乐伶聪
- 作品数：24 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家大学生创新性实验计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺化学工程更多>>
- 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法
- 一种高阻低位错GaN薄膜，包括：一衬底；一GaN低温成核层，其制作在衬底上；一GaN合并层，其制作在GaN低温成核层上；一GaN高阻层，其制作在GaN合并层上。本发明是通过控制反应室压强，实现非故意可控碳掺杂，从而达到既...
- 何晓光赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静乐伶聪李晓静杨辉
- 文献传递
- 退火气氛中氧气的掺入对p-GaN退火的影响
- 本文研究了在退火气氛中掺入氧气对p-GaN 激活的影响。当样品在750℃,退火气氛为N2：O2为4：1时得到最小的电阻率。实验表明在纯N2退火气氛中掺入氧气,能更有效率地减少钝化p-GaN中Mg受主的氢的含量。虽然在更高...
- 吴亮亮王辉张宝顺杨辉赵德刚江德生陈平乐伶聪李亮刘宗顺张书明朱建军
- 关键词：P-GAN热退火氧气
- 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
- 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层...
- 乐伶聪赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静何晓光李晓静杨辉
- 文献传递
- 利用MOCVD生长参数控制GaN的C含量和电阻率
- 本文研究了MOCVD生长过程中的各种参数对GaN材料中的C杂质含量的影响.共生长了五个GaN样品,每个样品包括5-6个子层,每个样品样品中从最底层到最顶层阶梯改变一个生长参数,通过二次离子质谱(SIMS)测量C杂质浓度....
- 何晓光赵德刚乐伶聪李晓静杨静
- 金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响被引量：1
- 2013年
- 研究了金属有机化学气相沉积设备生长条件对AlN薄膜质量的影响.应用Williamson-Hall方法测试并分析了不同氮化时间、AlN缓冲层生长时间、载气流量生长参数对AlN薄膜的面内晶粒尺寸的影响.实验结果表明,随着氮化时间减小,缓冲层生长时间增加,载气流量减少,AlN薄膜的侧向生长和岛的合并能力增强,面内晶粒尺寸增大,从而晶体质量也变好.
- 吴亮亮赵德刚李亮乐伶聪陈平刘宗顺江德生
- 关键词：ALN
- 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
- 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层...
- 乐伶聪赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静何晓光李晓静杨辉
- 一种高阻GaN薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种高阻GaN薄膜及其制作方法。该高阻GaN薄膜包括：衬底；GaN低温成核层，其制作在衬底上；GaN高阻层，其制作在GaN低温成核层上。该高阻GaN薄膜利用MOCVD设备，并用三甲基镓和氨气作为镓源和氮源，以...
- 何晓光赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静乐伶聪李晓静杨辉
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- InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构
- 一种InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温成核层、非故意掺杂缓冲层、n型掺杂GaN层、非掺杂InGaN/AlInGaN多量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的...
- 杨静赵德刚乐伶聪李晓静何晓光
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- 轻掺SI对高质量GAN带边发光的影响
- 通过低温光致发光(LOW TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE,LT PL)手段,我们研究了轻掺SI对高质量GAN 的光学性质的影响.据发现,在轻掺SI的GAN的PL谱中发现位于3.473EV处的发...
- 乐伶聪张书明杨辉赵德刚江德生吴亮亮李亮陈平刘宗顺朱建军王辉
- 关键词：MOCVD
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- 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法
- 本发明公开了一种改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法，该材料结构包括：衬底(1)；生长在该衬底(1)上的缓冲层(2)；生长在该缓冲层(2)上的n-GaN薄膜层(3)；生长在该n-GaN薄膜层(3)上的p-Ga...
- 吴亮亮赵德刚江德生刘宗顺陈平李亮乐伶聪杨辉
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