2024年8月24日
星期六
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
张杨
作品数:
58
被引量:11
H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
北京市自然科学基金
更多>>
相关领域:
电子电信
医药卫生
一般工业技术
理学
更多>>
合作作者
曾一平
中国科学院半导体研究所
杨富华
中国科学院半导体研究所
关敏
中国科学院半导体研究所
韩伟华
中国科学院半导体研究所
王成艳
中国科学院半导体研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
36篇
专利
12篇
期刊文章
8篇
会议论文
2篇
学位论文
领域
26篇
电子电信
2篇
医药卫生
2篇
一般工业技术
1篇
矿业工程
1篇
机械工程
1篇
电气工程
1篇
自动化与计算...
1篇
理学
主题
12篇
感器
12篇
传感
12篇
传感器
11篇
电子束曝光
11篇
迁移率
10篇
电子迁移率
10篇
晶体管
10篇
高电子迁移率
10篇
高电子迁移率...
8篇
生物传感
8篇
生物传感器
7篇
势垒
6篇
锑化物
6篇
纳米
6篇
隔离层
6篇
二极管
5篇
隧穿
5篇
金属
5篇
刻蚀
5篇
共振隧穿
机构
58篇
中国科学院
2篇
中国科学院大...
1篇
南京电子器件...
1篇
中日友好医院
作者
58篇
张杨
35篇
曾一平
17篇
杨富华
15篇
关敏
6篇
韩伟华
6篇
王成艳
5篇
王良臣
5篇
丁凯
5篇
马龙
5篇
张斌田
5篇
黄丰
5篇
林璋
4篇
李彦波
4篇
王国宏
4篇
李璟
4篇
王颖
4篇
杨香
3篇
戴扬
3篇
李弋洋
3篇
张雨溦
传媒
7篇
Journa...
2篇
发光学报
1篇
功能材料与器...
1篇
固体电子学研...
1篇
微纳电子技术
1篇
第十四届全国...
1篇
第十届全国分...
1篇
第十一届全国...
年份
1篇
2024
2篇
2023
1篇
2022
2篇
2021
1篇
2020
1篇
2019
3篇
2018
6篇
2017
7篇
2015
4篇
2013
7篇
2012
5篇
2011
3篇
2010
3篇
2009
4篇
2008
4篇
2007
4篇
2006
共
58
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成
2007年
在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19.8GHz,最大跨导为237mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.
马龙
张杨
戴扬
杨富华
曾一平
王良臣
关键词:
共振隧穿二极管
磷化铟
单片集成
InAsSb量子阱异质结构输运特性的理论研究
张雨溦
张杨
王宝强
朱占平
曾一平
大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法
一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管,包括:一衬底;一复合缓冲层,生长在衬底上;一插入层,生长在复合缓冲层上;一AlSb隔离层,生长在插入层上;一子沟道层,生长在AlSb隔离层上;一锑化物下势垒层,生长在子沟道层上...
张雨溦
张杨
曾一平
文献传递
锑化物超晶格红外探测器的研究进展
被引量:5
2010年
InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广阔的应用前景。
李彦波
刘超
张杨
赵杰
曾一平
关键词:
双色探测器
GaAs基PHEMT生物传感器及其制作方法
本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg<Sup>2+</Sup>)的GaAs基PHEMT生物传感器,其以GaAs基PHEMT为基底,利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性,在特定条件下...
王成艳
张杨
关敏
丁凯
张斌田
林璋
黄丰
曾一平
文献传递
基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法
一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器,包括:一衬底,为半绝缘GaAs衬底或者半绝缘Si衬底;一复合缓冲层,该复合缓冲层为十字结构,该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位;一下势垒层,该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层...
张杨
曾一平
文献传递
InGaAs/AlAs共振隧穿二极管与InGaAs/InAlAs高电子迁移率晶体管在InP衬底上的单片集成
本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 GHz.栅长为1um的HEMT截至频率19.8 GHz,最大跨导237 mS...
马龙
张杨
戴扬
杨富华
曾一平
王良臣
关键词:
共振隧穿二极管
高电子迁移率晶体管
单片集成
文献传递
一种快速检测重金属离子的多通道传感器及其制作方法
本发明公开了一种用于检测重金属离子的InP基HEMT多通道传感器,其采用分子束外延系统制备InP基HEMT,一定条件下将特异性生物分子固定于栅极表面通过将InP基HEMT高跨导低噪声的特性与检测技术和微流控技术相结合,研...
张杨
关敏
王成艳
曾一平
文献传递
一种蝶形超材料光学传感器
一种蝶形超材料光学传感器,包括:衬底(1);超材料阵列层(2),所述超材料阵列层(2)生长于衬底(1)的表面;所述超材料阵列层(2)的构成成分全是金属,或金属与二维材料的组合;所述超材料阵列层(2)的结构是阵列排布的多个...
崔宁
关敏
张杨
邵泓焰
曾一平
文献传递
太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和检测方法
一种太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和检测方法,该生物传感器包括:衬底;设置在所述衬底上用于响应太赫兹波的超材料结构,其上设有若干检测区;以及识别单元,修饰在所述检测区上,用于识别不同标志物。本发明提供的太赫兹超材料生...
崔宁
关敏
徐梦轲
张杨
曾一平
文献传递
全选
清除
导出
共6页
<
1
2
3
4
5
6
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张