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胡刚

作品数:12 被引量:47H指数:3
供职机构:复旦大学材料科学系更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程重要方向项目上海市科委纳米专项基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇电镜
  • 4篇透射电子显微...
  • 4篇纳米
  • 3篇射电
  • 3篇透射电镜
  • 2篇电路
  • 2篇扫描电子显微...
  • 2篇石墨
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇离子辐照
  • 2篇纳米管
  • 2篇集成电路
  • 2篇半导体
  • 2篇SEM
  • 2篇TEM
  • 1篇电镜观察
  • 1篇电子显微分析
  • 1篇电子显微镜
  • 1篇氧化层
  • 1篇应变层

机构

  • 12篇复旦大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇扬州大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 12篇胡刚
  • 10篇陈一
  • 6篇刘剑霜
  • 6篇谢锋
  • 4篇王震遐
  • 4篇朱志远
  • 3篇余礼平
  • 3篇何国伟
  • 2篇朱德彰
  • 2篇马余刚
  • 2篇张伟
  • 1篇何绥霞
  • 1篇吴仲墀
  • 1篇邱绍雄
  • 1篇丁印锋
  • 1篇黄长河
  • 1篇徐洪杰
  • 1篇吴晓京
  • 1篇杨恒青
  • 1篇朱烨

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇物理学报
  • 2篇集成电路应用
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇计量技术
  • 1篇化学学报
  • 1篇核技术
  • 1篇上海计量测试
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 4篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇1990
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
SEM与TEM半导体分析的比较
2003年
本文简要介绍扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)的特点。分别介绍它们在半导体分析中的一些特点与局限。SEM分析与TEM分析在半导体显微分析中分别承担着各自任务,它们之间的关系是互补的关系。
胡刚陈一谢锋刘剑霜朱烨
关键词:SEMTEM半导体扫描电镜透射电镜显微技术
用电子显微镜剖析存储器器件被引量:4
2004年
简要介绍了扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)两种当前主要的电子显微分析工具在存储器器件分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用范围以及测量精度,指出两者的有机结合可以得到比较全面的分析结果。
刘剑霜谢锋陈一胡刚
关键词:电子显微镜存储器透射电镜栅氧化层集成电路
一种氧离子注入诱生缺陷的TEM表征
2009年
在利用氧离子注入工艺制备SOI材料的过程中,发现了一种“纳米网状”的结构缺陷。利用透射电镜、选区电子衍射和能谱分析对该缺陷进行了研究。结果表明,该缺陷呈网状,化学成分为硅和氧。初步研究认为,氧离子注入硅中所产生的穿通位错是形成该类缺陷的主要原因。
颜秀文刘东明胡刚
关键词:晶体缺陷离子注入位错透射电子显微镜
扫描电子显微镜被引量:30
2003年
随着科学技术的发展进步,人们不断需要从更高的微观层次观察、认识周围的物质世界.细胞、微生物等微米尺度的物体直接用肉眼观察不到,显微镜的发明解决了这个问题.目前,纳米科技成为研究热点,集成电路工艺加工的特征尺度进入深亚微米,所有这些更加微小的物体光学显微镜也观察不到,必须使用电子显微镜.电子显微镜可分为扫描电子显微镜简称扫描电镜(SEM)和透射电子显微镜简称透射电镜(TEM)两大类.
刘剑霜谢锋吴晓京陈一胡刚
关键词:扫描电子显微镜二次电子
离子辐照石墨生成的纳米尺寸Ar泡被引量:1
2002年
用 60keV的Ni+和Ar+在相同实验条件下 ,先后分别辐照同一块石墨靶 ,剂量均为 1 0 1 8 cm2 .带能量色散X射线分析和电子衍射分析的高分辨透射电子显微镜观察和分析发现 ,尺寸不同的纳米Ar泡嵌在类玻璃碳薄片中 ,部分泡内的Ar可能已形成固体结构 .
王震遐余礼平张伟马余刚朱志远何国伟胡刚陈一
关键词:离子辐照石墨靶材料透射电子显微镜
一种高分辨力电镜放大倍率的校准方法被引量:1
2005年
针对集成电路制造中TEM检测分析的高正确度要求,本文介绍了一种高分辨力电子显微镜放大倍率的校准方法。该方法简单、方便,能够有效地减少系统误差,结果可靠,适用范围广。
刘剑霜谢锋胡刚陈一盛克平
关键词:透射电子显微镜放大倍率校准
超声波处理高序石墨合成碳纳米结构被引量:6
2002年
用超声波处理水溶液中的高序石墨固体 ,借助于高分辨透射电子显微镜和电子衍射 ,不但看到了与电弧放电和激光烧蚀产物相似的碳纳米多面体和纳米管 ,而且还发现了一种罕见的实心碳纳米球 .对这种由扰动石墨晶格组成物的形成过程给出一种可能的模型解释 .
王震遐余礼平马余刚朱志远何国伟胡刚陈一
关键词:超声波处理碳纳米结构
GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长
1990年
本文以反射式高能电子衍射(RHEED)和其强度振荡为监测手段,在半绝缘GaAs衬底上成功地生长GaSb/AlSb/GaAs应变层结构,RHEED图样表明,GaSb正常生长时为Sb稳定的C(2×6)结构,AlSb为稳定的(1×3)结构,作者观察并记录GaSb,AlSb生长时的RHEED强度振荡,并利用它成功地生长10个周期的GaSb/AlSb超晶格,透射电子显微镜照片显示界面平整、清晰,采用较厚的AlSb过渡层及适当的生长条件,可在半绝缘GaAs衬底上生长出质量好的GaSb外延层,其X射线双晶衍射半峰宽小于300″,未掺杂的外延层为P型,其室温载流子浓度为2.12×10^(16)cm^(-3),迁移率为664cm^2/V·s。
宗祥福邱绍雄杨恒青黄长河陈骏逸胡刚吴仲墀
关键词:GASBALSBGAAS应变层
硅中缺陷的透射电镜观察被引量:2
2004年
随着集成电路制造工艺技术的不断进步,器件线宽不断减小,硅材料中缺陷的危害越来越不可忽视。通过TEM观察了硅中氧沉积、工艺诱生缺陷等并对之进行了分析。
谢锋刘剑霜陈一胡刚
关键词:集成电路透射电镜
利用粒子辐照技术实现碳纳米管向金刚石的转变被引量:3
2004年
采用低能氢等离子体和中能C+离子束辐照技术相结合的方法,实现了碳纳米管向金刚石纳米晶粒的转变,完成了一个从有序(碳纳米管)到无序(无定形碳纳米线)再到有序(金刚石纳米晶)的转变过程。利用透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAD)和拉曼光谱(Raman)等研究了晶粒的微观结构,并对纳米金刚石晶粒的生成机理进行了初步探讨。
孙立涛巩金龙朱志远朱德彰何绥霞王震遐陈一胡刚
关键词:碳纳米管金刚石
共2页<12>
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