刘召军
- 作品数：9 被引量：28H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 柔性晶体管阵列
- 2005年
- 现在市场上出现了柔性晶体管阵列并且前景诱人,但是在柔性阵列技术进入主流市场之前还要克服不少困难。
- Peter SmithDavid AlleeCurt MoyerDouglas Loy刘召军
- 关键词：有源矩阵非晶硅TFT
- 自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管被引量：3
- 2008年
- 以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅.以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶体管研究.制备的p型TFT器件具有良好的特性,可有效地减小漏电流,同时具有很好的均匀性和稳定性.
- 刘召军孟志国赵淑云王文郭海成吴春亚熊绍珍
- 关键词：金属诱导横向晶化多晶硅薄膜退火处理
- 新型镍源milc多晶硅材料及其poly-si tft技术研究
- 现在市场上应用于有源矩阵液晶显示技术的驱动基板主要采用的是非晶硅(a-si)薄膜晶体管(tft)，其主要原因是非晶硅薄膜晶体管的制备技术相对简单，易于大面积化，成本低，其性能亦可满足像素电路的要求。但未来市场需要更高分辨...
- 刘召军
- 关键词：多晶硅液晶显示像素电路
- 文献传递网络资源链接
- 拼接投影的边缘融合处理问题被引量：8
- 2007年
- 介绍了投影拼接显示系统中的关键技术——边缘融合处理技术。设计了一个为实现拼接的显示控制电路的示例:将一个高分辨率的图像分为两个分图像,按两部分在边缘交叠的方式分别投影。在投影之前,先对相重叠部分的图像信号按线性函数关系进行淡入淡出的边缘融合处理,叠加后在重叠部分则可有助于消除重叠痕迹。在文章最后,给出了经这种处理后边缘处淡入淡出的图例及实测结果。
- 高国保柴海峰郝大收李学东杭力刘召军吴春亚孟志国熊绍珍
- 关键词：无缝拼接DLP
- 化学Ni源的金属诱导晶化多晶硅研究
- 用无电电镀的方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍...
- 赵淑云吴春亚刘召军李学东王中孟志国熊绍珍张丽珠
- 关键词：非晶硅薄膜多晶硅金属诱导
- 文献传递
- 大屏幕投影拼接系统的设计被引量：6
- 2007年
- 设计了一个可实现无缝拼接系统的研究示例:将一个高分辨率的图像分为两个分图像,按两部分在边缘交叠的方式分别投影。在投影之前,选用简单的线性函数关系,对待重叠部分进行了淡入淡出的处理,经这样叠加后重叠部分的重叠痕迹可适当消除。但鉴于像素信号与亮度之间还应满足伽马(Gamma)关系,故在处理过程中同时进行了Gamma校正的设计。研究过程中,考虑到不同成像终端之间,在色度表征方式以及Gamma校正已有自身规则,可方便转换,文章从简化研究出发,首次采用当前计算机监视器的液晶屏为投影成像的终端,研究它的融合结果,并实测融合图像部分的光强,以检查融合的实际效果。发现采用简单的线性函数并选择2.15的Gamma校正值,较之未作伽马校正前的,能改善融合区与未处理区的亮度差异达两个量级。最后给出了经这样处理后在液晶显示屏上获得较为良好的拼接效果。
- 柴海峰高国保郝大收李学东王中杭力刘召军孙鹏飞吴春亚孟志国熊绍珍
- 关键词：数字光处理无缝拼接GAMMA校正
- 大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究被引量：8
- 2006年
- 用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT,获得了良好的器件特性.
- 赵淑云吴春亚刘召军李学冬王中孟志国熊绍珍张芳
- 关键词：金属诱导晶化多晶硅薄膜晶体管
- 用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜被引量：2
- 2010年
- 采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.
- 刘召军孟志国赵淑云郭海成吴春亚熊绍珍
- 关键词：金属诱导横向晶化多晶硅薄膜
- 电子束低温蒸发ITO膜增透、增反特性研究被引量：2
- 2006年
- 本实验是在低温条件下,采用电子束蒸发制备ITO透明导电薄膜,通过监测电阻来控制薄膜的厚度,通过控制薄膜厚度研究了增透和增反两种效果的ITO膜的制备及膜的光学特性。当膜厚达170 nm和83 nm时透过率和反射率可达95%和6%。
- 齐龙茵张德贤何俊峰崔光龙赵飞刘召军李胜林
- 关键词：ITO增透柔性衬底电子束蒸发
