李佳
- 作品数：108 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家电网公司科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- 超宽带SiC MESFET器件的研制
- 2012年
- 采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8～2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。
- 崔玉兴默江辉李亮李佳付兴昌蔡树军杨克武
- 关键词：SICMESFET内匹配超宽带内匹配
- SiC同质外延材料中基失面位错转化机理研究
- 本文采用KOH融溶液腐蚀了n型和P型的SiC外延层，对BPD在外延材料中的延伸和转化机理进行了研究分析。通过对n型和P型的SiC外延材料进行腐蚀，发现衬底中的BPD在n型SiC外延材料中得到延续，在P型SiC外延材料中得...
- 李佳蔚翠刘庆彬卢伟立杨霏钮应喜冯志红
- 关键词：碳化硅
- 文献传递
- 一种紫外探测器
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种紫外探测器，所述紫外探测器包括：隔离台面，所述隔离台面包括侧壁为倾斜结构的上部分和侧壁为垂直结构的下部分。其中，所述上部分包括所述紫外探测器的全部的欧姆接触层，所述上部分的最大横截面...
- 周幸叶吕元杰王元刚谭鑫韩婷婷李佳梁士雄冯志红
- 文献传递
- 一种蓝宝石基板石墨烯表面式电容屏及制备方法
- 本发明公开了一种蓝宝石基板石墨烯表面式电容屏及制备方法，涉及电容式触摸屏的层状结构技术领域。包括从上至下依次包括盖板层、OCA光学胶层、石墨烯导电层和蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上外延生长单层或多层石墨烯导电层，所述石墨...
- 刘庆彬李佳何泽召蔚翠冯志红
- 文献传递
- 增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法
- 本发明公开了一种增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法，本发明首先在衬底上生长p型导电性的碳化硅缓冲层，接着在缓冲层上生长n型外延层，然后在n型外延层中形成隔离区，再在隔离区两侧的n型外延层上生成欧姆接触，最后在...
- 冯志宏李佳
- 文献传递
- 8.9W/mm高功率密度SiC MESFET器件研制
- 2013年
- 基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了Al记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片。采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,优化了凹槽尺寸,采用细栅制作技术完成了栅电极制作,最终得到了不同栅宽的SiC MESFET芯片。突破了大栅宽芯片流片、封装及大功率脉冲测试技术,研制成功了微波功率特性良好的MESFET器件。微波测试结果表明,在2 GHz脉冲条件下,0.25 mm栅宽器件,输出功率密度达到8.96 W/mm,功率附加效率达到30%。单胞20 mm大栅宽器件,3.4 GHz脉冲条件下,功率输出达到94 W,功率附加效率达到22.4%。
- 李亮默江辉邓小川李佳冯志红崔玉兴付兴昌蔡树军
- 关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管功率密度
- 一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法
- 本发明公开了一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法，包括：在衬底上生长GaN材料，并在生长所述GaN材料时通入铁元素；达到第一预设条件时停止通入所述铁元素，开始通入三甲基铟；达到第二预设条件时结束生长所述GaN材料，并停止通入所...
- 尹甲运房玉龙王波张志荣郭艳敏李佳芦伟立冯志红
- 一种金刚石衬底GaN外延方法
- 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种金刚石衬底GaN外延方法。本发明通过在金刚石衬底上溅射生长AlN缓冲层，并形成AlN/金刚石模板，将AlN/金刚石模板进行退火处理，在退火后的AlN缓冲层上生长GaN外延层，其中，对...
- 王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮
- 增强型高电子迁移率晶体管的制备方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种增强型高电子迁移率晶体管的制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层和势垒层；其中，所述缓冲层、所述沟道层和所述势垒层的材料均为III族氮化物，且所述势垒层的材料的极化强度...
- 房玉龙郭艳敏尹甲运李佳张志荣王波芦伟立高楠冯志红
- 文献传递
- GaN基异质结场效应晶体管及制造方法
- 本发明适用于半导体器件技术领域，尤其涉及一种GaN基异质结场效应晶体管及制造方法。所述晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层及分列于所述势垒层上的源极、栅极和漏极；其中，所述插入层的形成材料包...
- 郭艳敏房玉龙尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠王元刚冯志红
- 文献传递
