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宋文龙

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 9篇半导体
  • 8篇半导体技术
  • 5篇晶体管
  • 5篇保护电路
  • 4篇浪涌保护电路
  • 4篇二极管
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇导电类型
  • 3篇电极
  • 3篇电流
  • 3篇电路
  • 3篇双极型
  • 3篇半导体材料
  • 3篇保护器件
  • 3篇JFET
  • 2篇等位
  • 2篇第三电极
  • 2篇电容
  • 2篇电子电路

机构

  • 19篇电子科技大学

作者

  • 19篇宋文龙
  • 18篇李泽宏
  • 13篇张金平
  • 12篇任敏
  • 9篇吴明进
  • 8篇宋洵奕
  • 6篇刘建
  • 5篇单亚东
  • 2篇张鹏
  • 2篇杨文韬
  • 1篇曾智
  • 1篇张波
  • 1篇李果
  • 1篇刘广涛

传媒

  • 2篇四川省电子学...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 8篇2013
  • 2篇2012
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种绝缘栅双极型晶体管
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型晶体管。本发明所述的绝缘栅双极型晶体管，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合形成IGBT，在第二种导电类型的...
李泽宏邹有彪顾鸿鸣宋文龙单亚东刘建吴明进
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具有空穴复合层的IGBT终端结构及其制备方法
具有空穴复合层的IGBT终端结构及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。所述IGBT终端结构是在常规IGBT终端结构的P型等位环中引入空穴复合层（由注入到P型等位环内的碳离子和氧离子经400～550℃温度条件下的退火处...
李泽宏宋文龙邹有彪顾鸿鸣吴明进张金平任敏
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一种浪涌保护电路及其制造方法
本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种可编程浪涌保护电路及其制造方法。本发明所述的一种浪涌保护电路，由2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第...
李泽宏邹有彪刘建宋文龙宋洵奕张金平任敏
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一种绝缘栅双极型半导体器件
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型半导体器件。本发明所述的绝缘栅双极型半导体器件，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合而成的IGBT，在第二种...
李泽宏邹有彪宋文龙李果刘建吴明进
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绝缘栅双极型晶体管并联输出动态延时过流保护电路
本发明涉及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动控制技术，特别涉及IGBT并联输出动态延时过流保护电路。本发明针对现有技术IGBT并联使用时的过流保护问题，公开了一种IGBT并联输出动态延时过流保护电路，根据过流电流的大小动...
李泽宏吴明进曾智宋文龙宋洵奕刘广涛
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一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路及其制造方法
本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路。本发明所述的一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路，其特征在于，包括双向晶闸管、NPN型三极管和PNP型三极管，所述NPN型三极管的发射极和双向晶...
李泽宏邹有彪刘建顾鸿鸣宋文龙任敏张金平
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具有肖特基接触终端的快恢复二极管
具有肖特基接触终端的快恢复二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统快恢复二极管的基础上，将等位环接触金属改为肖特基接触金属，减小了过渡区处的注入效率，优化了终端部分载流子分布，减小了关断损耗，提高了反向恢复过程中...
李泽宏杨文韬宋洵奕宋文龙张金平任敏
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一种基于LED恒流驱动应用的三极管设计
本文设计了一种应用于LED恒流驱动电路的三极管.此恒流驱动电路集成在一块硅片上形成驱动模块,通过改变外接并联电阻的方式来调节恒流电路的输出电流值.三极管是此模块的核心,它采用纵向PNP结构,在放大区工作时的恒流效果很好....
顾鸿鸣张金平单亚东李泽宏邹有彪宋文龙张鹏
关键词：三极管恒流驱动电路发光二极管
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一种结型场效应晶体管的制造方法
一种结型场效应晶体管的制作方法，属于半导体器件领域。传统结型场效应晶体管的制作工艺中，栅源隔离氧化层由于作为扩散工艺的掩蔽层，制作过程中会在隔离氧化层里面引入许多杂质以及缺陷，会降低结型场效应晶体管的抗总剂量辐照效应能力...
李泽宏宋文龙邹有彪宋洵奕吴明进张金平任敏
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一种低电容JFET器件及其制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种低电容JFET器件及其制造方法。本发明所述的低电容JFET器件，包括p型半导体材料衬底、覆盖于衬底表面的n型外延层、外延层中的第一p区及第二p区、外延层中的第一n型半导体区、第二n...
李泽宏邹有彪宋文龙顾鸿鸣吴明进张金平任敏
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