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戴扬
作品数:
8
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
杨富华
中国科学院半导体研究所
马龙
中国科学院半导体研究所
王良臣
中国科学院半导体研究所
曾一平
中国科学院半导体研究所
张杨
中国科学院半导体研究所
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戴扬
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InGaAs/AlAs共振隧穿二极管与InGaAs/InAlAs高电子迁移率晶体管在InP衬底上的单片集成
本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 GHz.栅长为1um的HEMT截至频率19.8 GHz,最大跨导237 mS...
马龙
张杨
戴扬
杨富华
曾一平
王良臣
关键词:
共振隧穿二极管
高电子迁移率晶体管
单片集成
文献传递
基于共振隧穿二极管与高电子迁移率晶体管的高速集成电路工艺与设计
高电子迁移率晶体管(HEMT)和共振隧穿二极管(RTD)都是目前相对成熟的量子器件。其中RTD是基于量子隧穿效应的纳米电子器件,也是目前室温下工作速度最快的固态电子器件;HEMT是基于将载流子与电离施主在空间上分离,并将...
戴扬
关键词:
共振隧穿
RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成
2007年
在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19.8GHz,最大跨导为237mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.
马龙
张杨
戴扬
杨富华
曾一平
王良臣
关键词:
共振隧穿二极管
磷化铟
单片集成
高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析
被引量:1
2007年
在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.
马龙
张杨
戴扬
杨富华
曾一平
王良臣
关键词:
共振隧穿二极管
电流-电压特性
基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器
本发明公开了一种基于共振隧穿二极管与增强型高电子迁移率晶体管的超高速全并行模数转换器,该模数转换器由2<Sup>n</Sup>-1个比较器和n个编码器构成,n为模数转换器的位数;其中,各比较器并联连接,输入各比较器的模拟...
戴扬
杜睿
杨富华
文献传递
一种基于RTD和HEMT的单片集成逻辑电路(英文)
2007年
介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构.RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1,峰值电流密度为22.5kA/cm2.HEMT采用1μm栅长,阈值电压为-1V.设计电路称为单稳态-双稳态转换逻辑单元(MOBILE).实验结果显示了该电路逻辑运行成功,运行频率可达2GHz以上.
戴扬
黄应龙
刘伟
马龙
杨富华
王良臣
曾一平
郑厚植
关键词:
共振隧穿二极管
高电子迁移率晶体管
INGAAS
InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法
本发明提出一种在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT(高电子迁移率晶体管)的制作方法,此方法适用于需要同时集成增强型HEMT和耗尽型HEMT的InP基集成电路。其特征在于:a)在InAlAs有源层和n<Sup>+</S...
戴扬
杜睿
张扬
杨富华
文献传递
基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器
本发明公开了一种基于共振隧穿二极管与增强型高电子迁移率晶体管的超高速全并行模数转换器,该模数转换器由2<Sup>n</Sup>-1个比较器和n个编码器构成,n为模数转换器的位数;其中,各比较器并联连接,输入各比较器的模拟...
戴扬
杜睿
杨富华
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