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谢中华

作品数：6 被引量：8H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 3篇GAAS
  • 2篇声表面波
  • 2篇自对准
  • 2篇滤波器
  • 1篇电路
  • 1篇压控
  • 1篇压控振荡器
  • 1篇振荡器
  • 1篇声表面波滤波...
  • 1篇声表面波器件
  • 1篇全离子注入
  • 1篇热氧化
  • 1篇子线
  • 1篇微波
  • 1篇微带
  • 1篇谐波
  • 1篇离子注入
  • 1篇量子
  • 1篇量子线
  • 1篇集成电路

机构

  • 5篇南京电子器件...
  • 3篇南京大学

作者

  • 6篇谢中华
  • 2篇翟凡
  • 2篇王茂森
  • 2篇章德
  • 2篇李勇
  • 1篇周宗闽
  • 1篇林金庭
  • 1篇谢舒
  • 1篇陈艳
  • 1篇赵新建
  • 1篇张荣
  • 1篇李拂晓
  • 1篇顾书林
  • 1篇郑有
  • 1篇高建峰
  • 1篇刘建林
  • 1篇茅保华
  • 1篇汪峰
  • 1篇施毅
  • 1篇来萍

传媒

  • 5篇固体电子学研...
  • 1篇应用声学

年份

  • 2篇1999
  • 1篇1996
  • 2篇1992
  • 1篇1989
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
自对准钨栅GaAs MESFET IC工艺
1989年
为了制备耐高温肖特基势垒,已采用RF或DC磁控溅射法在n^+n型GaAs衬底上溅射淀积钨(W)膜。这种膜具有良好的力学及电学性质。膜的可蚀性及肖特基势垒的热稳定性能够满足自对准栅IC的要求。新颖的自对准结构及用W栅制成的自对准离子注入GaAs MESFET初步特性能说明W栅工艺适用于GaAs IC。
谢舒谢中华吴禄训林文通
关键词：自对准GAASMESFETIC
GaAs高温栅全离子注入平面工艺及GaAs数字二分频器被引量：1
1992年
介绍了一种适用于砷化镓数字电路的Bp—SAG工艺。在该工艺基础上研制的GaAs数字二分频电路,最大工作频率达到2.25GHz,等效门延迟为92ps。
高建峰王茂森谢中华赵新建李拂晓
关键词：分频器
高频窄带声表面波滤波器被引量：6
1999年
为满足温漂要求，同时避免驻波效应，利用剥离工艺在石英基片上制作了中心频率为１１２８ＭＨｚ，３ｄＢ带宽为２．８ＭＨｚ，插入损耗＞－１２ｄＢ，带外抑制＞４０ｄＢ的高频窄带声表面波滤波器。
李勇谢中华周宗闽章德翟凡王蓉
关键词：声表面波滤波器声表面波器件
采用锗硅异质外延方法制备硅量子线
1996年
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形，用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀，获得Ｓｉ线阵列，最后通过湿氧、干氧氧化过程，成功实现了高质量Ｓｉ／ＳｉＯ２异质界面结构硅量子线。采用扫描电子显微镜对量子线形成特征进行了研究，并讨论了硅线的热氧化性质。
陆阳施毅刘建林汪峰张荣顾书林郑有茅保华谢中华
关键词：热氧化
Ka波段GaAs耿氏单片压控振荡器被引量：1
1992年
介绍一个以GaAs Gunn器件为振荡元件的Ka波段微波单片压控振荡器(MMIC VCO)。它以工艺相容的Schottky二极管为调谐元件,采取微带耦合的电路形式。该MMIC VCO制作在5mm×3mm的GaAs芯片上,其中包含了一个Gunn管、一个变容管、匹配网络以及两个直流偏置。单片测试结果:在34.6GHz下得到了3.03mW的输出功率,最大电调带宽90MHz。这是国内Ka波段MMIC VCO的首次报道,其性能接近国外1987年的实验室研制水平;同时也是国内首片毫米波段的MMIC。采用了TOUCHSTONE软件包,进行了毫米波段电路的CAD优化尝试,取得了较为满意的结果。
来萍陈艳谢中华王茂森林金庭
关键词：微波集成电路压控振荡器微带
利用准谐频叉指换能器实现GHz高频SAW滤波器
1999年
本文利用准谐频设计方法，在常规光刻工艺水平上，成功地实现了ＧＨｚ级声表面波（ＳＡＷ）器件。准谐频叉指换能器（ＱＨＩＤＴ）的优点为：其指条宽与指间隙可以比一般的单指换能器宽，克服了单指换能器内指间的多次反射，并且又较好地解决了普通谐频叉指换能器基频抑制不好的缺点。本文给出了制作在ＳＴ石英基片上，工作频率１１２８ＭＨｚ的声表面波滤波器的实验结果。
翟凡章德李勇谢中华
关键词：声表面波滤波器GHZSAW
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