熊绍珍
- 作品数：308 被引量：520H指数：13
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学动力工程及工程热物理更多>>
- 金属单向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管
- 2006年
- 对采用金属诱导单一方向横向晶化(metalinducedunilaterallycrystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础.
- 孟志国王文吴春亚李娟郭海成熊绍珍张芳
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管
- 提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究被引量：13
- 2006年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析.
- 张晓丹赵颖高艳涛陈飞朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：气体流量
- 新型投影融合拼接控制器的设计与实现被引量：1
- 2008年
- 设计了一个全数字硬件架构的投影图像边缘融合处理器。该处理器有别于目前业界已有基于计算机体系构架的传统控制器,以FPGA为中心、配以相关IC芯片,精选融和函数的设计,再结合硬件描述语言将图像的边缘作淡入淡出处理。在处理中将每幅投影单元图像融合区的亮度变化抽象成相应的融合曲线,通过引入适当的融合函数和根据显示终端的电光特性予以伽马校正,并提出根据实际投影效果实时调整的融合方案。文章最后给出了实现高质量无缝拼接的实例结果。
- 孙鹏飞柴海峰李娟孟志国张丽珠熊绍珍
- 关键词：伽马校正
- 浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
- 本发明涉及浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用。它是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径...
- 孟志国吴春亚熊绍珍赵淑云
- 文献传递
- 锐钛矿相TiO_2纳米管的制备及其染料敏化太阳电池被引量：14
- 2008年
- 以商用金红石相TiO2粉末为原料,通过在碱性溶液中150℃水热48 h的方法合成TiO2纳米管.采用SEM,TEM,XRD分析手段对TiO2纳米管的形貌和结构演变进行了表征.制成的TiO2纳米管与TritonX-100,乙酰丙酮混合后,通过丝网印刷的方法涂敷到ITO导电玻璃衬底上,并且在450℃下烧结30 min后得到可应用于染料敏化太阳电池的多孔光阳极.将此光阳极浸泡于N719染料敏化后,与镀铂对电极组装电池,两者之间灌入液态电解质,电池的有效面积为0.28 cm2.在标准氙灯模拟器下(AM1.5,100 mW/cm2)测试了电池的J-V特性,得到2.17%的光电转换效率.
- 张苑赵颖蔡宁熊绍珍
- 关键词：TIO2纳米管染料敏化太阳电池水热法
- 有关薄膜叠层太阳电池中光利用设计的几点思考
- 从拓展光利用的角度,绒面陷光结构已经成为提高太阳电池效率的最佳方式之一。本文提出可以进行光管理的另一个思路,即利用分布式布拉格反射（DBR）结构,具有可以有选择性地提高反射率的概念,构建类"微腔"式结构,进行电池内光谱合...
- 赵颖王烁陈培专张晓丹蔡宁熊绍珍
- 文献传递
- SnO<Sub>2</Sub>为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种SnO<Sub>2</Sub>为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述透明导电薄膜为非晶硅碳、非晶硅氧，所述在SnO<Sub>2</Sub>衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法为等离子体增强化...
- 张晓丹赵颖熊绍珍耿新华
- 文献传递
- 微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究被引量：9
- 2004年
- 本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出
- 张晓丹赵颖朱锋魏长春吴春亚高艳涛高艳涛孙建侯国付耿新华
- 关键词：微晶硅薄膜VHF-PECVDAFM不均匀性RAMAN光谱晶化
- 二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染被引量：7
- 2005年
- 运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况 .结果发现 :薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变 .制备的微晶硅薄膜 ,晶化程度越高薄膜中的氧含量相对越多 .另外 ,不同本底真空中的氧污染实验结果表明 :微晶硅材料中的氧含量与本底真空有很大的关系 ,因此要制备高质量的微晶硅材料 ,高的本底真空是必要条件 .
- 张晓丹赵颖朱锋魏长春麦耀华高艳涛高艳涛孙建耿新华
- 关键词：二次离子质谱微晶硅薄膜
- 弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响
- 本文对甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF—PECVD）技术制备氢化微晶硅薄膜（μc-Si:H）的弱硼掺杂补偿特性进行了研究。实验发现:随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si:H薄膜的沉积速率先缓慢减小,然后再缓慢增加,变...
- 杨恢东黄君凯吴春亚熊绍珍耿新华
- 关键词：氢化微晶硅薄膜
