王锐
- 作品数：8 被引量：36H指数：4
- 供职机构：重庆邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 物联网检测服务平台
- 李沿飞王平袁静王锐严冬罗志勇曹智王大军吕霞付罗萍仇国庆向敏于灵王颋罗浩田晔非付蔚陈家佳
- 成果包括申请发明专利1项(专利名称：基于分布式6LoWPAN协议一致性测试装置及方法，专利号：20121078357.X)；牵头并参与制订国家标准四项《传感器网络标识解析和管理规范》、《传感器网络测试低速无线传感器网络网...
- 关键词：
- 关键词：测试装置
- 808nm准连续半导体激光器及其阵列的研究被引量：4
- 2005年
- 介绍了808nm准连续半导体激光器及其阵列的腔面镀膜技术,影响激光器波长的因素,封装技术以及输出光的 光纤耦合方式。给出了808nm准连续半导体激光器及其阵列现状和发展趋势。
- 唐婷婷王锐廖柯
- 关键词：镀膜封装技术光纤耦合
- 矿物绝缘油中噻吩类非活性硫诱发绕组腐蚀的反应机理
- 2024年
- 矿物绝缘油中腐蚀活性较强的硫化物已被证实会诱发油浸式电力设备绝缘故障,在绝缘油精炼过程中会被去除。部分非活性硫因其高效抗氧化性保留于矿物绝缘油中以提高油品的氧化安定性。然而,非活性硫在油浸式电力设备运行条件下的活化问题及其对绝缘性能造成的影响并未得到关注。文中针对矿物绝缘油中的典型非活性硫(噻吩类硫化物),聚焦油纸绝缘中非活性硫诱发绕组腐蚀的反应机理,采用材料物相分析方法探究噻吩类硫化物的热裂解产物,结合热裂解动力学分析方法,分析噻吩类硫化物在不同升温速率下的活化能变化规律,并开展噻吩类硫化物在油纸绝缘热老化作用下的试验研究。热裂解气相色谱、质谱以及热裂解傅里叶红外光谱结果表明,噻吩类硫化物(噻吩、苯并噻吩、二苯并噻吩)在热裂解过程中的主要活化产物为具有极强腐蚀性与挥发性的H 2 S。不同热裂解升温速率下,噻吩类硫化物的失重率规律基本一致,其中噻吩最容易发生热裂解,其次是苯并噻吩,最后为二苯并噻吩。在油纸绝缘低温过热条件下,由于体系能量的不断积累,会导致噻吩类硫化物发生活化进而生成低分子强腐蚀性硫化物,加剧油品腐蚀性,最终导致油纸绝缘发生硫腐蚀。
- 高思航黄聪王锐韦昊罗小婷何维晟
- 关键词：矿物绝缘油噻吩类硫化物活化机理热裂解硫腐蚀
- 用于PWM控制DC-DC变换器的电流检测电路被引量：6
- 2006年
- 设计实现了一种用于单片集成脉宽调制方式控制直流一直流变换器的电流检测电路。通过功率管并联工作在线性区的晶体管的方法检测流过功率管或电感的电流,使其具有高精度、低功耗的特点。基于0．6μm BCD工艺,利用Hspice对所设计电路进行仿真。仿真结果显示,当电源电压为3V、功率管开关频率1MHz时,该电流检测电路检测精度为96．98%,功耗仅为0．112mW。
- 王锐周泽坤张波
- 关键词：电流检测脉宽调制直流-直流变换器
- 一种自适应斜坡补偿电路被引量：11
- 2007年
- 基于CMOS工艺设计了一种能够自动调节补偿斜率的斜坡补偿电路。该电路可以跟随输入和输出信号的变化,相应地给出适当的斜坡补偿量,不仅使得峰值电流模式BOOST变换器可以稳定工作,而且可以避免补偿不当的现象,保证变换器有足够快的瞬态响应。仿真结果表明该电路产生的斜坡补偿信号的精度可以达到83%以上。
- 周泽坤王锐张波
- 关键词：斜坡补偿
- 808nm激光器端面镀膜技术被引量：4
- 2006年
- 通过对AlGaAs/GaAs 808 nm半导体激光器谐振腔的前后端面分别蒸镀Ta2O5/SiO2膜系高反膜和Al2O3单层增透膜,使得前后端面的反射率分别达到11%和98.42%。器件在同一驱动电流下镀膜后的输出功率比镀膜前增加了一倍多,同时镀膜还有效地保护了端面,延长了器件工作寿命。
- 唐婷婷王锐刘刚明廖柯
- 关键词：高反膜增透膜反射率输出功率
- 新型单片集成电流模式脉宽调制升压型直流-直流变换器的设计和研究
- 电源是电子类产品的重要组成部分。随着手机、数码相机、笔记本电脑等便携式电子产品的普及，高效率、小体积、低成本的电源管理芯片成为了模拟集成电路设计的新热点。本论文设计的单片集成升压型直流－直流变换器既可以满足市场的需求，又...
- 王锐
- 关键词：直流-直流变换器脉宽调制电流模式软启动
- 文献传递
- 一种BiCMOS欠压保护电路的设计被引量：11
- 2006年
- 基于0.6μmBiCMOS工艺,设计实现了一种欠压保护电路。该电路结构简单,避免使用电压基准和比较器等辅助模块,工艺实现容易,可用于功率集成电路或单片集成电源。仿真结果表明,该电路能在欠压时输出逻辑信号,且有迟滞功能。
- 王锐唐婷婷
- 关键词：欠压保护功率集成电路BICMOS
