余庆选
- 作品数：20 被引量：64H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 掺As氮化镓薄膜的蓝光发射特性研究
- 由于宽禁带系氮化镓(GaN)材料具有较强的化学键、耐高温、抗腐蚀等优越性质,因此其在高亮度发光器件、高温大功率晶体等领域有着很大的应用前景。对等电子As掺杂的GaN薄膜的研究主要出于以下的考虑,GaN和GaAs可以形成三...
- 廖源余庆选王冠中方容川A.J.WinserS.V.NovikovC.T.Foxon
- 文献传递
- MOCVD GaInP材料生长过程热力学及其特性被引量：2
- 1997年
- 本文通过MOCVDGaInP的生长速率，组分In的气相分配比与生长温度的关系，较强细地对GaInP生长过程中的热力学进行了研究，并研究了低温GaInP缓冲层对高温GaInP外延生长的影响，根据GaInP的组分．随生长温度的变化关系，生长出质量较好的短波长Ga0.65In0.35P材料．
- 余庆选励翠云彭瑞伍
- 关键词：MOCVD半导体材料热力学
- 高频溅射法氮碳膜的生长及结构被引量：1
- 1997年
- 本文用扫描电镜、红外吸收光谱、X射线光电子能谱和X射线衍射技术对高频溅射沉积法制备的氮化碳膜的生长过程进行了研究．改变溅射条件，研究了氮化碳膜的形貌和结构与其性质之间的关系，通过溅射条件的优化，可使氮化碳膜中的氮含量增加，薄膜的结构接近β-C3N4相．
- 余庆选方容川
- 关键词：氮化碳薄膜薄膜生长
- 退火过程对c轴择优取向的ZnO薄膜光学性质的影响被引量：1
- 2010年
- 利用溶胶凝胶法在石英衬底上采用旋涂法制备出ZnO薄膜,通过X射线衍射仪发现不同的退火温度对ZnO薄膜的择优取向有很大影响;通过紫外可见分光光度计和室温发光谱可以看出,制备的薄膜有很好的光学透过性和很强的紫外发光特性,而不同的退火温度对其光学性质有很大的影响。实验发现采用此种方法在650℃左右退火是一个合适的退火温度,结构特性和光学性质都相对较好;采用热分析方法可知ZnO将在375℃左右从非晶转向结晶状态,因而在常规ZnO薄膜制备方法中增加一步500℃的热处理将有助于提高ZnO薄膜的结晶质量。
- 谢学武廖源张五堂余庆选傅竹西
- 关键词：溶胶凝胶法ZNO薄膜退火
- PLD方法在CVD金刚石膜上生长ZnO薄膜及其特性研究被引量：3
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在(110)和(100)织构金刚石膜上成功制备出高度c-轴取向的ZnO薄膜,然后在纯氮气氛条件下对ZnO薄膜进行退火处理.作为比较。也在(100)Si上生长的ZnO薄膜进行了相同的处理.通过测量X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱,研究了不同衬底性质和退火对薄膜结构和发光特性的影响.实验结果表明,在(100)织构金刚石上的ZnO膜具有最好的结晶质量,其半高宽只有0.2°.退火之后近紫外发光峰明显减弱的同时,绿色发光峰得到增强.这里归结为氮气退火后氧空位的增加,这点从退火后的XPS谱中可以得到进一步的确认.
- 张吉明廖源张五堂余庆选傅竹西
- 关键词：氧化锌薄膜脉冲激光沉积法金刚石应力
- 热丝CVD生长SiCN薄膜的研究被引量：17
- 2004年
- 在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程.
- 牛晓滨廖源常超余庆选方容川
- 关键词：HFCVD化学气相沉积纳米晶粒薄膜生长
- 银单晶纳米线的气相合成及其表面增强拉曼散射特性(英文)
- 2014年
- 通过气-液-固(VLS)机制,利用热蒸发方法在Ag/ZnO同轴结构纳米线中合成了单晶Ag纳米线.ZnO壳的限制作用被认为是促成了Ag单晶相的形成.通过腐蚀掉ZnO壳而获得的银纳米线,其直径可以通过改变源中银的含量来调控.这些高质量的银纳米线具有明显的表面增强拉曼散射(SERS)增强效果.
- 李志祝巍余庆选杨乾辉邵智斌楼立人
- 关键词：银纳米线
- 硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响被引量：4
- 2005年
- 采用HFCVD方法制备了掺硼金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜和X射线衍射光谱对样品的表面形貌及结构进行了分析.结果表明,随着硼含量的增加,薄膜中晶粒的取向由(100)变为(111),然后趋向于无序化.硼的掺入同样影响到孪晶晶粒的形态及生长因子α,使得α变小.通过对样品的Raman光谱分析,得出在适当的硼掺杂浓度下,孪晶的出现使金刚石薄膜中的应力得到松弛,从而中心声子线Raman位移红移较小.
- 刘卫平余庆选田宇全廖源王冠中方容川
- 关键词：孪晶HFCVD硼掺杂金刚石薄膜
- ZnO：Ag薄膜的结构对其紫外发光增强的研究被引量：6
- 2008年
- 利用脉冲激光沉积方法(PLD),在Si(100)衬底上生长了银掺杂的氧化锌薄膜(ZnO:Ag),所用的激光波长分别是1064 nm和355 nm。通过X射线衍射分析发现,两种不同激光沉积样品的晶体结构有很大的区别。此外,由1064 nm激光制备的ZnO:Ag薄膜,在氧气中800℃的条件下退火一个小时后,在其光致发光(PL)谱中发现,样品的紫外发光峰强度随薄膜中Ag含量增加而急剧增强,但在同样条件下处理的由355 nm激光制备的薄膜,没有观察到类似现象。经过分析和比较,我们认为这种紫外发光增强的特殊现象,是ZnO:Ag薄膜中的纳米Ag颗粒所引起的局部等离子共振而导致。
- 金运姜余庆选刘书见廖源
- 关键词：薄膜光学氧化锌光致发光
- ＭＯＣＶＤ ＡｌＧａＩｎＰ材料的本底浓度和组分控制
- 余庆选彭瑞伍
- 关键词：砷化镓衬底化学汽相淀积
