您的位置： 专家智库 > >

杭州士兰集成电路有限公司

作品数：571 被引量：39H指数：3
相关作者：杨彦涛刘琛王平张常军赵金波更多>>
相关机构：杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰集昕微电子有限公司成都士兰半导体制造有限公司更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理文化科学更多>>

合作机构

领域

  • 81个电子电信
  • 12个自动化与计算...
  • 7个理学
  • 6个文化科学
  • 5个化学工程
  • 5个机械工程
  • 4个电气工程
  • 4个核科学技术
  • 3个金属学及工艺
  • 3个医药卫生
  • 2个经济管理
  • 2个轻工技术与工...
  • 1个建筑科学
  • 1个环境科学与工...
  • 1个社会学

主题

  • 56个半导体
  • 39个光刻
  • 37个外延层
  • 34个电阻
  • 30个刻蚀
  • 30个衬底
  • 29个淀积
  • 28个介质层
  • 28个半导体器件
  • 28个掺杂
  • 27个芯片
  • 25个沟槽
  • 25个光刻胶
  • 24个功率器件
  • 24个二极管
  • 21个导体
  • 21个电路
  • 20个电极
  • 19个硅片
  • 16个导通

机构

  • 125个杭州士兰集成...
  • 1个兰州大学

资助

  • 3个国家科技重大...
  • 1个北京市自然科...
  • 1个国家自然科学...

传媒

  • 21个半导体技术
  • 16个中国集成电路
  • 6个2014`全...
  • 5个计量技术
  • 3个电子与封装
  • 2个中外企业家
  • 2个微电子学
  • 2个安徽职业技术...
  • 1个化工管理
  • 1个电子测试
  • 1个红外
  • 1个微电子学与计...
  • 1个经营与管理
  • 1个电子制作
  • 1个电子工业专用...
  • 1个杭州化工
  • 1个微纳电子技术
  • 1个浙江理工大学...
  • 1个绿色环保建材
  • 1个装备维修技术

地区

  • 125个浙江省
共 125 条 记 录，以下是 1-10
杨彦涛
作品数：108被引量：1H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：沟槽 功率器件 接触孔 半导体 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘琛
作品数：80被引量：4H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：外延层 MEMS器件 发射区 介质层 硅片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王平
作品数：71被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：外延层 功率半导体器件 沟槽 导电类型 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张常军
作品数：39被引量：1H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：电容 TVS器件 外延层 二极管 半导体集成
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵金波
作品数：37被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：外延层 沟槽 功率器件 接触孔 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王英杰
作品数：32被引量：1H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：恒流二极管 外延层 二极管 衬底 三极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈琛
作品数：29被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：功率半导体器件 沟槽 屏蔽导体 栅极 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李小锋
作品数：28被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：BIPOLAR 发射区 外延层 氮化硅薄膜 双极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘慧勇
作品数：27被引量：3H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：发射区 外延层 功率半导体器件 IGBT器件 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏志平
作品数：25被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：功率器件 沟槽 半导体器件 接触孔 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共13页<12345678910>
聚类工具0