损伤机理。建立了nMOSFET在HPM作用下的二维电热模型,获得了器件内部电场、电流密度以及温度对HPM作用的响应规律,分析了源-衬底PN结、漏-衬底PN结附近器件内部温度分布随HPM作用时间的变化关系。结果表明nMOSFET器件漏极注入HPM时,器件内部峰值温度出现在漏端PN结附近,且具有累积效应。当温度达到硅材料硅熔点,器件内部漏端PN结表面附近形成熔丝,器件损毁。该机理分析得到的器件特性变化与器件HPM损伤实验的测试结果相吻合,验证了文中描述的器件损伤机理。
范菊平游海龙贾新章
关键词:金属-氧化物-半导体场效应晶体管高功率微波熔丝
一种基于级联机器学习的集成电路的参数映射方法及系统
本发明公开了一种基于级联机器学习的集成电路的参数映射方法及系统,包括:步骤1、获取待映射电学参数;步骤2、将所述待映射电学参数输入至训练好的级联机器学习结构中,得到映射的模型参数;其中,所述训练好的级联机器学习结构通过相...
游海龙郭广鑫王昱蘅李聪李欧文
基于Zhang-Hager线搜索的改进近似最优梯度法
2024年
提出一种改进的近似最优梯度法,求解图划分问题中的无约束目标函数.先用修正的BFGS更新公式及选取BB类步长的线性组合作为标量矩阵得到近似最优步长,再引入参数对经典的Zhang-Hager线搜索形式进行改进,构建算法框架并给出R线性收敛性证明.实验结果表明,改进算法提高了原算法的性能.
李瑶刘红卫吕佳敏游海龙
一种产品参数成品率估计方法
本发明公开了一种产品参数成品率估计方法。具体步骤是:(1)获得估计样本;(2)检验估计样本是否为单侧截尾正态分布,舍弃非单侧截尾正态分布样本;(3)获得样本均值;(4)获得样本标准偏差;(5)将样本均值和样本标准偏差代入...
游海龙贾新章张宇梁涛顾铠
文献传递
基于试验设计技术的IC优化设计被引量:2
2005年
现代集成电路(IC)的优化设计主要依靠EDA工具完成。但是针对多指标、多参数的IC设计,单纯依靠EDA工具存在效率低以及指标和参数个数限制等问题。从试验设计技术出发,以EDA仿真作为实验,建立指标与参数的统计模型,进而优化设计电路,解决了上述问题。将该方法应用于4参数、3指标的低功耗集成运放的设计,仅通过16轮仿真试验,得到了电路指标最优情况下的参数设置。该方法对多指标、复杂参数的集成电路的优化设计更具优越性。
游海龙张小波贾新章
关键词:统计模型
VDMOS栅引线脱落引起的阈值电压测试错误分析被引量:1
2014年
讨论了栅引线脱落导致栅悬空条件下,VDMOS器件的电流传输过程。通过器件测试与仿真,指出栅引线脱落引起阈值电压测试错误的原因。提出一种将传统"两线法"与"三线法"相结合的阈值电压测试方法,避免栅引线脱落导致阈值电压测试的误判。
赵杨杨游海龙刘鹏张宇贾新章
关键词:VDMOS阈值电压
一种IGBT性能退化特征参数的提取方法
本发明提出了一种IGBT性能退化特征参数的提取方法,旨在提高对IGBT退化在线监测的精度,实现步骤为:(1)采集IGBT性能退化的检测数据;(2)计算拖尾电流的拟合系数和栅极漏电流的拟合系数;(3)构建IGBT的特征矩阵...
游海龙胡金宝张金力
文献传递
利用试验设计方法表征微电路工艺设备被引量:6
2005年
随着现代微电路工艺技术和设备性能的提高,许多工艺涉及6个或更多的工艺条件输入,而且这些工艺条件之间存在更多的交互效应。为了表征设备特性并优化工艺条件,文章利用部分要因试验设计方法安排试验方案,实现了对实际氧化工艺特定设备的表征,建立了氧化膜厚度以及厚度均匀性的工艺模型,可进一步用于工艺条件的优化设计。
游海龙贾新章徐岚陈光炳
用于4T-SRAM单元的堆叠纳米片接入晶体管及其制备方法
本发明公开了一种堆叠纳米片接入晶体管及其制备方法,主要解决现有堆叠纳米片结构无法实现对器件阈值电压、开态驱动能力调整的问题,其包括衬底(1)和位于衬底上部两边的源漏区(3),源漏区之间设有导通控制区,导通控制区自下而上设...
李聪李高鹏郭增光成善霖游海龙庄奕琪
共8页<12345678>
聚类工具0