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廖柯

作品数:19 被引量:50H指数:4
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 12篇激光
  • 10篇激光器
  • 5篇功率
  • 5篇二极管
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体激光
  • 5篇半导体激光器
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 4篇辐射发光
  • 4篇波长
  • 4篇超辐射
  • 4篇超辐射发光二...
  • 4篇大功率
  • 3篇输出功率
  • 2篇镀膜
  • 2篇应变量子阱
  • 2篇增透
  • 2篇增透膜
  • 2篇折射率

机构

  • 16篇重庆光电技术...
  • 4篇重庆邮电大学
  • 2篇重庆邮电学院
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇重庆第二师范...
  • 1篇国网江苏省电...
  • 1篇国网江苏省电...

作者

  • 19篇廖柯
  • 5篇田坤
  • 4篇刘刚明
  • 4篇周勇
  • 2篇唐婷婷
  • 2篇张靖
  • 2篇王锐
  • 1篇李金良
  • 1篇方荇
  • 1篇吕坤颐
  • 1篇王振
  • 1篇杨番
  • 1篇瞿鹏飞
  • 1篇赵段力
  • 1篇张道银
  • 1篇王品红
  • 1篇王静波
  • 1篇段利华
  • 1篇熊煜
  • 1篇刘科

传媒

  • 13篇半导体光电
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇江西通信科技
  • 1篇光学与光电技...
  • 1篇中国材料科技...
  • 1篇第五届全国光...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1991
  • 1篇1990
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大功率单隧道结半导体激光器的研制被引量:3
2018年
针对大功率隧道结半导体激光器因光学灾变损伤(COD)而导致输出光功率无法进一步提高的问题,通过优化器件材料结构,提高了其COD阈值。采用标准的半导体激光器制作工艺,制作了发光区条宽为200μm、腔长为900μm的单隧道结半导体激光器。在脉冲宽度为200ns、重复频率为5kHz的室温下进行测试,器件峰值功率超过70W,并且无明显COD现象发生。在20A工作电流下,器件峰值波长为907nm,光谱宽度为7nm,斜率效率为1.88,接近相同工作电流下单有源层激光器的两倍。
陈健廖柯熊煜周勇刘尚军
关键词:大功率材料结构
1064nm应变量子阱的理论设计被引量:1
2009年
根据应变理论及有限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度,并采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长该应变量子阱,实验结果与设计波长基本一致。
赵段力廖柯吕坤颐
关键词:INGAAS/GAAS量子阱量子尺寸效应
一种大功率低偏振度量子阱超辐射发光二极管被引量:5
2013年
设计了一种张应变与压应变相结合的混合应变量子阱结构超辐射发光二极管,研究了TE模和TM模在器件中的模式增益,分析了影响增益偏振性的因素,在此基础上通过改变有源层量子阱的应变类型、应变量以及层数来达到高增益和偏振不敏感性。最后按设计工艺流程生长了芯片,实验结果表明,所设计的SLD芯片单管输出功率在100mA驱动电流下可达3.5mW,出射光谱FWHM约为40nm,20nm波长范围内偏振度为0.3dB,具有较理想的大功率、宽光谱、低偏振度特性。
刘科宋爱民田坤廖柯
关键词:超辐射发光二极管
基于内置光栅的大功率激光二极管被引量:1
2015年
研制了一种用作光纤激光器泵浦光源内置光栅的976nm激光二极管,分析了外延结构和芯片平面结构设计,并着重对内置光栅进行了理论分析和设计,通过技术研究和工艺优化,研制出了满足系统工程应用的激光二极管,其主要光电性能参数如下:中心波长为976±1nm;光谱半宽小于等于1nm;中心波长温度漂移系数小于等于0.1nm/℃;输出功率大于等于10W;发光条宽度小于等于100μm。
廖柯刘刚明周勇段利华冯琛田坤
关键词:大功率激光二极管中心波长
ICP刻蚀技术在808nm激光器中的应用被引量:1
2007年
主要分析了不同工艺参数对于刻蚀图形的影响,包括刻蚀侧壁角度,刻蚀表面平整度,选择比,侧向钻蚀等几个方面,及ICP刻蚀对激光器性能的影响,通过对翔蚀图形的控制,使2寸片内均匀性〈±5%,侧壁角达到79°~81°。
廖柯王致远
关键词:ICP选择比刻蚀损伤
1310nm大功率高偏振度量子阱超辐射发光二极管被引量:2
2021年
设计并制备了一种斜条脊波导结构压应变高偏振度多量子阱超辐射发光二极管。设计的脊波导出光面TiO_(2)/SiO_(2)四层宽带增透膜的TE模式反射率约为10-6,分析了脊波导角度偏差和膜层厚度偏差对增透膜反射率的影响。实验结果表明,在250mA直流电流驱动下,所设计的超辐射发光二极管芯片单管输出功率可达22.7mW,出射光谱FWHM约为37.3nm,光谱纹波系数低于0.15dB,TE模式输出光强占主导,偏振度约为19.2dB。
周帅许瑨田坤张靖庞福滨刘尚军任涛廖柯
关键词:超辐射发光二极管增透膜偏振度
短波长光源非平面器件结构研究
2003年
对非平面器件的波导模式进行了理论分析,并在此基础上设计了器件结构,采用LPE的方法进行了器件的生长研究,研制出的p型衬底选择生长型沟道条形结构激光器,其峰值波长为0.832~0.841μm,光谱半宽小于等于3nm,单模尾纤输出功率大于1.8mW。
廖柯王勇
超辐射发光二极管抗反射膜的设计被引量:1
2005年
分析了设计超辐射发光二极管抗反射膜的光导纳法,介绍了有效折射率的概念。选用TiO2和SiO2两种材料给出了中心波长为850 nm时的设计实例。结果表明设计时要考虑有效折射率,才能获得好的性能。
张一文王品红廖柯
关键词:超辐射发光二极管抗反射膜有效折射率
850nm超辐射发光二极管被引量:4
2004年
 设计并制作了一种用于中低精度光纤陀螺系统的850nm超辐射发光二极管,对器件的波导模式进行了分析,给出了主要技术参数的设计和测试结果。实验结果表明,器件的波长为852.8nm,光谱半宽为26nm,100mA工作电流下,管芯输出功率大于4.5mW,保偏光纤输出功率大于200μW。
廖柯刘刚明周勇方荇李金良
关键词:超辐射发光二极管保偏光纤光纤陀螺波导模式
异质集成微波光子器件发展现状被引量:3
2018年
微波光子学利用光子技术实现微波信号的产生、传输、处理及控制,可突破传统微波技术在带宽、传输损耗和抗电磁干扰等方面的瓶颈,提升雷达、电子战等信息系统的综合性能。激光器、电光调制器和光电探测器是微波光子技术中的三种核心光电子器件,其性能对微波光子链路的噪声和动态等指标具有决定性的影响,但基于分立器件的微波光子系统体积、重量较大,难以满足雷达、电子战等系统的阵列化需求,硅基异质集成技术以及高密度低损耗片上光传输互连技术是解决有源器件集成和无源器件集成的关键技术。文章介绍了用于微波光子的硅基激光器、电光调制器、光电探测器和波导的异质集成技术的发展现状,并探讨了集成微波光子技术的发展趋势。
王振廖柯瞿鹏飞
关键词:微波光子学激光器电光调制器光电探测器波导
共2页<12>
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