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王茂森

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇振荡器
  • 2篇极高频
  • 2篇集成电路
  • 2篇半导体
  • 2篇GAAS
  • 1篇学术
  • 1篇压控
  • 1篇压控振荡器
  • 1篇全离子注入
  • 1篇自对准
  • 1篇微波
  • 1篇微波技术
  • 1篇微带
  • 1篇离子注入
  • 1篇晶体管
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇红外
  • 1篇红外辐射
  • 1篇二分频

机构

  • 5篇南京电子器件...

作者

  • 5篇王茂森
  • 2篇谢中华
  • 1篇林金庭
  • 1篇陈艳
  • 1篇赵新建
  • 1篇李拂晓
  • 1篇高建峰
  • 1篇来萍

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 1篇第三届全国毫...

年份

  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1986
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Ka波段GaAs耿氏单片压控振荡器被引量:1
1992年
介绍一个以GaAs Gunn器件为振荡元件的Ka波段微波单片压控振荡器(MMIC VCO)。它以工艺相容的Schottky二极管为调谐元件,采取微带耦合的电路形式。该MMIC VCO制作在5mm×3mm的GaAs芯片上,其中包含了一个Gunn管、一个变容管、匹配网络以及两个直流偏置。单片测试结果:在34.6GHz下得到了3.03mW的输出功率,最大电调带宽90MHz。这是国内Ka波段MMIC VCO的首次报道,其性能接近国外1987年的实验室研制水平;同时也是国内首片毫米波段的MMIC。采用了TOUCHSTONE软件包,进行了毫米波段电路的CAD优化尝试,取得了较为满意的结果。
来萍陈艳谢中华王茂森林金庭
关键词:微波集成电路压控振荡器微带
毫米波固态器件的现状与发展动向
概述国内外固态器件的现状与发展动态,较详细地介绍了具有极好高频、低噪声、大功率性能,并已发展到全盛时期的举世瞩目器件—GaAsTET,它具有为有高频,低噪声和高速两方面独特性能,发展极为迅速的高电子迁移率晶体管(HEMT...
王茂森
关键词:极高频集成电路振荡器微波技术场效应晶体管半导体器件
GaAs高温栅全离子注入平面工艺及GaAs数字二分频器被引量:1
1992年
介绍了一种适用于砷化镓数字电路的Bp—SAG工艺。在该工艺基础上研制的GaAs数字二分频电路,最大工作频率达到2.25GHz,等效门延迟为92ps。
高建峰王茂森谢中华赵新建李拂晓
关键词:分频器
北京第二届国际毫米波及远红外会议简况
1993年
由中国电子学会和美国乔治亚理工学院研究所(GTRl)共同发起,中国电子学会主办的1992年第二届国际毫米波及远红外技术会议(ICMWFT’92)于8月16日至20日在北京燕翔饭店举行。与会代表约120人,来自18个国家,其中国外学者40多人。会上中国发表论文86篇(其中台湾1篇),俄罗斯29篇,乌克兰28篇,美国9篇,日本7篇,瑞士、加拿大各5篇,德国、法国务4篇,英国、印度、土耳其各2篇,波兰、比利时、澳大利亚、拉脱维亚、立陶宛。
王茂森
关键词:极高频红外辐射
第六届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议简况
1991年
由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第六届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术年会,于1990年10月29日至11月3日在湖南省大庸市科技中心召开.参加这次学术年会的有来自全国71个单位的304人.本届会议共收到论文368篇,录用286篇,其中特邀报告29篇.会上宣读219篇,大会特邀报告5篇.它们是自然科学基金委员会许振嘉研究员的“GaAs表面能谱研究”;中国科学院半导体研究所副所长郑东研究员的“第三届国际亚太微波会情况”;河北半导体研究所副所长梁春广高级工程师的“GaAs
王茂森
关键词:化合物半导体
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