丁永庆
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究
- 1992年
- 为更好地控制MOCVD Ⅲ-Ⅴ族锑化物的生长,改进外延层性质,本文用物理化学方法研究了Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y合金的生长过程。用热力学的“平衡模型”计算了铟和锑的分配系数及外延层固相组成与生长条件的关系,用化学动力学方法推导了当外延过程为物质扩散控制、化学反应控制及混合控制时的外延层生长速率公式,结果均符合实验规律。
- 韦光宇彭瑞伍任尧成丁永庆
- 关键词：MOCVD
- MOCVD法在GaAs衬底上生长Hg_(1-x)Cd_xTe和过渡层研究
- 1993年
- 用改进的 MOCVD 装置成功地在 GaAs 衬底上生长了 CdTe 过渡层,获得了适合于生长Hg_(1-x) Cd_xTe(CMT)的 CdTe/GaAs 复合衬底材料。所得 CMT 的 x 值可在0.2～0.8之间变化,其电学性质与 CdTe 过渡层厚度有一定关系,其红外透过率大于70%。
- 丁永庆彭瑞伍陈记安杨臣华陈美霓
- 关键词：MOCVD法砷化镓HGCDTE过渡层
- MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料的特性研究被引量：2
- 1990年
- 本文用多种方法分析MOCVD外延片的表面形貌、结晶性、界面和缺陷、组分和其均匀性,电、光性能。在15×15mm^2面积上,HgCdTe外延层表面形貌较好,为单晶。CdTe和HgCdTe外延层的半宽度为450弧度秒。界面平坦、清晰过渡层约0.12μm,几乎没有发现Ga、As的扩散,但局部有微观缺陷。X值可生长出0.1～0.8,均匀性△X=0.008,典型样品,77K下,电子浓废为1.4×10^(16)cm^(-3),迁移率为7.4×10~4cm^2/V·S,透过率约42％。
- 陈记安杨臣华丁永庆彭瑞伍
- 关键词：MOCVD法HGCDTEGAAS
- MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料工艺研究
- 1990年
- 用自已设计的MOCVD设备,国产的DMCd和DETe金属有机源,采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/CdTe/GaAs外延片,获得良好的n型HgCdTe外延层。研究了生长速率与温度的关系;组份与DMCd/DETe之比的关系;x值与汞源温度的关系。生长CdTe和HgCdTe外延层的衬底温度分别约为:370℃和420℃。汞源温度约为280℃,汞压约0.02atm。DMCd/DETe随生长x值不同而不同。气流在2.6～3.7cm/s之间。
- 丁永庆彭瑞伍陈记安杨臣华
- 关键词：HGCDTEMOCVD
- GaAs(100)衬底上金属有机物化学汽相淀积法生长的CdTe膜喇曼光谱研究被引量：1
- 1992年
- 本文报道了GaAs(100)衬底上CdTe外延膜的喇曼光谱,并提出利用实验上测得的CdTe外延膜LO声子峰宽度和位置来确定外延膜应变的处理方法.结果表明,对于厚度达2.5 μm的 CdTe外延膜,仍有应变存在,且应变大小与样品生长条件有关.从喇曼谱的分析中还提取了样品质量的有用信息其质量分析结果得到X射线双晶衍射和扫描电子显微镜表面形貌分析结果的支持.
- 劳浦东过毅乐张晓峰姚文华徐飞丁永庆
- 关键词：喇曼光谱化学汽相淀积
- 热壁MOCVDHg_（1－x）Cd_xTe中的Hg蒸汽压和分配比被引量：1
- 1994年
- 本文改进和设计了新型可移动式加热电阻炉和反应器，避免了二乙基碲（ＤＥＴｅ）与二甲基镉（ＤＭＣｄ）的直接反应，减了预沉积，在Ｔｅ／Ｃｄ比的控制更为准确的条件下重复稳定地获得了ｘ＝０．２响应波长为１０．６μｍ的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料．其中有关组份ｘ值的实验结果首次证明与Ｋｉｓｋｅｒ的热力学模型基本相符．
- 丁永庆彭瑞伍韦光宇陈记安李贤春张玉平刘克岳赵振香
- 关键词：碲镉汞材料蒸气压MOCVD
