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王宝军: 作品数：83 被引量：56H指数：5; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程文化科学更多>>

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An Integratable Distributed Bragg Reflector Laser by Low-Energy Ion Implantation Induced Quantum Well Intermixing: 2004年; An integratable distributed Bragg reflector laser is fabricated by low energy ion implantation induced quantum well intermixing.A 4 6nm quasi continuous wavelength tuning range is achieved by controlling phase current and grating current simultaneously,and side mode suppression ratio maintains over 30dB throughout the tuning range except a few mode jump points.; 张靖陆羽赵玲娟周帆王宝军王鲁峰王圩

一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法: 本发明公开了一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法，该双波长分布反馈集成激光器用于探测CO与CH<Sub>4</Sub>的浓度，该方法包括：在掺杂磷化铟衬底上制作长条形介质掩膜图形；在掺杂磷化铟衬底上外延生长有源增益区和...; 朱洪亮潘教青赵玲娟王宝军王圩; 文献传递

渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料: 2006年; 采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.; 赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩; 关键词：超低压

多量子阱激光器和调制器有源区对接外延生长的研究: 本文提出了一种改善集成器件中各部分之间耦合效率的新结构,通过SEM照片观察多种情况下的外延形貌,研究了不同的刻蚀方法和工艺步骤对对接外延质量的影响.实验结果表明,采用非选择生长同时外延激光器和调制器上波导层以及两者之间的...; 胡小华朱洪亮王圩王宝军; 关键词：激光器电吸收调制器多量子阱波导; 文献传递

行波电极电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法: 一种行波电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层、n－1.2Q四元层、n－铟磷空间层、下分别限制层、多量子阱、上分别限制层、缺陷扩散层；生长刻蚀出氧化硅掩膜保护电吸收调制器区，磷离...; 周敬涛王宝军朱洪亮; 文献传递

水汽探测用激光芯片的制造方法: 一种水汽探测用激光芯片的制造方法，包括如下步骤：步骤1：在n型InP衬底上依次外延生长InP缓冲层、下波导层、多量子阱结构、上波导层和p-n反型层；步骤2：采用全息曝光法在p-n反型层和上波导层上制作复耦合光栅；步骤3：...; 于红艳周旭亮邵永波王宝军潘教青王圩; 文献传递

具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法: 本发明涉及半导体光器件技术领域，特别是一种具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法。步骤包括：(1)采用普通化学汽相淀积生长二氧化硅，在一次外延结构片顶层选择性产生用于量子阱混杂的镓空位；(2)金属有机化合物化学...; 丁颖王圩潘教青王宝军陈娓兮; 文献传递

用于薄片材料解离和转移的装置: 本发明提供了一种用于薄片材料解离和转移的装置，其包括：清洗凹槽、拖铲，粘有薄片材料的器件位于清洗凹槽的正上方；拖铲用于移取薄片材料；其中，拖铲包括：拖铲手柄、插棍，插棍用于移取时托住薄片材料。本发明可以大大降低薄片材料在...; 刘祎慧王宝军黄永光赵玲娟

在硅片上制作八边形微孔的方法: 一种在硅片上制作八边形微孔的方法，包括如下步骤：步骤1.取一取向为(100)型的硅片；步骤2.采用脉冲激光辐照的方法，在硅片上形成微孔；步骤3.通过碱腐蚀工艺，将微孔腐蚀为八边形孔，该八边形孔的侧壁相隔出现金字塔结构和片...; 黄永光王熙元刘德伟朱小宁王宝军朱洪亮; 文献传递

端面反射对于取样光栅分布布拉格反射激光器及其集成器件性能的影响: 本文通过传输矩阵模型，理论计算了不同端面反射的存在对于取样光栅分布布拉格反射镜以及集成SOA的取样光栅分布布拉格反射镜反射谱的影响，进而研究了端面反射的存在对于取样光栅分布布拉格反射激光器以及集成SOA的取样光栅分布布拉...; 刘扬潘教青王宝军边静安欣赵玲娟; 关键词：可调激光器波长控制传输矩阵; 文献传递