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万尾甜

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：河北工业大学更多>>
发文基金：天津市自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇折叠
  • 1篇纳米
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇LED

机构

  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇唐成春
  • 1篇张书明
  • 1篇郝秋艳
  • 1篇万尾甜
  • 1篇赵德刚
  • 1篇陈贵锋
  • 1篇刘宗顺
  • 1篇朱建军
  • 1篇沈俊
  • 1篇谭小动

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米折叠InGaN／GaNLED材料生长及器件特性被引量：5
2011年
在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀性.用该外延片制作的LED的电致发光谱,随注入电流增加没有明显蓝移,这表明纳米结构能更好地释放应力,纳米柱上外延生长的多量子阱,具有较低的压电极化电场.正向工作电流20mA时,LED器件的工作电压为4.6V.
陈贵锋谭小动万尾甜沈俊郝秋艳唐成春朱建军刘宗顺赵德刚张书明
关键词：光致发光电致发光
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共1页<1>
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