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周宗闽

作品数：4 被引量：7H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇单片
  • 2篇砷化镓
  • 2篇MESFET
  • 2篇MMIC
  • 1篇设计方法
  • 1篇声表面波
  • 1篇声表面波滤波...
  • 1篇声表面波器件
  • 1篇微波单片
  • 1篇谐波
  • 1篇滤波器
  • 1篇负阻
  • 1篇S波段

机构

  • 3篇西安交通大学
  • 2篇南京电子器件...
  • 1篇南京大学

作者

  • 4篇周宗闽
  • 3篇罗晋生
  • 2篇林金庭
  • 1篇谢中华
  • 1篇翟凡
  • 1篇曹金荣
  • 1篇曹金荣
  • 1篇章德
  • 1篇李勇

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇科学通报
  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 2篇1996
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
S波段单片有源压控滤波器
1996年
Ｓ波段单片有源压控滤波器孙晓玮，罗晋生，周宗闽，曹金荣，林金庭（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ４５４ＴＮ７１３Ｓ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＡｃｔｉｖｅＶｏｌｔａｇｅ－Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ...
孙晓玮罗晋生周宗闽曹金荣林金庭
关键词：MMICS波段
高频窄带声表面波滤波器被引量：6
1999年
为满足温漂要求，同时避免驻波效应，利用剥离工艺在石英基片上制作了中心频率为１１２８ＭＨｚ，３ｄＢ带宽为２．８ＭＨｚ，插入损耗＞－１２ｄＢ，带外抑制＞４０ｄＢ的高频窄带声表面波滤波器。
李勇谢中华周宗闽章德翟凡王蓉
关键词：声表面波滤波器声表面波器件
一种MESFET变电容解析模型被引量：1
1996年
随着通讯系统小型化的需要,很多微波有源电路需要单片集成（MMIC）。在MMIC中变容二极管与GaAs MESFET工艺不兼容,无法在一块GaAs半绝缘衬底上同时集成两种类型的器件。为了解决这一难题,我们在MMIC有源压控滤波器设计中提出了一种GaAs MESFET三端变容管结构。并建立了分析这类器件的变电容模型。由于一般用于调频作用的变容管,要求它具有较大的变电容比(Cmax/Cmin)。因此,对于GaAs MESFET三端变容管就要使得栅压工作在正偏状态,以获得较大的变容比。栅压在正偏下,分析C-V特性时用到的耗尽层模型近似就要产生较大的误差。我们在模型中考虑了自由载流子运动对C-V特性的影响,使得理论模型分析结果与实验测试结果吻合得很好。
孙晓玮罗晋生周宗闽曹金荣林金庭
关键词：MESFET砷化镓
微波单片负阻有源压控滤波器设计方法和实验研究
1997年
本文给出了一种利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片（简称ＭＭＩＣ）有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能．文中还给出了单片电路的设计方法以及ＣＡＤ模拟结果．最后，加工完成了ＭＭＩＣ有源压控滤波器，整个电路芯片尺寸为０．９×１．８ｍｍ２．实验测试结果表明，文中给出的设计方法正确、有效．
孙晓玮罗晋生周宗闽曹金荣林金庭
关键词：MMIC砷化镓MESFET
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