薛俊明
- 作品数：158 被引量：366H指数：12
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划天津市科技发展战略研究计划项目天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- 梯度氢稀释法制备微晶硅n-i-p太阳电池的研究被引量：1
- 2009年
- 采用高压RF-PECVD技术,研究了恒定氢稀释法和梯度氢稀释法对本征微晶硅薄膜纵向结构和n-i-p微晶硅太阳电池性能的影响.结果表明,采用梯度氢稀释法能够调控本征微晶硅薄膜的纵向晶化率分布和晶粒尺寸,使电池性能得到大幅度提高,获得转换效率为5.7%(Voc=0.47V,Jsc=20.2mA/cm2,FF=60%)的单结微晶硅太阳电池及转换效率为10.12%(Voc=1.2V,Jsc=12.05mA/cm2,FF=70%)的叠层太阳电池.
- 袁育杰侯国付张建军薛俊明曹丽冉赵颖耿新华
- 关键词：微晶硅
- 溅射法生长高迁移率绒面结构IMO/ZnO复合薄膜及太阳电池应用
- 一种磁控溅射技术生长新型高迁移率绒面结构IMO/ZnO透明导电薄膜及太阳电池应用的方法。此种技术生长IMO/ZnO薄膜分两个阶段进行。首先，利用溅射技术玻璃衬底上生长高迁移率IMO(即Mo掺杂In<Sub>2</Sub>...
- 陈新亮耿新华薛俊明张建军赵颖
- 文献传递
- 高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料(英文)
- 2005年
- 本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果。实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变。通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料。将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能。
- 侯国付郭群超王岩薛俊明任慧志宋建张晓丹赵颖耿新华李以钢
- 关键词：微晶硅太阳电池
- 一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的物理气相沉积设备
- 本发明公开了一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的物理气相沉积设备，该设备可以对样品进行大面积的镀膜，提高镀膜的效率，以适应大面积产业化的实验需求，并且可以控制薄膜的具体生长过程，操作简洁且可靠稳定，可以明显提高硅薄膜太阳电池...
- 薛俊明陈新亮李林娜耿新华赵颖
- 文献传递
- 高速沉积高效微晶硅太阳电池的研究
- 微晶硅太阳电池是硅基薄膜太阳电池的新一代技术。如何提高微晶硅太阳电池的沉积速率是降低其制造成本的关键技术。本文研究了提高微晶硅薄膜沉积速率的方法,并研究了在高速沉积条件下影响微晶硅薄膜质量、进而影响电池性能的关键因素,提...
- 耿新华侯国付张晓丹韩晓艳郭群超高艳涛薛俊明魏长春孙建陈新亮张德坤赵颖
- 文献传递
- 一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室电极
- 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室电极。它包括功率电极板和功率馈入端口，所述功率电极板在功率电极面与功率电极馈入端口之间，设有电极槽。应用本发明的这种电极可获得具有均匀电场的大面积VHF-PE...
- 赵颖张晓丹葛洪任慧志许盛之张建军薛俊明魏长春侯国付耿新华熊绍珍
- 文献传递
- NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究被引量：9
- 2007年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-SiH)/I(a-SiH)/P(cryst-SiH)/ITO/Al。为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法。通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5min,N层沉积12min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%。通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
- 王锐薛俊明俞远高侯国付李林娜孙建张德坤杨瑞霞赵颖耿新华
- 关键词：太阳能电池
- 单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算被引量：1
- 1999年
- 本文采用集团模型和推广的Ｈüｃｋｅｌ分子轨道理论（ＥＨＭＯ）计算了ｃ－Ｓｉ中Ｅｒ点缺陷及Ｅｒ－Ｏ复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果。
- 薛俊明刘志钢孙钟林赵颖吴春亚李桂华周伟
- 关键词：铒
- 采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料被引量：10
- 2007年
- 本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果。重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响。通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗电导率依然达到1.81S/cm,激活能达25meV,晶化率为57%。文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析。
- 侯国付薛俊明袁育杰张德坤孙建张建军赵颖耿新华
- 关键词：太阳电池
- VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析被引量：8
- 2005年
- 本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多。而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为 31%。
- 张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春魏长春孙建侯国付薛俊明张德坤任慧志耿新华
- 关键词：硅薄膜VHF-PECVD有源层晶向电学特性度条件
