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李婷

作品数:4 被引量:6H指数:2
供职机构:哈尔滨工程大学信息与通信工程学院更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金黑龙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇导通压降
  • 2篇电阻
  • 2篇击穿电压
  • 2篇LIGBT
  • 1篇低导通电阻
  • 1篇多通道
  • 1篇甄别
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇特征导通电阻
  • 1篇阈值电压
  • 1篇网络
  • 1篇无线
  • 1篇无线网
  • 1篇无线网络
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇绝缘栅双极晶...
  • 1篇沟槽

机构

  • 4篇哈尔滨工程大...

作者

  • 4篇李婷
  • 3篇王颖
  • 3篇陈宇贤
  • 1篇程超
  • 1篇邵雷
  • 1篇高嵩
  • 1篇刘云涛
  • 1篇张晋

传媒

  • 1篇哈尔滨理工大...
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇哈尔滨商业大...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于3G无线网络的多通道多媒体数据传输系统被引量:3
2013年
局限于无线网络的带宽,无线多媒体业务不能得到很好的应用,采用多通道技术,通过叠加无线通道以提高无线信道带宽,保证多媒体数据的传输质量.在讨论数据分包及多个通道调度问题后,在FPGA上实现了多通道传输系统.
李万臣陈宇贤张晋李婷
关键词:FPGA多通道
500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化
2012年
介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外延结构使漂移区耗尽层展宽,实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计.通过器件建模与仿真得到最佳TA-LIGBT的结构参数和模拟特性曲线,所设计器件击穿电压大于500 V,栅源电压Vgs=10 V时导通压降为0.2 V,特征导通电阻为123.6 mΩ.cm2.
邵雷李婷陈宇贤王颖
关键词:横向绝缘栅双极晶体管击穿电压导通压降阈值电压特征导通电阻
CMOS峰值检测电路被引量:2
2011年
采用差动运算放大器加电流镜的方法,设计了一种CMOS峰值检测电路,包括峰值电压检测及输入信号过峰时刻甄别两部分.该电路设计基于0.5μm CMOS工艺,实现对峰值电压范围为0~5V,脉冲宽度1~5μs的准高斯信号的精确检测,误差小于6mV。另外,改进了过峰时刻甄别电路,采用了先微分再过零比较的办法,避免了一个准高斯信号输出多个峰值电压.
高松松王颖刘云涛李婷高嵩
关键词:CMOS甄别
低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究被引量:1
2012年
横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGBT的反向特性.通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计,实现了导通压降为1.0 V,薄外延层上小元胞尺寸,且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件.
李婷王颖陈宇贤高松松程超
关键词:LIGBT沟槽击穿电压导通电阻导通压降
共1页<1>
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