赵淑云
- 作品数：27 被引量：34H指数：4
- 供职机构：香港科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用
- 本发明涉及一种溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用。以非晶硅为初始材料，通过浸沾含有金属离子的溶液诱导产生大晶粒多晶硅。将盐或碱溶于酒精、水或其他溶液，从溶液中取出的非晶硅薄膜表面上会形成一层均匀的液膜。经...
- 吴春亚孟志国熊绍珍赵淑云
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- 化学源金属诱导多晶硅研究
- 本文报道了用化学源的硅基薄膜金属诱导晶化的试验结果.对于用不同方法沉积得到的非晶硅膜,都能予以晶化.当用不同浓度化学源的金属诱导,晶化效果也存在一定差别.退火气氛亦会对晶化结果产生某些影响.最后对物理源与化学源作诱导金属...
- 赵淑云吴春亚李娟刘建平孟志国熊绍珍
- 关键词：金属诱导多晶硅半导体薄膜
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- 搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管被引量：1
- 2013年
- 提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且器件的热载流子和自加热可靠性也得到了极大的改善。
- 郭海成周玮陈荣盛赵淑云张猛王文陈树明周南云
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管
- 浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
- 本发明涉及浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用。它是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径...
- 孟志国吴春亚熊绍珍赵淑云
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- 化学Ni源的金属诱导晶化多晶硅研究
- 用无电电镀的方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍...
- 赵淑云吴春亚刘召军李学东王中孟志国熊绍珍张丽珠
- 关键词：非晶硅薄膜多晶硅金属诱导
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- 大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究被引量：8
- 2006年
- 用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT,获得了良好的器件特性.
- 赵淑云吴春亚刘召军李学冬王中孟志国熊绍珍张芳
- 关键词：金属诱导晶化多晶硅薄膜晶体管
- 具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜晶体管
- 一种低温多晶硅器件和使其具有优异性能的制造技术。采用我们称为搭桥晶粒结构(BG)的掺杂多晶硅线，本征或轻掺杂的沟道被分成多个区域。覆盖包括所述掺杂的线的整个有源沟道的单个栅仍旧被用来控制电流。将该BG多晶硅用作有源层并且...
- 郭海成王文孟志国赵淑云
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- 基于溶液法的规则排列连续晶畴的金属诱导多晶硅薄膜及薄膜晶体管(英文)被引量：1
- 2010年
- 介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术。该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合。以定位孔为晶化的起始点,晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充。这样可以大大降低晶核定位孔中的初始镍量,使整个多晶硅薄膜中不存在明显的高镍含量区。即包括晶核定位孔、镍源补充孔在内的整个多晶硅薄膜区域内,能形成连续晶畴的多晶硅薄膜,都可作为高质量TFT的有源层。根据晶核定位孔分布形式的不同,可以设计成规则、重复的分布形式,获得正六边形的蜂巢晶体薄膜和准平行晶带晶体薄膜。这些规则形成的晶畴形状与尺寸相同,可准确地控制晶化的过程,具有晶化时间的高可控性和工艺过程的高稳定性,故而适合于工业化生产的要求。利用些技术,当温度为590 ℃时,可将晶化时间缩短至2 h之内。用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为～55 cm2/V.s ,亚阈值斜摆幅为0 .6 V/dec ,开关电流比为～1×107,开启电压为-3 V。
- 赵淑云孟志国王文郭海成
- 关键词：金属诱导晶化薄膜晶体管低温多晶硅
- 微晶硅材料及其薄膜晶体管的研究(英文)
- 2008年
- 本文在微晶硅材料性能研究的基础上制备了微晶硅薄膜晶体管(TFT)。发现微晶硅的柱状生长模式会导致其结构和电学性能的不均匀性。由于材料的柱状生长模式使得其晶化百分比、晶粒尺寸和暗电导受到薄膜厚度的调制。平行于衬底和垂直于衬底方向的电导率随着材料沉积条件的变化呈现出不同的变化规律,后者始终保持在10-6s/cm^10-5s/cm量级。确定了用于TFT有源层的微晶硅薄膜沉积条件中的硅烷浓度应高于2%,晶化百分比应为40%~50%左右。制备的微晶硅TFT器件具有良好的稳定性,开态电流的衰退和阈值电压的漂移分别为25%和1V,进而还发现了一种新颖的自恢复现象。
- 李娟李阳吴春亚孟志国赵淑云熊绍珍张丽珠
- 关键词：微晶硅薄膜晶体管
- 微晶硅TFT反常的不稳定行为
- 本文在一种有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅TFT内,测试其应力衰退特性时,观察到某种'自恢复'的衰退现象.即当栅和源漏同时施加偏压应力时,测试其源漏电流随时间的变化,则发现电流先衰减、而后又开始恢复上升的反常现象.而当采...
- 吴春亚李娟赵淑云刘建平孟志国熊绍珍
- 关键词：薄膜晶体管稳定性分析微晶硅
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