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韩婷婷

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 9个电子电信
  • 9个理学
  • 6个金属学及工艺
  • 6个一般工业技术
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  • 2个自动化与计算...
  • 1个电气工程
  • 1个核科学技术
  • 1个文化科学

主题

  • 9个异质结
  • 9个迁移
  • 9个迁移率
  • 9个截止频率
  • 9个晶体管
  • 9个蓝宝
  • 9个蓝宝石
  • 9个蓝宝石衬底
  • 9个HFET
  • 9个场效应
  • 9个场效应晶体管
  • 9个衬底
  • 5个氮化镓
  • 5个电路
  • 4个单片集成
  • 4个单片集成电路
  • 4个氮化
  • 4个氮化镓材料
  • 3个单晶
  • 3个单片

机构

  • 9个中国电子科技...
  • 4个河北半导体研...
  • 4个中国电子科技...
  • 4个专用集成电路...
  • 1个四川大学
  • 1个河北工业大学

资助

  • 4个国家自然科学...
  • 2个国家重点基础...
  • 1个国家部委资助...
  • 1个河北省杰出青...
  • 1个河北省自然科...

传媒

  • 9个第十三届全国...
  • 6个半导体技术
  • 3个物理学报
  • 3个微纳电子技术
  • 3个第十六届全国...
  • 3个2011’全...
  • 2个Journa...
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  • 2个真空科学与技...
  • 2个第十届全国M...
  • 2个第十五届全国...
  • 2个2013‘全...
  • 1个化工学报
  • 1个中国标准化
  • 1个电子技术应用
  • 1个无机材料学报
  • 1个四川大学学报...
  • 1个物理化学学报
  • 1个电子显微学报
  • 1个半导体杂志

地区

  • 4个河北省
共 9 条 记 录，以下是 1-9
冯志红
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 共振隧穿二极管 HFET 迁移率 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢东
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：太赫兹 击穿电压 硫钝化 GAAS GAASMESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敦少博
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 沟道 势垒 微电子器件 电子束曝光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
房玉龙
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 电极 倍频电路 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
盛百城
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：场效应晶体管 HFET 蓝宝石衬底 截止频率 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹甲运
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 GAN 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何泽召
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：金刚石 石墨烯 场效应晶体管 石墨烯材料 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张雄文
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：GAAS_MMIC SEM分析 迁移率 扫描电镜 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘波
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：GAN 异质结 场效应晶体管 MOCVD HFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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