尹甲运
- 作品数：107 被引量：33H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法
- 本发明公开了一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法，包括：在衬底上生长GaN材料，并在生长所述GaN材料时通入铁元素；达到第一预设条件时停止通入所述铁元素，开始通入三甲基铟；达到第二预设条件时结束生长所述GaN材料，并停止通入所...
- 尹甲运房玉龙王波张志荣郭艳敏李佳芦伟立冯志红
- In_(0.17)Al_(0.83)N在碱性溶液中的化学湿法腐蚀行为研究
- 2013年
- 介绍了In0.17Al0.83N在质量分数10%的四甲基氢氧化铵(TMAH)碱性溶液中的腐蚀行为实验研究。通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品,发现其腐蚀机理是起源于晶体中线位错缺陷的侧向腐蚀。这是由于线位错在In0.17Al0.83N晶体表面的交汇处与周围晶体相比,具有较高的化学不稳定性,容易被腐蚀,形成缺陷腐蚀坑。随着腐蚀的进一步发生,暴露在腐蚀液中的腐蚀坑侧壁,更容易受到腐蚀,造成了以侧向腐蚀为主的腐蚀。AFM和SEM观察到的大多数腐蚀坑是与InAlN晶体中的螺位错、刃位错或混合位错有关。这种腐蚀方法适合在宽禁带半导体制造中以InAlN为牺牲层的工艺上应用。
- 邢东冯志红王晶晶刘波尹甲运房玉龙
- 关键词：碱性溶液牺牲层
- 一种金刚石衬底GaN外延方法
- 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种金刚石衬底GaN外延方法。本发明通过在金刚石衬底上溅射生长AlN缓冲层，并形成AlN/金刚石模板，将AlN/金刚石模板进行退火处理，在退火后的AlN缓冲层上生长GaN外延层，其中，对...
- 王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮
- 一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法
- 本发明公开了一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法，涉及微波单片集成电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：（1）将有源器件形成于半导体基板的正面，无源器件形成于半导体基板的背面；（2）通过有源器件上的栅极PAD以及...
- 冯志红宋旭波敦少博徐鹏王元刚顾国栋房玉龙吕元杰尹甲运邢东
- 文献传递
- 图形化氮化铝缓冲层的生长方法及半导体器件
- 本发明提供一种图形化氮化铝缓冲层的生长方法及半导体器件。该方法包括：将衬底放入MOCVD设备的反应室内；对反应室内的环境条件进行第一次调整，并向反应室内通入氢气、氮气或氢气和氮气的混合气作为载气，以及向反应室内通入铝源、...
- 王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮
- GaN基异质结场效应晶体管及制造方法
- 本发明适用于半导体器件技术领域，尤其涉及一种GaN基异质结场效应晶体管及制造方法。所述晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层及分列于所述势垒层上的源极、栅极和漏极；其中，所述势垒层的形成材料包...
- 郭艳敏房玉龙尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠王元刚冯志红
- 文献传递
- Ka波段12W GaN功率放大器MMIC
- 采用国产外延材料及0.15μm GaN HEMT工艺,突破了Ka波段GaN功率MMIC的设计、工艺、测试等关键技术,研制成功Ka波段12W GaN功率放大器MMIC.电路采用三级级联放大结构,采用了功率分配及合成匹配网络...
- 杜鹏搏张务永张力江王彪张志国武继斌尹甲运胡志富付兴昌
- 关键词：功率放大器单片微波集成电路氮化镓高电子迁移率晶体管
- MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究被引量：1
- 2008年
- 报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为97",ω(102)面扫描曲线半高宽为870",Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为240";使用原子力显微镜(AFM)对两种样品5μm×5μm区域的表面平整度进行了表征,AlN外延膜的粗糙度(Rms)为8.484nm,Al0.6Ga0.4N外延膜的粗糙度为1.104nm;透射光谱测试显示AlN和Al0.6Ga0.4N吸收带边分别为205nm和266nm,且都非常陡峭。
- 刘波袁凤坡尹甲运刘英斌冯震冯志宏
- 关键词：ALGAN金属有机化学气相淀积X射线衍射透射光谱
- Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析被引量：6
- 2008年
- 对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO)峰位为568cm-1),计算得出GaN材料的应力从1.09GPa减小到0.42GPa。同时,使用室温光荧光谱进行了分析验证。结果表明,Si衬底上GaN外延材料受到的是张应力,通过低温AlN插入层技术可以有效降低GaN材料的应力,并且最终实现了表面光亮的厚层无裂纹GaN材料。
- 尹甲运刘波张森冯志宏冯震蔡树军
- 关键词：氮化镓喇曼散射光荧光谱应力SI衬底
- 具有场板的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法
- 本发明公开了一种具有场板的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法，涉及半导体器件制备领域。晶体管从下至上依次为衬底、成核层、GaN缓冲层、未掺杂的GaN沟道层、组分单调变化的Al<Sub>x</Sub>Ga<S...
- 房玉龙冯志红郭艳敏尹甲运宋旭波王波周幸叶张志荣王元刚李佳敦少博芦伟立高楠
