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舒惠云
作品数:
3
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
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合作作者
王鲁峰
中国科学院半导体研究所
周帆
中国科学院半导体研究所
边静
中国科学院半导体研究所
王圩
中国科学院半导体研究所
王宝军
中国科学院半导体研究所
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多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法
被引量:2
2003年
提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件 (EML)耦合效率的对接生长方法 .采用LP MOCVD外延方法 ,制作了对接方法不同的三种样片 ,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌 ,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面 .制作出相应的三种EML管芯 ,从测量所得到的出光功率特性曲线 ,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率 .实验结果表明 ,这种对接生长方案 ,可以获得光滑的对接界面 ,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率 (从常规的 17%提高到 78% )及EML器件的外量子效率 (从 0 0 3mW /mA提高到 0 15mW /mA) .
胡小华
王圩
朱洪亮
王宝军
李宝霞
周帆
田惠良
舒惠云
边静
王鲁峰
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电吸收调制DFB激光器
InGaAs薄有源区半导体光放大器集成模斑转换器
设计并初步研制了采用薄层 InGaAs 张应变有源区及薄限制层的半导体光放大器(SOAs)集成模斑转换器(SSC),有源区厚度仅有 43nm,介于量子阱与体材料之间,这种结构的器件,制作工艺简单,薄层有源区可以获得宽带宽...
丁颖
王鲁峰
潘教青
王书荣
舒惠云
赵玲娟
关键词:
半导体光放大器
模斑转换器
远场发散角
文献传递
宽带可调谐半导体激光器
赵玲娟
赵华凤
王圩
朱洪亮
周帆
王宝军
潘教青
阚强
张靖
王鲁峰
马晓红
边静
安欣
王欣
舒惠云
俞涛
邓小波
周开军
何熙
袁庆
该课题研究了四种基于InP材料的单片集成技术,实现了基于InP衬底的较灵活的能带剪裁,为光电子器件的多功能单片集成打下了基础;采用量子阱混杂技术,成功实现了75nm的量子阱带隙波长蓝移量,在此基础上实现了取样光栅分布布拉...
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可调谐激光器
光电集成
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