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汪玲

作品数：9 被引量：22H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家电网公司科技项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 5篇H型
  • 4篇碳化硅
  • 4篇界面态
  • 4篇半导体
  • 4篇场效应
  • 3篇氧化物半导体
  • 3篇金属氧化物半...
  • 3篇晶体管
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇可靠性
  • 2篇半导体场效应...
  • 2篇SIC
  • 2篇4H-SIC
  • 1篇导体
  • 1篇电荷
  • 1篇亚微米
  • 1篇氧化层
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层

机构

  • 9篇南京电子器件...
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 9篇汪玲
  • 8篇柏松
  • 7篇刘奥
  • 7篇黄润华
  • 7篇陶永洪
  • 7篇陈刚
  • 5篇赵志飞
  • 5篇李赟
  • 1篇刘涛
  • 1篇周德红
  • 1篇杨霏

传媒

  • 5篇固体电子学研...
  • 2篇智能电网
  • 1篇微电子学
  • 1篇2005全国...

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2006
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计被引量：2
2016年
设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。
汪玲黄润华刘奥陈刚柏松
关键词：肖特基势垒二极管
3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造被引量：6
2016年
介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。
刘涛陈刚黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李赟赵志飞
SiC MESFET器件制造与特性研究
报告了4H—SiC MESFET单栅器件的研制。通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制造出单栅宽150um,栅长0.8um n沟道4H—SiC MESFET,其主要直流特性结果为:在V
陈刚汪玲周德红柏松
关键词：金属半导体场效应管微波宽禁带半导体
基于SM-JTE结构的4H-SiC器件被引量：2
2017年
介绍了高压空间调制结终端扩展(SM-JTE)结构及其优势。结合实际的MOSFET工艺和已有的理论模型,定义了全新的4H-Si C器件TCAD仿真模型参数。首次提出了确定SM-JTE最优长度的方法。基于SM-JTE结构的4H-Si C器件具有优良的击穿特性。SM-JTE结构的长度为230μm时,SM-JTE的击穿电压可以达到16 k V。针对界面电荷对击穿特性的影响进行了系统仿真研究。仿真结果表明,正界面电荷相比负界面电荷对击穿电压的影响更大,且界面态电荷会引起击穿电压明显下降。该SM-JTE结构可以采用更短的结终端,在同样尺寸的芯片上能制作更多的器件,从而提高生产效率,降低器件成本。
杨同同柏松黄润华汪玲陶永洪
关键词：界面电荷
4H型碳化硅高温氧化工艺研究被引量：1
2016年
在4H型碳化硅导电衬底上进行N型外延层生长,并对外延层表面进行化学机械抛光;通过高温氧化的方法在表面生成氧化层,并且在NO中进行退火;在此之后,加工碳化硅MOS电容和LMOS;通过C-V测试的方法对Si O2/Si C界面特性进行评估;通过测试的方法对LMOS的场效应迁移率和MOS的击穿电压分布情况进行分析。结果表明,经过表面抛光可大大改善表面形貌,在一定程度上抑制界面态的产生,并且改善沟道导电的一致性。
钮应喜黄润华杨霏汪玲陈刚陶永洪刘奥柏松李赟赵志飞
关键词：界面态可靠性
碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究被引量：6
2015年
通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容,并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估Si O2/Si C界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善,界面态密度小于5×10~11 cm–2e V–1。
黄润华钮应喜杨霏陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞
关键词：界面态
1200V碳化硅MOSFET设计
2016年
设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A,击穿电压达1 900V。
黄润华陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥李赟赵志飞
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管界面态
1700V碳化硅MOSFET设计被引量：4
2014年
设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。
黄润华陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管界面态
常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET被引量：2
2014年
南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。
黄润华陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞
关键词：MOSFET沟道亚微米SIC
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