莫宇
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 直拉重掺硼硅单晶特殊原生位错的分析改进
- 2023年
- 研究了<100>重掺硼硅单晶中出现的一种特殊原生位错,分析了腐蚀坑的形态以及腐蚀坑的排列规律,认为单晶生长过程中固液界面局部区域发生严重组分过冷导致了位错产生。设计了采用不同晶体生长速度的重掺硼单晶生长的试验,得到了无特殊原生位错的重掺硼单晶,同时还发现组分过冷不仅出现在晶体等径阶段,在放肩和收肩阶段同样可能发生。
- 莫宇韩焕鹏赵堃
- 晶片定位原理与算法
- 2012年
- 在半导体材料的加工过程中,晶片的精确定位应用于多个工序,一方面能提高生产率,另一方面也能提高产品的一致性,保证晶片的加工精度。目前的定位方式分为两种,仅对电子定位系统加以介绍,针对不同的晶片轮廓采用不同的识别数据,介绍了数据采集原理和数据特点,以及轮廓识别软件如何对数据进行分析和处理,最终实现对晶片的精确定位。
- 吕菲耿博耘李春龙莫宇周传月
- 关键词：数据采集数据分析
- 清洗液温度及浓度对硅研磨片清洗效果的影响被引量：3
- 2011年
- 超声波清洗在硅片生产中具有广泛的应用,影响超声波清洗效果的因素有很多,如清洗液温度、清洗液浓度等。为了研究清洗温度和清洗液浓度对硅研磨片清洗效果的影响,在实验中通过改变清洗液温度及清洗液的浓度,最后观察硅片表面洁净情况。得出清洗液温度和清洗液浓度不是越高越好,在某一具体工艺下,都存在一个适宜范围,在适宜范围内,硅片的清洗效果相对较好,同时研究了清洗时间对硅研磨片清洗效果的影响。
- 陈琪昊吕菲刘峰韩焕鹏莫宇
- 关键词：硅片超声波清洗
- 石英坩埚对大直径直拉硅单晶生长的影响被引量：2
- 2021年
- 大直径的单晶硅生长需要更多的时间和资源,提高单晶成晶率非常重要,石英坩埚是影响单晶产量和质量的主要因素。研究了两种不同内涂层的石英坩埚,一种是内层为高纯合成石英砂的坩埚(SQC),另一种是内层涂抹了碱土金属钡的离子溶液的天然石英砂的坩埚(NQC)。使用两种石英坩埚长时间生长大直径(350 mm)单晶后,通过金相显微镜对两种石英坩埚表面形态进行了观察,并使用粗糙度测试仪对其粗糙度进行了测试,同时使用ICP-MS测试了生长出的晶体的金属浓度。结果表明,使用NQC有较多杂质颗粒进入到硅熔体中,对单晶的无位错生长和单晶质量造成了影响,而使用SQC可减少杂质颗粒进入到硅熔体。
- 莫宇张颖武韩焕鹏赵堃李明佳
- 关键词：直拉硅单晶粗糙度
- 一种新型的硅片研磨后清洗液被引量：1
- 2020年
- 基于硅片研磨后清洗工艺的方法和原理,通过分析硅片在加工过程中污染物的种类和硅片表面的吸附性质,配制出由氢氧化钾、烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚为原材料构成的清洗剂。分析了清洗剂原材料溶于水后的吸附状态,确定三种原材料的质量比为10∶2∶2。为减小清洗后硅片的表面粗糙度和表面划痕损伤,确定了最佳的硅片清洗温度为65℃,清洗剂原材料溶于水后配制的清洗液的pH值为10.5,清洗时间为180 s。新型清洗液与传统硅片清洗液的对比实验表明,采用新的清洗液可明显降低硅片表面粗糙度,改善硅片表面划痕处的腐蚀损伤。
- 李明智韩焕鹏常耀辉张颖武莫宇刘峰
- 关键词：表面活性剂烷基苯磺酸盐粗糙度润湿角
- 大直径重掺硅单晶工艺研究
- 2015年
- 重掺单晶一些独有的特性,能有效解决目前集成电路面临的一些难题。对大直径重掺硅单晶生长过程中的一些工艺进行了研究,主要包括掺杂方式和拉速设定两个方面,通过实验分析,选取了适宜的掺杂方式与拉速,最终生长出外形良好,符合电阻率目标要求的单晶。
- 莫宇韩焕鹏
- 关键词：硅单晶掺杂拉速
- 密闭式热场下<111>晶向Si单晶高晶转生长研究被引量：1
- 2011年
- 在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻〈111〉晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对〈111〉晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面较宽现象的原因进行了分析。通过添加热屏,加强热场的保温和热屏的隔热作用,及缩小等径生长阶段熔Si液面与热屏间的距离,提高了晶体结晶前沿的温度梯度。从而避免了〈111〉晶向Si单晶的扭曲变形,减小了单晶棱面宽度,同时有利于消除晶体的漩涡缺陷。
- 刘锋韩焕鹏李丹王世援吴磊周传月莫宇
- 关键词：硅单晶直拉法
