您的位置： 专家智库 > >

宋洵奕

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇电路
  • 4篇电源
  • 4篇开关电源
  • 3篇电流
  • 3篇电压
  • 3篇电源技术
  • 3篇晶体管
  • 3篇开关电源技术
  • 3篇半导体
  • 3篇保护电路
  • 3篇槽栅
  • 2篇电流模式
  • 2篇电流模式控制
  • 2篇电路参数
  • 2篇电路工作
  • 2篇电压控制
  • 2篇电压控制模式
  • 2篇电阻
  • 2篇性能表征
  • 2篇双极型

机构

  • 17篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 17篇宋洵奕
  • 15篇李泽宏
  • 9篇张金平
  • 8篇任敏
  • 8篇宋文龙
  • 8篇吴明进
  • 5篇刘广涛
  • 4篇张仁辉
  • 3篇曾智
  • 3篇杨文韬
  • 3篇单亚东
  • 2篇张波
  • 2篇刘建
  • 2篇肖栩
  • 1篇李果
  • 1篇宁润涛
  • 1篇张蒙
  • 1篇张鹏
  • 1篇陈钱
  • 1篇王娜

传媒

  • 2篇2013‘全...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 12篇2013
共 17 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
具有肖特基接触终端的快恢复二极管
具有肖特基接触终端的快恢复二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统快恢复二极管的基础上，将等位环接触金属改为肖特基接触金属，减小了过渡区处的注入效率，优化了终端部分载流子分布，减小了关断损耗，提高了反向恢复过程中...
李泽宏杨文韬宋洵奕宋文龙张金平任敏
文献传递
一种结型场效应晶体管的制造方法
一种结型场效应晶体管的制作方法，属于半导体器件领域。传统结型场效应晶体管的制作工艺中，栅源隔离氧化层由于作为扩散工艺的掩蔽层，制作过程中会在隔离氧化层里面引入许多杂质以及缺陷，会降低结型场效应晶体管的抗总剂量辐照效应能力...
李泽宏宋文龙邹有彪宋洵奕吴明进张金平任敏
文献传递
一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件
一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规RB-IGBT结构的基础上，通过在P型基区和N<Sup>—</Sup>漂移区之间，N<Sup>—</Sup>漂移区与P<Sup>+</Su...
李泽宏杨文韬宋洵奕陈钱单亚东张金平任敏
文献传递
一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件
一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明在常规槽栅VDMOS器件槽栅结构两侧的漂移区中分别增加一个有肖特基结金属和体电极导电材料构成的附加结构；其中肖特基结金属上与源极金属接触，下与体电极...
任敏宋洵奕吴明进杨文韬单亚东顾鸿鸣宋文龙李泽宏张金平张波
文献传递
一种具有正温度系数发射极镇流电阻的IGBT器件
一种具有正温度系数发射极镇流电阻（EBR）的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。常规EBR结构的IGBT器件中，发射极镇流电阻由距离发射极接触区较远的条状N<Sup>+</Sup>发射区条构成，其电阻值通常呈现负温...
李泽宏单亚东宋文龙顾鸿鸣邹有彪宋洵奕
文献传递
一种CSTBT的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种CSTBT的制造方法。本发明的CSTBT的制造方法的基本工艺先是在P<Sup>+</Sup>单晶硅片衬底上依次外延生长N型场截止区2、N<Sup>-</Sup>漂移区3；形成正面槽...
李泽宏宋文龙邹有彪宋洵奕吴明进张金平任敏
文献传递
绝缘栅双极型晶体管并联输出动态延时过流保护电路
本发明涉及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动控制技术，特别涉及IGBT并联输出动态延时过流保护电路。本发明针对现有技术IGBT并联使用时的过流保护问题，公开了一种IGBT并联输出动态延时过流保护电路，根据过流电流的大小动...
李泽宏吴明进曾智宋文龙宋洵奕刘广涛
文献传递
一种具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS
更低的导通损耗和开关损耗一直是功率VDMOS发展的方向.本文提出了一种适用于低压应用的具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS,并借助仿真软件进行了设计和优化,获得了耐压62V的器件,比传统槽栅型VDMOS的阻断电压提...
宁润涛宋洵奕任敏黄锴尹杰李洁朱金粦李泽宏张金平
关键词：比导通电阻性能表征
文献传递
推挽输出开关电源
本发明涉及开关电源技术。本发明公开了一种推挽输出开关电源，解决了工作在电压控制模式下的推挽输出开关电源磁通不平衡问题。本发明的推挽输出开关电源，包括脉宽调制控制单元、第一误差放大单元、第二误差放大单元、第一开关器件、第二...
李泽宏吴明进刘广涛宋洵奕曾智张仁辉
文献传递
高压SenseFET的分析与设计
高压SenseFET(Current Sense Field Effect Transistor)是一种可用于高压功率集成电路,对功率元件进行电流探测的高压功率器件,相比传统的集成电流采样器件,高压SenseFET具有耐...
宋洵奕
关键词：电流采样
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0