郭兴龙
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学冶金工程更多>>
- 磁控溅射制作金红石——TiO_2被引量：2
- 2003年
- 用磁控溅射方法制备了粒径大小为20nm的金红石———TiO2,用X射线(XRD)和扫描电镜(SEM)观察表面形貌,局部表观致密,颗粒大小均匀。
- 郭兴龙于先进薛成山董志华高海永
- 关键词：磁控溅射金红石TIO2
- 铁锌尖晶石基铝用惰性阳极及镍基底氧化物膜惰性阳极的研究
- 论文对铝用惰性阳极的研究和发展进行了回顾和展望,对已经有的各种阳极材料进行了评述.指出惰性阳极面临的主要问题是阳极的耐铝和电解质的腐蚀性差.阳极材料在铝电解条件下的腐蚀机理复杂,铁锌阳极在Na<,3.AlF<,6>-Al...
- 郭兴龙
- 关键词：铝电解膜电极磁控溅射惰性阳极
- 文献传递
- 激发波长和电化学腐蚀对注碳外延硅荧光特性的影响
- 2004年
- 电化学腐蚀是蓝光发射的前提,但不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大,随着电化学腐蚀条件的加强,蓝光峰将被红光峰代替。激发光波长亦可影响蓝光发射,如260nm的激发光将引起在360nm光激发下所获得的431nm蓝光峰的蓝移。
- 王强李忠李玉国石礼伟郭兴龙
- 关键词：激发波长电化学腐蚀蓝光发射荧光特性
- 扩Ga基区高反压晶体三极管V—1特性分析
- 2002年
- 从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析。结果认为,负阻摆幅的大小对小电流注入下放大性能的优劣产生直接影响,而对发射极-收集极间的真正击穿电压并无减小损失;进一步证明了在SiO_2/Si系统中,开管扩Ga形成的晶体管,具有耐压高、漏电流小的特点。
- 修显武孙海波裴素华杨利周忠平郭兴龙
- 关键词：镓负阻效应击穿电压电流放大系数
- 开管扩Ga模型的初步建立
- 2003年
- 依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO_2膜的吸收输运和SiO_2-Si内界面上的分凝效应两者的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO_2薄层的表面效应及Si的体内效应;初步建立起SiO_2/Si系下开管扩散Ga的模型。
- 裴素华孙海波修显武薛成山杨利郭兴龙
- 关键词：掺杂二次离子质谱
- 磁控溅射制作铝电解用惰性阳极被引量：1
- 2004年
- 利用磁控溅射的方法,在Ni基体上形成致密的氧化物薄膜,用做铝电解实验的惰性阳极.用X射线衍射(XRD)分析、电子显微(SEM)分析,对实验前后薄膜的成分、形貌进行了定性分析和观察.实验结果表明:薄膜纳米尺寸的微小颗粒紧密排布;在960℃冰晶石熔盐电解质中,试样电极具有良好的耐腐蚀性能.
- 郭兴龙杨百梅薛成山刘亦安
- 关键词：磁控溅射铝电解惰性阳极氧化物薄膜
- 氨化磁控溅射Ga2O3膜在Si(111)衬底上制备GaN纳米棒
- 通过氨化射频溅射工艺生长的GaO薄膜,在Si(111)衬底上成功地制备出了GaN纳米棒。用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对样品的形貌、组分和结构进行了分析。生成的GaN纳米棒尺寸...
- 杨利庄惠照魏芹芹孙振翠郭兴龙董志华高海永薛成山
- 关键词：GAN纳米棒射频磁控溅射氨化
- 文献传递
