您的位置： 专家智库 > >

张立森

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

领域

  • 10个电子电信
  • 7个理学
  • 3个金属学及工艺
  • 3个一般工业技术
  • 2个电气工程
  • 2个文化科学
  • 1个化学工程
  • 1个矿业工程
  • 1个机械工程
  • 1个自动化与计算...
  • 1个核科学技术

主题

  • 10个隧穿
  • 10个太赫兹
  • 10个共振隧穿
  • 10个共振隧穿二极...
  • 10个赫兹
  • 10个二极管
  • 7个电流
  • 7个电流比
  • 7个电流密度
  • 7个肖特基
  • 7个肖特基二极管
  • 6个小信号等效电...
  • 6个小信号等效电...
  • 5个电流峰谷比
  • 4个电子迁移率
  • 4个调制
  • 3个单片
  • 3个单片集成
  • 3个电极
  • 3个电路

机构

  • 10个中国电子科技...
  • 3个河北半导体研...
  • 3个中国电子科技...
  • 2个专用集成电路...
  • 1个中国科学院
  • 1个中电集团
  • 1个信息产业部

资助

  • 2个国家自然科学...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个中国博士后科...
  • 1个国家部委资助...
  • 1个河北省自然科...
  • 1个陕西省自然科...

传媒

  • 7个电子技术应用
  • 5个半导体技术
  • 3个中国激光
  • 2个红外与激光工...
  • 2个中国科技成果
  • 2个太赫兹科学与...
  • 2个第十三届全国...
  • 2个2013‘全...
  • 1个量子电子学报
  • 1个半导体情报
  • 1个红外与毫米波...
  • 1个无机材料学报
  • 1个光电工程
  • 1个半导体杂志
  • 1个电子器件
  • 1个固体电子学研...
  • 1个微波学报
  • 1个半导体光电
  • 1个混合微电子技...
  • 1个微纳电子技术

地区

  • 3个河北省
共 10 条 记 录，以下是 1-10
冯志红
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 共振隧穿二极管 HFET 迁移率 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁士雄
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 超材料 共振隧穿二极管 HEMT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢东
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 击穿电压 硫钝化 GAAS GAASMESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王俊龙
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 共振隧穿二极管 肖特基二极管 肖特基 小信号等效电路模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨大宝
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：肖特基二极管 倍频电路 太赫兹 平衡式 射频输出
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵向阳
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 共振隧穿二极管 肖特基二极管 肖特基 小信号等效电路模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宏泰
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：半导体激光器 激光器 MOCVD 隧道结 叠层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾国栋
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：倍频器 半导体器件 肖特基二极管 太赫兹 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
车相辉
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：MOCVD生长 高电流密度 峰谷电流比 共振隧穿二极管 太赫兹
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝文嘉
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：MOCVD生长 高电流密度 峰谷电流比 共振隧穿二极管 太赫兹
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0