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梁栋

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应力
  • 1篇应力分析
  • 1篇SI(111...
  • 1篇SI衬底
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN材料
  • 1篇MOCVD
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇尹甲运
  • 1篇袁凤坡
  • 1篇梁栋
  • 1篇冯志宏
  • 1篇刘波

传媒

  • 1篇第十届全国M...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si(111)衬底GaN材料应力分析
采用MOCVD设备在Si(111)衬底上分别生长了三个不同结构的样品:样品a直接生长1μm厚的GaN;样品b在1.2μm厚GaN中插入一AlN薄层;样品c在2μm厚GaN中间隔插入两AlN薄层,然后对样品进行了拉曼和光荧...
尹甲运刘波袁凤坡梁栋冯志宏
关键词：GANSI衬底MOCVD
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