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张杨

作品数：58 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 26篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇矿业工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 12篇感器
  • 12篇传感
  • 12篇传感器
  • 11篇电子束曝光
  • 11篇迁移率
  • 10篇电子迁移率
  • 10篇晶体管
  • 10篇高电子迁移率
  • 10篇高电子迁移率...
  • 8篇生物传感
  • 8篇生物传感器
  • 7篇势垒
  • 6篇锑化物
  • 6篇纳米
  • 6篇隔离层
  • 6篇二极管
  • 5篇隧穿
  • 5篇金属
  • 5篇刻蚀
  • 5篇共振隧穿

机构

  • 58篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇中日友好医院

作者

  • 58篇张杨
  • 35篇曾一平
  • 17篇杨富华
  • 15篇关敏
  • 6篇韩伟华
  • 6篇王成艳
  • 5篇王良臣
  • 5篇丁凯
  • 5篇马龙
  • 5篇张斌田
  • 5篇黄丰
  • 5篇林璋
  • 4篇李彦波
  • 4篇王国宏
  • 4篇李璟
  • 4篇王颖
  • 4篇杨香
  • 3篇戴扬
  • 3篇李弋洋
  • 3篇张雨溦

传媒

  • 7篇Journa...
  • 2篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 7篇2015
  • 4篇2013
  • 7篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 4篇2006
共 58 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成
2007年
在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19.8GHz,最大跨导为237mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.
马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣
关键词：共振隧穿二极管磷化铟单片集成
InAsSb量子阱异质结构输运特性的理论研究
张雨溦张杨王宝强朱占平曾一平
大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法
一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上；一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上...
张雨溦张杨曾一平
文献传递
锑化物超晶格红外探测器的研究进展被引量：5
2010年
InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广阔的应用前景。
李彦波刘超张杨赵杰曾一平
关键词：双色探测器
GaAs基PHEMT生物传感器及其制作方法
本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg<Sup>2+</Sup>)的GaAs基PHEMT生物传感器，其以GaAs基PHEMT为基底，利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性，在特定条件下...
王成艳张杨关敏丁凯张斌田林璋黄丰曾一平
文献传递
基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法
一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器，包括：一衬底，为半绝缘GaAs衬底或者半绝缘Si衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层为十字结构，该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位；一下势垒层，该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层...
张杨曾一平
文献传递
InGaAs/AlAs共振隧穿二极管与InGaAs/InAlAs高电子迁移率晶体管在InP衬底上的单片集成
本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 GHz.栅长为1um的HEMT截至频率19.8 GHz,最大跨导237 mS...
马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣
关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管单片集成
文献传递
一种快速检测重金属离子的多通道传感器及其制作方法
本发明公开了一种用于检测重金属离子的InP基HEMT多通道传感器，其采用分子束外延系统制备InP基HEMT，一定条件下将特异性生物分子固定于栅极表面通过将InP基HEMT高跨导低噪声的特性与检测技术和微流控技术相结合，研...
张杨关敏王成艳曾一平
文献传递
一种蝶形超材料光学传感器
一种蝶形超材料光学传感器，包括：衬底(1)；超材料阵列层(2)，所述超材料阵列层(2)生长于衬底(1)的表面；所述超材料阵列层(2)的构成成分全是金属，或金属与二维材料的组合；所述超材料阵列层(2)的结构是阵列排布的多个...
崔宁关敏张杨邵泓焰曾一平
文献传递
太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和检测方法
一种太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和检测方法，该生物传感器包括：衬底；设置在所述衬底上用于响应太赫兹波的超材料结构，其上设有若干检测区；以及识别单元，修饰在所述检测区上，用于识别不同标志物。本发明提供的太赫兹超材料生...
崔宁关敏徐梦轲张杨曾一平
文献传递
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