吕菲
- 作品数：16 被引量：42H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Ge单晶片的酸性腐蚀特性分析被引量：7
- 2008年
- 对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析。比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片几何参数的影响。并对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的反应原理进行分析,最终确定酸性腐蚀更适合Ge单晶片抛光前的腐蚀减薄工艺。
- 吕菲赵权刘春香杨洪星秦学敏赵秀玲
- 关键词：化学腐蚀光洁度粗糙度
- 超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术被引量：3
- 2010年
- Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注。介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法。研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出在太阳电池用超薄Ge单晶抛光片的加工过程中,切割、研磨、磨削、化学腐蚀、抛光等工序对超薄Ge单晶抛光片的机械强度均有着不同程度的影响。研究表明,通过调整磨削砂轮砂粒粒径、化学腐蚀去除厚度和抛光速率等工艺参数,能够有效控制超薄Ge单晶抛光片的机械强度。
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- 关键词：机械强度太阳电池损伤层
- VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究
- 2024年
- 研究了半绝缘GaAs的碱性腐蚀液的温度、配比对半绝缘GaAs晶片的几何参数、粗糙度、腐蚀速率等的影响,根据碱性腐蚀原理;解释了腐蚀液温度对晶片翘曲度的改善原因,以及腐蚀速率随温度和配比的变化规律;实验结果表明在碱性腐蚀液中晶片的TTV和粗糙度比较稳定。
- 于妍吕菲李纪伟康洪亮
- 关键词：半绝缘碱性腐蚀
- 超薄硅双面抛光片抛光工艺技术被引量：4
- 2011年
- MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。
- 赵权杨洪星刘春香吕菲王云彪武永超
- 关键词：超薄抛光工艺
- 直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究被引量：3
- 2013年
- 直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高,在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温度和浓度变化趋势,从直拉重掺硅硼单晶化学反应的微观角度解释了这种变化规律,在此基础上,研究了不同的添加剂对腐蚀速率和表面均匀性的影响,从理论和实验两方面证实了,在腐蚀液中加入碱性氧化剂有利于腐蚀速率的提高,并能有效改善硅片的表面均匀性。
- 吕菲耿博耘于妍杨洪星刘锋
- 关键词：腐蚀速率
- 异型加热器在直拉硅单晶炉中的应用被引量：5
- 2015年
- 本文在直拉炉中使用异型加热器来替代普通加热器,通过有限元分析软件模拟分析,指出异型加热器增大了固液界面温度梯度,拉平了固液界面形状,同时也导致应力增大。单晶拉晶实验对比结果显示,使用异型加热器等径功率显著降低,拉晶速度明显提高,并且功率与拉晶速率变化幅度变小,有利于等径状态的稳定化。
- 吕菲耿博耘
- 关键词：数值模拟对比性实验
- 磨削工艺对Ge单晶抛光片的影响
- 2010年
- 因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长。在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表面更容易粘附蜡液而导致表面质量下降。检验合格的抛光片在存储过程中表面出现时间依赖性雾,分析了时间依赖性雾的形成原因是由于粗糙的背表面更容易存储水份和有机溶剂。要提高抛光片的质量必须控制磨削片的粗糙度。
- 吕菲赵权刘春香窦连水
- 关键词：粗糙度抛光速率
- VB-GaAs晶片翘曲度的控制方法被引量：1
- 2008年
- 介绍了一种用化学腐蚀进一步降低VB-GaAs晶片翘曲度的方法。通过控制腐蚀液的配比、温度、时间等参数,显著改善了晶片翘曲度。经过腐蚀的切片、研磨片在检验时易于发现裂纹等缺陷,降低了后续工序中的碎片率,综合加工成品率有了明显提高。
- 吕菲赵权于妍秦学敏宋晶
- 关键词：翘曲度化学腐蚀光泽度
- 晶片定位原理与算法
- 2012年
- 在半导体材料的加工过程中,晶片的精确定位应用于多个工序,一方面能提高生产率,另一方面也能提高产品的一致性,保证晶片的加工精度。目前的定位方式分为两种,仅对电子定位系统加以介绍,针对不同的晶片轮廓采用不同的识别数据,介绍了数据采集原理和数据特点,以及轮廓识别软件如何对数据进行分析和处理,最终实现对晶片的精确定位。
- 吕菲耿博耘李春龙莫宇周传月
- 关键词：数据采集数据分析
- 清洗液温度及浓度对硅研磨片清洗效果的影响被引量：3
- 2011年
- 超声波清洗在硅片生产中具有广泛的应用,影响超声波清洗效果的因素有很多,如清洗液温度、清洗液浓度等。为了研究清洗温度和清洗液浓度对硅研磨片清洗效果的影响,在实验中通过改变清洗液温度及清洗液的浓度,最后观察硅片表面洁净情况。得出清洗液温度和清洗液浓度不是越高越好,在某一具体工艺下,都存在一个适宜范围,在适宜范围内,硅片的清洗效果相对较好,同时研究了清洗时间对硅研磨片清洗效果的影响。
- 陈琪昊吕菲刘峰韩焕鹏莫宇
- 关键词：硅片超声波清洗
