耿新华
- 作品数：397 被引量：733H指数：14
- 供职机构：南开大学更多>>
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- 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- 梯度氢稀释法制备微晶硅n-i-p太阳电池的研究被引量：1
- 2009年
- 采用高压RF-PECVD技术,研究了恒定氢稀释法和梯度氢稀释法对本征微晶硅薄膜纵向结构和n-i-p微晶硅太阳电池性能的影响.结果表明,采用梯度氢稀释法能够调控本征微晶硅薄膜的纵向晶化率分布和晶粒尺寸,使电池性能得到大幅度提高,获得转换效率为5.7%(Voc=0.47V,Jsc=20.2mA/cm2,FF=60%)的单结微晶硅太阳电池及转换效率为10.12%(Voc=1.2V,Jsc=12.05mA/cm2,FF=70%)的叠层太阳电池.
- 袁育杰侯国付张建军薛俊明曹丽冉赵颖耿新华
- 关键词：微晶硅
- 本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池及其制备方法
- 一种本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征层I、N<Sup>+</Sup>层、背反射电极和金属电极，本征层I为微晶硅锗薄膜；该微晶硅锗薄膜的制备方法包括下述步骤：1)将带有透...
- 张建军张丽平倪牮曹宇王先宝赵颖耿新华
- 文献传递
- 具有类金字塔结构的绒面ZnO薄膜的制备方法
- 一种具有类金字塔结构的绒面ZnO薄膜的制备方法。本发明以醋酸锌作为Zn源，硝酸铟或醋酸铟作为掺杂铟源，硝酸铝或醋酸铝作为掺杂铝源，硝酸镓或醋酸镓作为掺杂镓源，以无水乙醇和/或水作为溶剂，分别配置成一定浓度的锌源溶液和掺杂...
- 张晓丹赵颖焦宝臣魏长春耿新华熊绍珍
- 文献传递
- 非晶硅太阳能电池载流子收集长度的自动测量
- 1990年
- 提出用光生电流偏压关系拟合非晶硅pin太阳能电池光态I-V特性曲线,测量光生(?)流子收集长度的模型.用计算机自动测量与分析处理系统采样,采用Marquardt数字计算拟合法对实测I-V值进行拟合验证,实验结果证明该模型拟合结果良好.用不同模型对同组数据进行拟合比较,对各模型拟合误差进行了讨论,本文的模型拟合误差较小,参数自动拟合调整较大,数据重复性、可靠性好,能反映实际使用条件下电池的特性.
- 熊绍珍耿新华周启明王玉冰孟志国孙仲林徐温元
- 关键词：非晶硅太阳能电池载流子
- 溅射法生长高迁移率绒面结构IMO/ZnO复合薄膜及太阳电池应用
- 一种磁控溅射技术生长新型高迁移率绒面结构IMO/ZnO透明导电薄膜及太阳电池应用的方法。此种技术生长IMO/ZnO薄膜分两个阶段进行。首先，利用溅射技术玻璃衬底上生长高迁移率IMO(即Mo掺杂In<Sub>2</Sub>...
- 陈新亮耿新华薛俊明张建军赵颖
- 文献传递
- 衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响被引量：4
- 2012年
- 采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(WZO)透明导电氧化物薄膜并研究了衬底温度对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向,且适当的衬底温度是制备优质WZO薄膜的关键因素.随着衬底温度升高,薄膜表面粗糙度先增大后减小;衬底温度较高时,薄膜的结构致密,结晶质量好,电子迁移率高.当衬底温度为325℃时,WZO薄膜获得最低电阻率9.25×10^(-3)Ω·cm,方块电阻为56.24Ω/□,迁移率为11.8 cm^2 V^(-1)·s^(-1),其在可见光及近红外区域(400—1500 nm)范围的平均透过率达到85.7%.
- 张翅陈新亮王斐闫聪博黄茜赵颖张晓丹耿新华
- 关键词：反应磁控溅射ZNO薄膜衬底温度
- 高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料(英文)
- 2005年
- 本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果。实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变。通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料。将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能。
- 侯国付郭群超王岩薛俊明任慧志宋建张晓丹赵颖耿新华李以钢
- 关键词：微晶硅太阳电池
- 一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的物理气相沉积设备
- 本发明公开了一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的物理气相沉积设备，该设备可以对样品进行大面积的镀膜，提高镀膜的效率，以适应大面积产业化的实验需求，并且可以控制薄膜的具体生长过程，操作简洁且可靠稳定，可以明显提高硅薄膜太阳电池...
- 薛俊明陈新亮李林娜耿新华赵颖
- 文献传递
- IWO缓冲层对磁控溅射生长绒面HGZO薄膜性能的影响
- 2012年
- 研究了W掺In2O3(IWO)缓冲层(buffer layer)对磁控溅射直接生长绒面结构H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。实验发现,加入IWO缓冲层能够有效地增大薄膜表面粗糙度,提高了薄膜光散射能力,薄膜绒度(550nm波长处)由7.05%提高至18.37%;具有IWO缓冲层的HGZO(IWO/HGZO)薄膜的电学性能稍微提升。通过优化工艺条件,当IWO缓冲层厚为10nm时,生长获得的IWO/HGZO复合薄膜方块电阻为3.6Ω,电阻率为6.21×10-4Ωcm,可见光及近红外区域透过率(400～1 100nm)为82.18%,薄膜绒度(550nm波长处)为18.37%。
- 王斐陈新亮张翅黄茜张德坤孙建魏长春张晓丹赵颖耿新华
- 关键词：磁控溅射薄膜太阳能电池
- 高速沉积高效微晶硅太阳电池的研究
- 微晶硅太阳电池是硅基薄膜太阳电池的新一代技术。如何提高微晶硅太阳电池的沉积速率是降低其制造成本的关键技术。本文研究了提高微晶硅薄膜沉积速率的方法,并研究了在高速沉积条件下影响微晶硅薄膜质量、进而影响电池性能的关键因素,提...
- 耿新华侯国付张晓丹韩晓艳郭群超高艳涛薛俊明魏长春孙建陈新亮张德坤赵颖
- 文献传递
