程超
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金黑龙江省青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 应变Si/SiGe沟道功率UMOSFET的模拟分析
- 2010年
- 提出一种应变Si/SiGe UMOSFET结构,并与Si-UMOSFET器件的电流-电压特性进行比较;对SiGe区域在UMOSFET器件中的不同厚度值进行静态电学仿真。应变Si/SiGe异质结能够有效地提高沟道区载流子的迁移率,增大IDS,降低Vth及器件的Ron;且应变异质结与载流子有效传输沟道距离的大小,对器件的Vth、Isat、V(BR)DSS及电流-电压特性都有较大的影响。因此在满足击穿电压要求的基础上,应变Si/SiGe沟道异质结的UMOSFET相对Si-UMOSFET在I-V特性和Ron方面有较大的改进。
- 胡海帆王颖程超
- 关键词：功率器件电流-电压特性
- 低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究被引量：1
- 2012年
- 横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGBT的反向特性.通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计,实现了导通压降为1.0 V,薄外延层上小元胞尺寸,且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件.
- 李婷王颖陈宇贤高松松程超
- 关键词：LIGBT沟槽击穿电压导通电阻导通压降
- 短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型
- 2008年
- 传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适,但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质分布也是非均匀的。本文基于二维电荷共享模型,给出了Trench MOSFET的一种新的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律,模型的结果和器件仿真软件Sivaco TCAD的仿真结果吻合较好。该模型较好地解决了以往所用的Trench MOSFET阈值电压模型计算不准确的问题。
- 王颖程超胡海帆杨大伟
- 关键词：阈值电压解析模型
- 沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究被引量：2
- 2011年
- 为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%.
- 王颖程超胡海帆
- 关键词：导通电阻击穿电压
