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杭州士兰集昕微电子有限公司

作品数：71 被引量：2H指数：1
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 66篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 27篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 24篇半导体
  • 23篇半导体器件
  • 14篇麦克风
  • 14篇空腔
  • 10篇掺杂
  • 9篇电极
  • 9篇牺牲层
  • 9篇光刻
  • 8篇衬底
  • 7篇背腔
  • 6篇叠层
  • 6篇压电式
  • 6篇掩膜
  • 6篇元胞
  • 6篇源区
  • 6篇机电系统
  • 6篇寄生电容
  • 6篇掺杂剂
  • 6篇电系统
  • 5篇电容

机构

  • 71篇杭州士兰集昕...
  • 26篇杭州士兰集成...
  • 2篇杭州士兰微电...

作者

  • 8篇夏志平
  • 5篇季锋
  • 2篇肖金平
  • 1篇王平
  • 1篇陈洪雷

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇自动化博览
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子技术与软...
  • 1篇中文科技期刊...

年份

  • 16篇2023
  • 18篇2022
  • 30篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
共 71 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件及其隔离结构
本申请公开了一种半导体器件及其隔离结构，该隔离结构自半导体层的表面延伸至半导体层中，在与半导体层的表面平行的截面上，隔离结构的形状为多边形环，其中，多边形环中包括呈弧状凸起的外环顶角和呈弧状凸起的内环顶角，外环顶角处的弧...
夏志平田浩洋陈洪雷孙样慧温建功
文献传递
晶体管及其制作方法
本申请公开了一种晶体管及其制作方法，所述晶体管包括：外延结构；具有衬底以及位于所述衬底表面上的外延层，所述外延层包括依次形成在所述衬底上的成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、间隔层、非故意掺杂层以及P型层；在平行于所...
高维强肖金平贾利芳闻永祥
半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。制造方法包括在衬底第一至第二阱区上分别形成第一、第二栅叠层，在衬底第三阱区、第四阱区上形成第三栅叠层；采用光刻胶掩膜、采用第一栅叠层、第三栅叠层为硬掩膜，在第一阱区形成第二掺杂类型...
王昊陈洪雷夏志平姚国亮陈伟
文献传递
半导体器件
公开了一种半导体器件，半导体器件包括：衬底，衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构；位于衬底上方的台阶状器件结构，台阶状器件结构覆盖部分衬底；位于台阶状器件结构上方的介质层和阻挡层，阻挡层位于介质层上方，介质层和阻挡层覆...
杨彦涛隋晓明李云飞杨青森楚婉怡王岁虎
微型麦克风
公开了一种微型麦克风，微型麦克风包括：衬底，衬底包括第一空腔；第一牺牲层，位于衬底上，第一牺牲层包括第二空腔；振膜层，振膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑，位于第二空腔上方的振膜层形成振动隔膜；第二牺牲层，位于振膜层上，第...
孙福河李佳许乐军金文超闻永祥
文献传递
半导体器件
公开了一种半导体器件，包括：绝缘栅双极型晶体管，绝缘栅双极型晶体管包括元胞区和终端区，终端区位于元胞区外围；钳位结构，位于终端区，钳位结构包括多个无源半导体器件，多个无源半导体器件设置在绝缘栅双极型晶体管的栅极电极和集电...
韩健顾悦吉黄示吕梦凡张瑞丽周琼琼何火军
功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件具有相邻的元胞区与终端区，功率半导体器件包括：半导体层，具有相对的第一表面与第二表面；多个沟槽结构，位于元胞区，每个沟槽结构沿半导体层的厚度方向延伸；分压环，位...
黄示顾悦吉周琼琼韩健
光刻版中沟槽的制造方法和沟槽刻蚀方法
本申请公开了一种光刻版中沟槽的制造方法和沟槽刻蚀方法，包括提供一光刻基板，光刻基板包括多个芯片图案区以及划片区，设置多个第一沟槽图案，多个第一沟槽图案分布在多个芯片图案区内，每个第一沟槽图案用于分别形成相应的一个芯片区中...
何火军高周妙庞海舟隋晓明罗宁赵学锋
文献传递
一种具有复合栅结构的功率器件
本申请公开了一种具有复合栅结构的功率器件，所述功率器件包括：衬底；沟道层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述沟道层上，所述势垒层与所述沟道层形成异质结；源极电极和漏极电极，位于所述势垒层上；复合栅结构，位于所述势垒层上，所...
季科宇贾利芳闻永祥
微机电系统麦克风及其制造方法
公开了一种微机电系统麦克风及其制造方法，微机电系统麦克风包括：衬底，衬底设有背腔，背腔贯穿衬底；支撑氧化层，位于衬底上，支撑氧化层围成空腔，空腔和背腔连通；电容式声压信号采集结构和压电式声压信号采集结构，电容式声压信号采...
金文超闻永祥孙福河李佳郭欣
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