罗振华
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 供职机构：华东师范大学理工学院精密光谱科学与技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术轻工技术与工程更多>>
- 铁基纳米晶微丝在电磁屏蔽纺织材料中的性能
- 2004年
- 近年来，随着科技进步和社会经济的迅速发展，各种电子、电力设备大量出现在人们的日常生活和工作中，随之而来的电磁辐射污染问题也日益严重。如何减少电磁污染对人体健康的危害，已成为人们越来越关心的问题。电磁场只有进入生物体内，并直接与生物系统发生相互作用才能产生生物效应，因此。
- 张昌盛齐红星罗振华陈树德
- 关键词：电磁屏蔽纺织材料电磁辐射污染
- MBE生长的InAs_(1-x)Sb_x外延层Eg和x测量
- 2001年
- MBE生长的外延三元化合物材料InAs1 xSbx/AlSb/GaAs等是研制红外光通讯探测器的重要材料 ,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题。该文简要地提出与本研究有关的二维 (2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数学表达式并采用变温Vander Pauw Hall实验对上述半导体样品进行测试 ,分别用 2D和 3D体系的理论对实验数据进行分析处理 ,实验结果表明 :2D理论得出的Eg和x比 3D理论处理有明显改善 。
- 罗振华吴仲墀邱绍雄
- 关键词：禁带宽度三元化合物
- Q2D半导体电子和空穴统计被引量：1
- 2001年
- 用半导体统计方法导出准二维半导体自由载流子面密度的数学表达式 ,并给出面密度与体密度之间关系式。采用二维半导体自由载流子面密度表示式和范德堡 -霍尔实验测量在衬底 Ga As上 MBE生长的 Q2 D的样品 Ga Sb和 In As1-x Sbx ( x≈ 0 .2 2 )禁带宽度 Eg,获得满意结果。
- 罗振华吴仲墀
- 关键词：禁带宽度
- 导电织物电磁屏蔽特性的数值计算被引量：4
- 2004年
- 采用绝对稳定的时域有限差分法,结合完全匹配层(PML)吸收边界条件,计算了由直径为微米量级导电纤维构成的织物对TEM波的屏蔽.考察了织物的几何参数、纤维的电磁参数和入射场极化方向与屏蔽效能(SE)之间的关系.在此基础上,对薄膜和织物的电磁屏蔽特性进行了对比分析.用我们研制的新型导电纤维编织的织物样品进行了测量,结果和数值计算符合较好。
- 齐红星陈树德罗振华林凡乔登江
- 关键词：时域有限差分法完全匹配层电磁屏蔽
- 纳米晶铁基丝的制备及其导磁性能的研究被引量：5
- 2002年
- 该文介绍了采用熔融速淬法制备玻璃包覆非晶铁基合金丝 ,以及经 5 4 0℃退火处理得到纳米晶微丝的方法 .实验结果表明 ,用此方法可得到晶粒尺度为 6 nm左右的材料 ,该纳米晶磁导率比非晶铁基合金有显著的提高 ,因此在制造传感器和吸波材料中有广阔的应用前景 .文章还根据材料微观结构的改变 ,分析和讨论了磁导率提高的原因 .
- 罗振华张昌盛陈树德
- 关键词：磁导率微观结构
- 硅单晶杂质补偿度对超高反压大功率晶体管耐压特性的影响
- 1991年
- 一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。 实验用的衬底硅单晶片是电阻率大体相同(P≈80Ωom)的N-Si。实验时,从同一硅单晶锭切下硅片,用55K低温霍尔法和迭代法抽样检测其杂质补偿度K,再将和抽样检测样品相邻的硅片,经严格抛光清洗之后投片生产晶体管。每次生产条件严格保持相同。对生产出的晶体管,统测其耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)及其合格率ξ,η等。合格率ξ和η分别定义为耐压≥某额定耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)的成品数对总成品数之比。
- 吴仲墀钱佑华张维宽罗振华
- 关键词：晶体管硅耐压
