吴春亚
- 作品数：124 被引量：252H指数：9
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- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 金属单向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管
- 2006年
- 对采用金属诱导单一方向横向晶化(metalinducedunilaterallycrystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础.
- 孟志国王文吴春亚李娟郭海成熊绍珍张芳
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管
- 浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
- 本发明涉及浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用。它是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径...
- 孟志国吴春亚熊绍珍赵淑云
- 文献传递
- 微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究被引量：9
- 2004年
- 本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出
- 张晓丹赵颖朱锋魏长春吴春亚高艳涛高艳涛孙建侯国付耿新华
- 关键词：微晶硅薄膜VHF-PECVDAFM不均匀性RAMAN光谱晶化
- 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的LCD列驱动方法及电路产品
- 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的LCD列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有3m个TFT开关自左向右构成n组，同一像素的三个子像素所连的TFT在同一组，将每组含有的3m/n个TFT的栅极相连，对外有n条控制线与控制电...
- 孟志国杭力吴春亚熊绍珍李娟
- 文献传递
- 倒置有机发光器件研究及其有源选址矩阵探索
- 熊绍珍吴春亚周祯华郝云陈有素郭斌杨广华杨恢东李娟王文
- 对正常结构的有机发光器件进行了测试和分析，获到影响OLED器件参数的因素，借以指导倒置器件研制的合适工艺条件：鉴于倒置型OLED的阳极ITO作在器件的最后道工序，而溅射法制备ITO会破坏有机发光层的特性，为此对溅射时有机...
- 关键词：
- 关键词：有机发光器件
- 电流镜型TFT－OLED显示像素单元电路及制备方法
- 本发明公开了一种电流镜型TFT－OLED显示像素单元电路，包括有：四个多晶硅TFT管T1、T2、T3、T4、一个有机发光二极管OLED、一个电容Cs，该T3、T4管完全对称，由T3、T4构成一个电流镜，T1、T2作为开关...
- 孟志国孙鹏飞李娟吴春亚熊绍珍
- 文献传递
- PSG动态镍吸除技术
- 孟志国王文郭海城熊绍珍吴春亚
- 该技术在碟形晶粒形成并长大到一定程度、尚未对撞上的时候，在薄膜上沉积700nm的PSG，再加590℃ 3小时的退火过程，使多晶硅中的镍能有利于被PSG吸除。该技术采用先部分晶化后、再边吸除边晶化的两步法实现残余镍的吸除，...
- 关键词：
- 弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响
- 本文对甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF—PECVD）技术制备氢化微晶硅薄膜（μc-Si:H）的弱硼掺杂补偿特性进行了研究。实验发现:随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si:H薄膜的沉积速率先缓慢减小,然后再缓慢增加,变...
- 杨恢东黄君凯吴春亚熊绍珍耿新华
- 关键词：氢化微晶硅薄膜
- 电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计被引量：4
- 2004年
- 模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)有源矩阵有机发光二极管(AM LOED)像素单元的poly SiTFT/OLED耦合对的J V特性和poly SiTFT电流镜的I V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly SiTFTAM OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly SiTFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly SiTFT/OLED耦合对的驱动电压低,在200A/m2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0.0～2.5μA时饱和电压只有1.5～2.5V。
- 郭斌吴春亚孟志国林立杨广华李娟周祯华熊绍珍
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管有源矩阵电流镜AM-OLED
- 单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算被引量：1
- 1999年
- 本文采用集团模型和推广的Ｈüｃｋｅｌ分子轨道理论（ＥＨＭＯ）计算了ｃ－Ｓｉ中Ｅｒ点缺陷及Ｅｒ－Ｏ复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果。
- 薛俊明刘志钢孙钟林赵颖吴春亚李桂华周伟
- 关键词：铒
