胡海帆
- 作品数：6 被引量：4H指数：2
- 供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 应变Si/SiGe沟道功率UMOSFET的模拟分析
- 2010年
- 提出一种应变Si/SiGe UMOSFET结构,并与Si-UMOSFET器件的电流-电压特性进行比较;对SiGe区域在UMOSFET器件中的不同厚度值进行静态电学仿真。应变Si/SiGe异质结能够有效地提高沟道区载流子的迁移率,增大IDS,降低Vth及器件的Ron;且应变异质结与载流子有效传输沟道距离的大小,对器件的Vth、Isat、V(BR)DSS及电流-电压特性都有较大的影响。因此在满足击穿电压要求的基础上,应变Si/SiGe沟道异质结的UMOSFET相对Si-UMOSFET在I-V特性和Ron方面有较大的改进。
- 胡海帆王颖程超
- 关键词：功率器件电流-电压特性
- 基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管（英文）被引量：2
- 2016年
- 提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构,由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成,分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改进雪崩光电二极管对光线波长的探测范围扩展到200~1 400 nm。对雪崩光电二极管的关键参数,如器件内电场分布、暗电流、光电流、增益和光响应等进行了分析。仿真结果表明改进雪崩光电二极管的击穿电压为145 V。当阴极偏置电压为140 V时,该器件对900 nm波长光线的峰值响应可以达到22 A/W。在器件击穿之前,400 nm波长光线的电流增益可以对达到50。对改进雪崩光电二极管器件的工艺流程也进行了讨论。
- 魏佳童陈立伟胡海帆刘志远
- 关键词：雪崩光电二极管波长范围
- 三维阵列电极粒子像素辐射探测器的终端结构仿真研究
- 2015年
- 在新型绝缘衬底上硅互补金属氧化物半导体（SOI CMOS）粒子像素（ASCP）探测器结构基础上,提出背部沟槽终端结构.采用二维和三维器件仿真对比研究有源边界终端结构,结果表明：背部沟槽终端结构会在沟槽拐角处形成电场峰,同像素内N＋沟槽底端电场等效对称,改善衬底电场分布,提高像素探测器终端耐压.在等效中子辐射流通量0-10^16cm^-2内,背部沟槽终端和有源边界终端的边缘像素有相近的电荷收集特性.此外,还分析了ASCP探测器的粒子角度入射特性.
- 胡海帆王颖陈杰
- 关键词：终端结构沟槽电荷收集
- 全三维电离粒子有源像素探测器优化仿真
- 2014年
- 提出了一种双外延高能离子注入的单片集成有源像素探测器的传感器结构,以提升传感器对电荷的收集性能和辐射加固,并进行了三维工艺模拟和物理级器件仿真计算.研究结果表明,所提出的传感器结构改善了内部电场和电势的分布,且目标电极的电荷收集效率提高70%,电荷收集时间减少64%.此外,当等效中子辐射流通量在1012—1015cm-2范围内时,所提出的传感器结构比标准传感器结构有更高的电荷收集能力.
- 胡海帆王颖陈杰赵士斌
- 关键词：探测器电荷收集
- 沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究被引量：2
- 2011年
- 为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%.
- 王颖程超胡海帆
- 关键词：导通电阻击穿电压
- 短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型
- 2008年
- 传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适,但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质分布也是非均匀的。本文基于二维电荷共享模型,给出了Trench MOSFET的一种新的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律,模型的结果和器件仿真软件Sivaco TCAD的仿真结果吻合较好。该模型较好地解决了以往所用的Trench MOSFET阈值电压模型计算不准确的问题。
- 王颖程超胡海帆杨大伟
- 关键词：阈值电压解析模型
