吴亮亮
- 作品数：12 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池
- 一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层...
- 杨静赵德刚李亮吴亮亮乐伶聪李晓静何晓光
- 文献传递
- 不同P-GAN厚度INGAN/GAN太阳能电池性能研究
- 采用MOCVD 技术在C面蓝宝石衬底上生长了不同P-GAN厚度的INGAN/GAN P-I-N太阳能电池,P-GAN的厚度分别为0NM,50NM,150NM.通过XRD和AFM测试分析了材料的结构特性,同时也测试了太阳能...
- 李亮赵德刚江德生刘宗顺陈平吴亮亮乐伶聪王辉杨辉
- 关键词：INGAN太阳能电池
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- 金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响被引量：1
- 2013年
- 研究了金属有机化学气相沉积设备生长条件对AlN薄膜质量的影响.应用Williamson-Hall方法测试并分析了不同氮化时间、AlN缓冲层生长时间、载气流量生长参数对AlN薄膜的面内晶粒尺寸的影响.实验结果表明,随着氮化时间减小,缓冲层生长时间增加,载气流量减少,AlN薄膜的侧向生长和岛的合并能力增强,面内晶粒尺寸增大,从而晶体质量也变好.
- 吴亮亮赵德刚李亮乐伶聪陈平刘宗顺江德生
- 关键词：ALN
- 器件参数对GaN基n^+-GaN/i-Al_x Ga_(1-x)N/n^+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响被引量：1
- 2010年
- 研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层的厚度以保证器件的量子效率.在材料生长和器件工艺过程中都应减少界面态.外加较小的反向偏压能大幅度提高紫外量子效率,分析表明,GaN/AlGaN/GaN形成的两个背靠背、方向相反的异质结电场是出现这些现象的根本原因.在实际器件设计中,应该根据需要调节各结构参数,以保证器件的量子效率.
- 邓懿赵德刚吴亮亮刘宗顺朱建军江德生张书明梁骏吾
- 关键词：GAN量子效率
- 轻掺SI对高质量GAN带边发光的影响
- 通过低温光致发光(LOW TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE,LT PL)手段,我们研究了轻掺SI对高质量GAN 的光学性质的影响.据发现,在轻掺SI的GAN的PL谱中发现位于3.473EV处的发...
- 乐伶聪张书明杨辉赵德刚江德生吴亮亮李亮陈平刘宗顺朱建军王辉
- 关键词：MOCVD
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- 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法
- 本发明公开了一种改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法，该材料结构包括：衬底(1)；生长在该衬底(1)上的缓冲层(2)；生长在该缓冲层(2)上的n-GaN薄膜层(3)；生长在该n-GaN薄膜层(3)上的p-Ga...
- 吴亮亮赵德刚江德生刘宗顺陈平李亮乐伶聪杨辉
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- InGaN太阳能电池及其制作方法
- 一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台...
- 李亮赵德刚江德生刘宗顺陈平吴亮亮乐伶聪杨辉
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- 退火气氛中氧气的掺入对p-GaN退火的影响
- 本文研究了在退火气氛中掺入氧气对p-GaN 激活的影响。当样品在750℃,退火气氛为N2：O2为4：1时得到最小的电阻率。实验表明在纯N2退火气氛中掺入氧气,能更有效率地减少钝化p-GaN中Mg受主的氢的含量。虽然在更高...
- 吴亮亮王辉张宝顺杨辉赵德刚江德生陈平乐伶聪李亮刘宗顺张书明朱建军
- 关键词：P-GAN热退火氧气
- 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池
- 一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺...
- 杨静赵德刚李亮吴亮亮乐伶聪李晓静何晓光
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- 退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响被引量：1
- 2013年
- 研究了不同退火温度和气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响.采用圆形传输线模型方法得到不同退火温度和不同退火气氛下的比接触电阻率.结果表明,较适宜的退火温度为500 C左右,退火温度太高或太低都会导致比接触电阻率的增大;较适宜的退火气氛为适量含氧的氮气气氛,且氧气含量对比接触电阻率大小的影响并不显著.经过对退火条件的优化,得到的比接触电阻率可达7.65×10 4·cm2.
- 李晓静赵德刚何晓光吴亮亮李亮杨静乐伶聪陈平刘宗顺江德生
- 关键词：P-GAN欧姆接触快速热退火
