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刘志远

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十九研究所更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金黑龙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩光电二极...
  • 1篇英文
  • 1篇光电
  • 1篇光电二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇硅
  • 1篇锗
  • 1篇波长
  • 1篇波长范围

机构

  • 1篇哈尔滨工程大...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇同方威视技术...

作者

  • 1篇陈立伟
  • 1篇胡海帆
  • 1篇刘志远

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管（英文）被引量：2
2016年
提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构,由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成,分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改进雪崩光电二极管对光线波长的探测范围扩展到200~1 400 nm。对雪崩光电二极管的关键参数,如器件内电场分布、暗电流、光电流、增益和光响应等进行了分析。仿真结果表明改进雪崩光电二极管的击穿电压为145 V。当阴极偏置电压为140 V时,该器件对900 nm波长光线的峰值响应可以达到22 A/W。在器件击穿之前,400 nm波长光线的电流增益可以对达到50。对改进雪崩光电二极管器件的工艺流程也进行了讨论。
魏佳童陈立伟胡海帆刘志远
关键词：雪崩光电二极管波长范围
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