彭瑞伍
- 作品数：28 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：福特-中国研究与发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- MOCVD GaInP材料生长过程热力学及其特性被引量：2
- 1997年
- 本文通过MOCVDGaInP的生长速率，组分In的气相分配比与生长温度的关系，较强细地对GaInP生长过程中的热力学进行了研究，并研究了低温GaInP缓冲层对高温GaInP外延生长的影响，根据GaInP的组分．随生长温度的变化关系，生长出质量较好的短波长Ga0.65In0.35P材料．
- 余庆选励翠云彭瑞伍
- 关键词：MOCVD半导体材料热力学
- 电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度
- 1990年
- 从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。
- 王周成彭瑞伍彭承孙恒慧
- 关键词：GAAS
- 电解液电反射法研究GaAs/GaAlAs多层结构材料被引量：1
- 1991年
- 在研究GaAs和GaAlAs电解液电反射谱的基础上,把电解液电反射方法与电化学可控阳极溶解技术结合起来,对GaAs/GaAlAs多层结构材料进行深度剖面分析。根据阳极溶解过程中电反射谱的变化,研究了多层结构材料的界面性质、p-n结位置和纵向铝组分分布。
- 王周成彭瑞伍钱佑华
- 关键词：GAAS/GAALAS半导体
- 十年来上海Ⅲ—Ⅴ族化合物的进展
- 1989年
- 本文总结了十年来上海对Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的材料、特性应用和物理化学方面的研究与发展概况,并展望了其前景。
- 彭瑞伍
- 关键词：半导体化合物半导体
- MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究
- 1992年
- 为更好地控制MOCVD Ⅲ-Ⅴ族锑化物的生长,改进外延层性质,本文用物理化学方法研究了Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y合金的生长过程。用热力学的“平衡模型”计算了铟和锑的分配系数及外延层固相组成与生长条件的关系,用化学动力学方法推导了当外延过程为物质扩散控制、化学反应控制及混合控制时的外延层生长速率公式,结果均符合实验规律。
- 韦光宇彭瑞伍任尧成丁永庆
- 关键词：MOCVD
- MOCVD法生长HgCdTe／CdTe／GaAs多层异质材料工艺研究
- 丁永庆彭瑞伍杨卧华
- 关键词：汽相沉积金属有机化学碲镉汞
- 含SiO2和B2O3氧化物二元系液相分层的一些规律以及偏晶温度的ANN预报
- 应用键参数图(电负性～离子半径)初步探讨了含SiO和BO氧化物二元系液相分层的规律;利用经已知样本集训练的人工神经网络对含SiO和BO氧化物二元系的偏晶温度进行了预报,预报结果与实测结果符合较好。
- 张兆春郭景康李重河陈念贻彭瑞伍
- 关键词：SIO2B2O3人工神经网络
- 文献传递
- MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料的特性研究被引量：2
- 1990年
- 本文用多种方法分析MOCVD外延片的表面形貌、结晶性、界面和缺陷、组分和其均匀性,电、光性能。在15×15mm^2面积上,HgCdTe外延层表面形貌较好,为单晶。CdTe和HgCdTe外延层的半宽度为450弧度秒。界面平坦、清晰过渡层约0.12μm,几乎没有发现Ga、As的扩散,但局部有微观缺陷。X值可生长出0.1～0.8,均匀性△X=0.008,典型样品,77K下,电子浓废为1.4×10^(16)cm^(-3),迁移率为7.4×10~4cm^2/V·S,透过率约42％。
- 陈记安杨臣华丁永庆彭瑞伍
- 关键词：MOCVD法HGCDTEGAAS
- MOCVD化合物半导体材料及其应用被引量：4
- 1998年
- 总结了我国在ＭＯＣＶＤ化合物半导体材料方面的最新进展，重点为ＭＯＣＶＤ化学、ⅢⅤ族和ⅡⅥ族半导体材料及其在光电和微波器件中的应用。为进一步发展我国的ＭＯＣＶＤ材料提出了若干建议。
- 彭瑞伍胡金波
- 关键词：MOCVD半导体材料半导体器件化合物半导体
- MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料工艺研究
- 1990年
- 用自已设计的MOCVD设备,国产的DMCd和DETe金属有机源,采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/CdTe/GaAs外延片,获得良好的n型HgCdTe外延层。研究了生长速率与温度的关系;组份与DMCd/DETe之比的关系;x值与汞源温度的关系。生长CdTe和HgCdTe外延层的衬底温度分别约为:370℃和420℃。汞源温度约为280℃,汞压约0.02atm。DMCd/DETe随生长x值不同而不同。气流在2.6～3.7cm/s之间。
- 丁永庆彭瑞伍陈记安杨臣华
- 关键词：HGCDTEMOCVD
