廖源
- 作品数：25 被引量：89H指数：6
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 退火过程对c轴择优取向的ZnO薄膜光学性质的影响被引量：1
- 2010年
- 利用溶胶凝胶法在石英衬底上采用旋涂法制备出ZnO薄膜,通过X射线衍射仪发现不同的退火温度对ZnO薄膜的择优取向有很大影响;通过紫外可见分光光度计和室温发光谱可以看出,制备的薄膜有很好的光学透过性和很强的紫外发光特性,而不同的退火温度对其光学性质有很大的影响。实验发现采用此种方法在650℃左右退火是一个合适的退火温度,结构特性和光学性质都相对较好;采用热分析方法可知ZnO将在375℃左右从非晶转向结晶状态,因而在常规ZnO薄膜制备方法中增加一步500℃的热处理将有助于提高ZnO薄膜的结晶质量。
- 谢学武廖源张五堂余庆选傅竹西
- 关键词：溶胶凝胶法ZNO薄膜退火
- HFCVD金刚石膜过程的气氛模拟与分析被引量：2
- 2003年
- 对热丝法化学气相沉积金刚石膜过程的气氛进行了模拟与分析.使用GRI-Mech3.0甲烷燃烧过程C/H/O/N四元体系热化学反应机理和动力学数据,模拟并分析了HFCVD金刚石膜的C/H气相化学反应,通过对反应流的简单模拟得到了衬底位置气相组成,结果与前人实验数据吻合.探讨了灯丝温度、碳源浓度和碳源种类等因素变化对衬底位置气相组成的影响.结果表明甲基是金刚石膜生长最主要的前驱基团,其作用远高于乙炔,而超平衡态原子氢的存在对金刚石膜的质量至关重要.
- 戚学贵陈则韶常超王冠中廖源
- 关键词：HFCVD金刚石膜成膜过程
- PLD方法在CVD金刚石膜上生长ZnO薄膜及其特性研究被引量：3
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在(110)和(100)织构金刚石膜上成功制备出高度c-轴取向的ZnO薄膜,然后在纯氮气氛条件下对ZnO薄膜进行退火处理.作为比较。也在(100)Si上生长的ZnO薄膜进行了相同的处理.通过测量X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱,研究了不同衬底性质和退火对薄膜结构和发光特性的影响.实验结果表明,在(100)织构金刚石上的ZnO膜具有最好的结晶质量,其半高宽只有0.2°.退火之后近紫外发光峰明显减弱的同时,绿色发光峰得到增强.这里归结为氮气退火后氧空位的增加,这点从退火后的XPS谱中可以得到进一步的确认.
- 张吉明廖源张五堂余庆选傅竹西
- 关键词：氧化锌薄膜脉冲激光沉积法金刚石应力
- 热丝CVD生长SiCN薄膜的研究被引量：16
- 2004年
- 在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程.
- 牛晓滨廖源常超余庆选方容川
- 关键词：HFCVD化学气相沉积纳米晶粒薄膜生长
- C-H-O和C-H-N体系生长金刚石膜的气相化学模拟被引量：3
- 2004年
- 数值模拟了C-H-O和C-H-N体系的气相化学,构建了含氧和含氮气源化学气相沉积金刚石膜的三元相图,探讨了加氧和加氮影响金刚石膜生长的途径.结果表明,甲基是金刚石生长主要的前驱基团,乙炔导致非金刚石碳沉积,原子氢刻蚀非金刚石碳.通过气相反应改变这些基团的浓度是加氧的一个重要作用途径,而加氮在改变这些基团浓度的同时,CN等含氮基团还强烈地参与了金刚石膜成核和生长的表面过程.
- 戚学贵陈则韶王冠中廖源
- 关键词：金刚石膜
- 功能材料制备中的等离子体发光与过程选控
- 近代光电子和微电子等功能材料,主要是通过物理气相淀积(PVD)和化学气相淀积(CVD)等薄膜技术制备的。在PVD和CVD材料形成过程中,往往产生等离子体过程并伴随发光。通过对PVD和CVD过程等离子体发光的原位(in s...
- 方容川常超廖源崔景彪
- 文献传递
- 应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究被引量：17
- 2004年
- 对化学气相沉积 (MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光 (PL)光谱进行了测量 ,用Raman光谱和x射线衍射 (XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定 ,通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响 ,从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律 .
- 徐波余庆选吴气虹廖源王冠中方容川
- 关键词：应力氮化镓薄膜光致发光拉曼光谱
- 氮气氛下金刚石薄膜生长过程中的光发射谱研究被引量：4
- 2001年
- 利用原位光发射谱对衬底附近的化学气相性质进行了研究．研究表明，氮气的引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化．含氮基团的萃取作用提高了金刚石表面氢原子的脱附速率，从而提高了金刚石膜的生长速率．而含氮基团的选择吸附使金刚石（１００）取向变得化学糙化，这种化学糙化使得（１００）晶面生长速率远大于其它晶面，最终使金刚石薄膜呈现（１００）织构．还利用化学气相沉积方法研究了氮气浓度对金刚石生长的影响，结果与光发射谱分析是一致的．
- 李灿华廖源常超王冠中马玉蓉方容川
- 一种高质量单双层可控的二硫化钼制备方法
- 本发明涉及一种层状二硫化钼制备方法，所述层状二硫化钼为单层或双层结构，其中采用化学气相沉积法，以单质的钼金属和硫粉做为源，在基底表面沉积二维二硫化钼，其中通过对沉积温度、生长时间等制备参数的优化，实现对高质量二硫化钼单层...
- 廖源周献亮周朝迅董振超
- 文献传递
- 氮气氛下(100)织构金刚石薄膜的成核与生长研究被引量：11
- 2000年
- 利用热丝化学气相沉积法研究了氮气浓度对金刚石薄膜成核和生长的影响 .实验发现氮气的加入对金刚石成核密度影响不大 ,但促进了已形成的金刚石核的长大 .适量的氮气不仅使金刚石生长速率得到很大的提高 ,而且稳定了金刚石薄膜 (10 0 )面的生长 ,使金刚石薄膜具有更好的 (10 0 )织构 .利用原位光发射谱对衬底附近的化学基团进行了研究 .研究表明 ,氮气的引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化 .含氮基团的萃取作用提高了金刚石表面氢原子的脱附速率 ,从而提高了金刚石膜的生长速率 .而含氮基团的选择吸附使金刚石(10 0 )取向变得化学糙化 (chemicalroughening) ,这种化学糙化使得 (10 0 )晶面生长速率大于其他晶面 ,最终使金刚石薄膜呈现 (10 0 )织构 .
- 李灿华廖源常超王冠中方容川
- 关键词：氮气金刚石薄膜织构成核
