您的位置： 专家智库 > >

刘波

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇国内会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇GAN
  • 2篇衬底
  • 1篇应力
  • 1篇应力分析
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇截止频率
  • 1篇晶格匹配
  • 1篇晶体管
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇SI(111...
  • 1篇SI衬底
  • 1篇GAN材料
  • 1篇HFET
  • 1篇MOCVD
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 3篇刘波
  • 2篇尹甲运
  • 1篇张森
  • 1篇张雄文
  • 1篇邢东
  • 1篇何泽召
  • 1篇敦少博
  • 1篇房玉龙
  • 1篇袁凤坡
  • 1篇冯志红
  • 1篇梁栋
  • 1篇盛百城
  • 1篇冯志宏
  • 1篇韩婷婷

传媒

  • 1篇第十届全国M...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
晶格匹配AlInN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道异质结材料研究
由于采用晶格匹配AlInN/AIN/GaN/AIN/GaN双沟道异质结结构设计,异质结同时具有了高电子迁移率和低面电阻的双重特性。我们研究发现在AlInN/AIN/GaN中沟道中二维电子气(2DEG)的迁移率随着沟道中面...
刘波张森尹甲运冯志宏蔡树军
文献传递
蓝宝石衬底上高性能InAlN/GaN异质结及场效应晶体管研究
使用金属有机物气相外延方法,在蓝宝石(0001)衬底上生长高性能InAlN/GaN异质结并制备了异质结场效应晶体管.利用原子力显微镜和Hall 测试等方法研究了InAlN/GaN异质结材料特性.研究表明材料表面原子台阶平...
房玉龙冯志红敦少博尹甲运刘波盛百城何泽召韩婷婷张雄文邢东
关键词：HFET迁移率蓝宝石截止频率
文献传递
Si(111)衬底GaN材料应力分析
采用MOCVD设备在Si(111)衬底上分别生长了三个不同结构的样品:样品a直接生长1μm厚的GaN;样品b在1.2μm厚GaN中插入一AlN薄层;样品c在2μm厚GaN中间隔插入两AlN薄层,然后对样品进行了拉曼和光荧...
尹甲运刘波袁凤坡梁栋冯志宏
关键词：GANSI衬底MOCVD
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0