周传月
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信冶金工程化学工程理学更多>>
- 太阳能级单晶炉热场的适应性改造研究被引量：4
- 2014年
- 在JRDL-900型太阳能级单晶炉上安装自行设计的350 mm（14英寸）密闭式热场,替换原有的500 mm（20英寸）热场,使该单晶炉具备了半导体级75~150 mm（3~6英寸）常用硅单晶的生长条件。根据单晶炉实际情况,重新设定了单晶生长控制程序,实现半导体级硅单晶等径生长自动控制。在拉晶实验过程中,发现并解决了影响单晶生长的设备和技术问题,成功实现了半导体级100 mm（4英寸）硅单晶的生长,对单晶成品的相应参数测试表明,使用该类太阳能级单晶炉,通过炉体和热场的改进,能够实现半导体级产品的生产,可有效利用闲置设备和资源,并为今后该类型的大规模改造和生产奠定了技术基础。
- 韩焕鹏刘锋周传月李丹
- 晶体实现软伽马射线劳厄透镜衍射的研究
- 2010年
- 晶体是劳厄透镜允许的基本结构。阐述了劳厄透镜原理以及符合条件的晶体范围,对3种不同晶体衍射特性进行对比,包括梯度SiGe、Cu和Au,指出研究结果,提出Si1-xGex的生产有非常令人满意的结果。
- 周传月刘峰韩焕鹏吴磊
- 关键词：布拉格衍射SI1-XGEX
- 密闭式热场下<111>晶向Si单晶高晶转生长研究被引量：1
- 2011年
- 在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻〈111〉晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对〈111〉晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面较宽现象的原因进行了分析。通过添加热屏,加强热场的保温和热屏的隔热作用,及缩小等径生长阶段熔Si液面与热屏间的距离,提高了晶体结晶前沿的温度梯度。从而避免了〈111〉晶向Si单晶的扭曲变形,减小了单晶棱面宽度,同时有利于消除晶体的漩涡缺陷。
- 刘锋韩焕鹏李丹王世援吴磊周传月莫宇
- 关键词：硅单晶直拉法
- 晶片定位原理与算法
- 2012年
- 在半导体材料的加工过程中,晶片的精确定位应用于多个工序,一方面能提高生产率,另一方面也能提高产品的一致性,保证晶片的加工精度。目前的定位方式分为两种,仅对电子定位系统加以介绍,针对不同的晶片轮廓采用不同的识别数据,介绍了数据采集原理和数据特点,以及轮廓识别软件如何对数据进行分析和处理,最终实现对晶片的精确定位。
- 吕菲耿博耘李春龙莫宇周传月
- 关键词：数据采集数据分析
- 碳/碳复合材料在半导体制造行业的应用被引量：1
- 2010年
- 通过对C/C复合材料力学性、断裂性、导热性、热弯曲强度、氧化性及烧蚀性几方面性能进行详细归纳,总结出其具有其他材料不可替代的独特性能。深入解析了C/C复合材料在单晶硅制造中作为热场材料应用的可能性乃至必要性,提出C/C复合材料终将取代石墨材料成为制造大型单晶炉隔热部件的首选材料。
- 吴磊刘峰韩焕鹏杨丹丹周传月
- 关键词：C/C复合材料隔热材料
