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成都士兰半导体制造有限公司

作品数：43 被引量：4H指数：1
相关机构：杭州士兰集成电路有限公司华中科技大学杭州士兰微电子股份有限公司更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺经济管理自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 38篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理

主题

  • 17篇半导体
  • 13篇外延层
  • 11篇二极管
  • 7篇沟槽
  • 7篇衬底
  • 6篇阻挡层
  • 6篇刻蚀
  • 6篇刻蚀工艺
  • 6篇半导体器件
  • 6篇掺杂
  • 5篇恒流
  • 5篇恒流二极管
  • 5篇承片台
  • 4篇多晶
  • 4篇晶体
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 4篇功率模块
  • 4篇光刻
  • 3篇单晶

机构

  • 42篇成都士兰半导...
  • 12篇杭州士兰集成...
  • 3篇华中科技大学
  • 2篇杭州士兰微电...
  • 2篇成都集佳科技...

作者

  • 3篇吴丰顺
  • 3篇王明辉
  • 3篇王英杰
  • 3篇刘宪成
  • 3篇杨彦涛
  • 2篇杨凯

传媒

  • 2篇电子工艺技术
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇今天

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 7篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 10篇2015
  • 8篇2013
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
采用刻槽工艺形成的恒流二极管
本实用新型提供一种采用刻槽工艺形成的恒流二极管，包括：衬底；位于衬底正面上的外延层；设有第一窗口和第二窗口的第一绝缘层覆盖在外延层表面上；与第一绝缘层紧邻且位于外延层表面上的第二绝缘层；位于外延层中且两端分别与衬底和第二...
王英杰徐敏杰崔建
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具有三层介质钝化结构的二极管及其制造方法
本发明提供一种具有三层介质钝化结构的二极管及其制造方法，方法步骤如下：利用半导体工艺形成在晶片中具有P接触区和N接触区的PN结；在晶片正面生长二氧化硅介质后，去除部分二氧化硅介质，形成暴露出P接触区的第一窗口；淀积覆盖在...
王明辉贾文庆郭冲王平
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外延缺陷分析结构及制造方法和外延缺陷的分析方法
本发明提供一种外延缺陷分析结构，包括：半导体衬底，半导体衬底的一部分表面形成有外延生长区域，暴露出阻挡层保护区域保护的半导体衬底的另一部分表面；外延层，形成于外延生长区域上。本发明还提供一种外延缺陷分析结构的制造方法。本...
杨彦涛赵仲镛蒋敏蒋墨染谢波
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换热系统及制冷空调系统
本申请提供一种换热系统及制冷空调系统，所述换热系统包括设置有冷凝器和蒸发器的压缩式制冷系统，所述换热系统还包括与所述冷凝器中的冷媒进行换热的冷却装置，与所述蒸发器中的冷媒进行换热的冷水系统，所述冷却装置与所述冷水系统之间...
杨全兴
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承片台
1.本外观设计产品的名称：承片台。;2.本外观设计产品的用途：用作一种晶圆载台，其可在晶圆加工及移动过程中承载晶圆。;3.本外观设计产品的设计要点：在于各视图的形状及形状的组合。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图...
黄小华谢建黄俊王凤娇陈际舟文朝军
具有三层介质钝化结构的二极管及其制造方法
本发明提供一种具有三层介质钝化结构的二极管及其制造方法，方法步骤如下：利用半导体工艺形成在晶片中具有P接触区和N接触区的PN结；在晶片正面生长二氧化硅介质后，去除部分二氧化硅介质，形成暴露出P接触区的第一窗口；淀积覆盖在...
王明辉贾文庆郭冲王平
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采用刻槽工艺形成的恒流二极管及其制造方法
本发明提供一种采用刻槽工艺形成的恒流二极管，包括：衬底；位于衬底正面上的外延层；设有第一窗口和第二窗口的第一绝缘层覆盖在外延层表面上；与第一绝缘层紧邻且位于外延层表面上的第二绝缘层；位于外延层中且两端分别与衬底和第二绝缘...
王英杰徐敏杰崔建
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功率模块
1.本外观设计产品的名称：功率模块。;2.本外观设计产品的用途：用于控制及驱动的功率模块。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
刘俊琦张宏杰彭恒元彭玉宇曹杰敏
一种半导体结构及其形成方法
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，通过在半导体衬底的边缘区域形成阻止层，使得在外延生长过程中半导体衬底边缘区域无法长单晶，确保半导体衬底边沿由于倒角质量等存在的晶体缺陷不会在外延中被放大形成缺口、裂缝、崩边甚至碎片，...
杨彦涛王平邵凯赵金波王海涛宋金伟
采用刻槽工艺形成的恒流二极管及其制造方法
本发明提供一种采用刻槽工艺形成的恒流二极管，包括：衬底；位于衬底正面上的外延层；设有第一窗口和第二窗口的第一绝缘层覆盖在外延层表面上；与第一绝缘层紧邻且位于外延层表面上的第二绝缘层；位于外延层中且两端分别与衬底和第二绝缘...
王英杰徐敏杰崔建
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