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杭州士兰集成电路有限公司

作品数:591 被引量:42H指数:3
相关作者:杨彦涛季锋刘琛王平张常军更多>>
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126 条 记 录,以下是 1-10
杨彦涛
作品数:110被引量:2H指数:1
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:沟槽 功率器件 功率半导体器件 半导体 接触孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
季锋
作品数:106被引量:3H指数:1
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:空腔 牺牲层 MEMS器件 半导体 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘琛
作品数:82被引量:4H指数:1
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:MEMS器件 外延层 发射区 介质层 硅片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王平
作品数:71被引量:0H指数:0
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:外延层 功率半导体器件 沟槽 导电类型 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张常军
作品数:39被引量:1H指数:1
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:电容 TVS器件 外延层 二极管 半导体集成
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵金波
作品数:37被引量:0H指数:0
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:外延层 沟槽 功率器件 掺杂 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王英杰
作品数:33被引量:1H指数:1
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:恒流二极管 外延层 二极管 衬底 三极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈琛
作品数:30被引量:0H指数:0
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:功率半导体器件 沟槽 屏蔽导体 栅极 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李小锋
作品数:28被引量:0H指数:0
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:BIPOLAR 发射区 氮化硅薄膜 双极 场区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘慧勇
作品数:27被引量:3H指数:1
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:发射区 外延层 功率半导体器件 IGBT器件 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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