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梁栋
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供职机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
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相关领域:
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合作作者
刘波
中国电子科技集团公司第十三研究...
冯志宏
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2007
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Si(111)衬底GaN材料应力分析
采用MOCVD设备在Si(111)衬底上分别生长了三个不同结构的样品:样品a直接生长1μm厚的GaN;样品b在1.2μm厚GaN中插入一AlN薄层;样品c在2μm厚GaN中间隔插入两AlN薄层,然后对样品进行了拉曼和光荧...
尹甲运
刘波
袁凤坡
梁栋
冯志宏
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GAN
SI衬底
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