公共文化服务平台

罗晋生: 作品数：155 被引量：278H指数：10; 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金北京市科技新星计划更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程航空宇航科学技术更多>>

合作作者

自动旋转检偏器椭偏谱仪的研制及其应用被引量：1: 1989年; 一、引言自动旋转检偏器椭偏谱仪是一种研究薄膜及表面的光学仪器,用于测量不同波长下,样品的折射率n、消光系数k、介电常数e1和e2、膜厚d 等光学参数,在物理、化学、电子、生物医学等研究中是一种十分有效的工具。1962年Budde 设计了旋转检偏器椭偏仪以后,这项技术在椭偏光测量领域获得了很大发展。1975年,Aspaes 等人报道了他们的、计算机化的高精度扫描椭偏仪,该仪器工作波长范围是2250～7200（?）,ψ的精密度±0.0005°,△的精密度±0.001°。1982年,江任荣等也报道了他们建立的手动式椭圆偏振光谱仪。本文介绍我们研制的、自动旋转检偏器椭偏谱仪（简称SRAE ）的结构、测量原理及应用。二、结构和工作原理SRAE 的结构如图1所示。有两种工作方式。处在工作方式Ⅰ时,检偏器和光电倍增管（简称PMT）与起偏器在同一直线上,适应于系统调试或透射式椭偏测量。SRAE 一般工作在方式Ⅱ状态,布局和定位如图1。测量时,起偏器的起偏角P 为30°,光对样品的入射角φ为70°。; 李同合陈敏麒罗晋生

深亚微米应变SiGe沟PMOSFET特性模拟被引量：3: 2003年; 为研究深亚微米尺度下应变 Si Ge沟改进 PMOSFET器件性能的有效性 ,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了 0 .1 8μm有效沟长 Si Ge PMOS及 Si PMOS器件特性。Si Ge PMOS垂直方向采用 Si/Si Ge/Si结构 ,横向结构同常规 PMOS,N+ -poly栅结合 P型δ掺杂层获得了合理阈值电压及空穴局域化。研究表明 ,经适当设计的 Si Ge PMOS比对应 Si PMOS的 IDmax、gm、f T均提高 1 0 0 %以上 ,表明深亚微米尺度 Si; 杨荣罗晋生; 关键词：SIGE 深亚微米 PMOSFET

a-Si:N FET的研制: 1989年; 用辉光放电连续淀积a-Si_xN_(1-x):H和a-Si:H的方法制备了a-Si:H FET通过改进a-Si:H与源、漏Al电极的欧姆接触,在氮气氛中退火等工艺,获得了直流特性良好的a-Si:HFET.当栅极电压V_G变化10V时,漏、源电流的变化达六个数量级.; 冯玉春罗晋生海国强; 关键词：FET 非晶硅场效应晶体管; 全文增补中

7A　500V　MCT芯片的研制: 1994年; 采用外延片作衬底研制出耐压５００Ｖ，关断电流为７Ａ的ＭＯＳ控制晶闸管（ＭＣＴ）芯片。ＭＣＴ芯片是由５０７５个单胞并联而成，它具有ＭＯＳＦＥＴ门极开通、关断功能。; 冯玉春罗晋生; 关键词：MOS MCT 芯片

S波段单片有源压控滤波器: 1996年; Ｓ波段单片有源压控滤波器孙晓玮，罗晋生，周宗闽，曹金荣，林金庭（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ４５４ＴＮ７１３Ｓ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＡｃｔｉｖｅＶｏｌｔａｇｅ－Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ...; 孙晓玮罗晋生周宗闽曹金荣林金庭; 关键词：MMIC S波段

纳米硅薄膜退火特性被引量：11: 1995年; 对使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法在不同淀积条件下制备的非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(μc-Si:H)和纳米硅(nc-Si:H)薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量C_H值及退火对氢含量及其分布的影响。通过室温下对暗电导率的测量得到退火对nc-si:H薄膜电导率的影响,并与a-Si:H,μc-Si:H薄膜的退火行为作了比较。使用紫外/可见/近红外分光光度计对样品透射率进行了测量,分析计算得到了退火温度T_a与ac-Si:H薄膜光学带隙E_g^(opt)值变化之间的关系。; 余明斌何宇亮刘洪涛罗晋生; 关键词：硅薄膜纳米

用高频C-V特性测量表面势和界面陷阱密度及其分布被引量：1: 1990年; 本文基于对MOS结构耗尽-弱反型区C-V特性的理论分析,提出了一种利用高频C-V特性直接测量半导体表面势和界面陷阱密度及其按能量分布的简便方法,减少了测量分析的计算量,降低了对样品的要求。本文还给出了一些实验样品的测试结果。; 齐鸣陈苹罗晋生; 关键词：C-V 半导体表面势

表面电荷效应对场限环优化设计的影响被引量：3: 1997年; 本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式，并根据场限环优化条件，首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型，得到了考虑表面电荷效应后，优化单场限环洁构击穿电压以及优化环间距的归一化计算公式。分析了表面电荷密度对场限环结构耐压和优化环间距的影响，计算结果与文献中的数值模拟结果相符合，推得的公式可应用于场限环结构的实际设计。; 唐本奇高玉民罗晋生; 关键词：场限环表面电荷电荷效应功率器件

碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性: 1993年; 本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长In_xGa_(1-x)As的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)等方法分析了外延层质量。; 齐鸣罗晋生白■淳一山田巧野崎真次高桥清德光永辅小长井诚; 关键词：掺杂 INGAAS MOMBE

共源共栅CMOS运算放大器的分析与设计: 1990年; 本文描述了一个共源共栅差分输入级、电流镜偏置输出级结构的两级CMOS运放,它对常规运放的电源电压抑制比、增益、输出驱动能力、噪声、失调等有显著的改善。文中对运放的工作原理及设计技术等进行了详细的叙述,并采用标准CMOS工艺进行了投片试制和采用SPICE进行了电路模拟。结果令人满意,达到了设计指标,证明了设计理论的正确性。该运放已成功地应用于开关电容滤波器芯片的制造。; 林长贵罗晋生; 关键词：CMOS 运算放大器