邱绍雄
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
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- MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量
- 2001年
- MBE生长的外延三元化合物材料InAs1 xSbx/AlSb/GaAs等是研制红外光通讯探测器的重要材料 ,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题。该文简要地提出与本研究有关的二维 (2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数学表达式并采用变温Vander Pauw Hall实验对上述半导体样品进行测试 ,分别用 2D和 3D体系的理论对实验数据进行分析处理 ,实验结果表明 :2D理论得出的Eg和x比 3D理论处理有明显改善 。
- 罗振华吴仲墀邱绍雄
- 关键词：禁带宽度三元化合物
- GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长
- 1990年
- 本文以反射式高能电子衍射(RHEED)和其强度振荡为监测手段,在半绝缘GaAs衬底上成功地生长GaSb/AlSb/GaAs应变层结构,RHEED图样表明,GaSb正常生长时为Sb稳定的C(2×6)结构,AlSb为稳定的(1×3)结构,作者观察并记录GaSb,AlSb生长时的RHEED强度振荡,并利用它成功地生长10个周期的GaSb/AlSb超晶格,透射电子显微镜照片显示界面平整、清晰,采用较厚的AlSb过渡层及适当的生长条件,可在半绝缘GaAs衬底上生长出质量好的GaSb外延层,其X射线双晶衍射半峰宽小于300″,未掺杂的外延层为P型,其室温载流子浓度为2.12×10^(16)cm^(-3),迁移率为664cm^2/V·s。
- 宗祥福邱绍雄杨恒青黄长河陈骏逸胡刚吴仲墀
- 关键词：GASBALSBGAAS应变层
- 优质InAsSb/GaAs材料的MBE生长
- 1991年
- 研究了InAsSb/GaAs材料生长过程中,各种参数对材料质量的影响。优化了生长参数,获得了优质的InAsSb/GaAs材料。采用x射线双晶衍射、红外透射、霍耳测量等手段研究了材料的性能,并制作了光导红外探测器,探测率D可达3×10~9cmHz^(1/2)。W^(-1)。
- 曾林飞邱绍雄杨恒青黄长河胡刚胡鑫根顾春林宗祥福
- 关键词：分子束外延化合物半导体检测器
