王波
- 作品数：60 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- 变温量子阱生长技术对蓝光LED发光效率的影响
- 2016年
- 采用金属有机物化学气相沉积,在2英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石图形衬底上通过引入变温量子阱生长技术,生长出了具有三角形量子阱(TQW)结构的发光二极管外延片。对比不同生长温度下的样品,得出了最优化的具有三角形量子阱结构外延片的生长条件。通过比较常规恒温量子阱结构和三角形量子阱结构外延片的光致发光光谱,发现TQW结构具有更窄的半峰宽和更高的发光强度。这主要是由于TQW改变了量子阱中的波函数分布,使电子空穴对的复合效率提高。外量子效率从传统的59.38%提高到60.75%,比传统的恒温量子阱提高了1.38%。
- 袁凤坡王波潘鹏王静辉唐景庭
- 关键词：氮化镓发光二极管(LED)
- 一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法
- 本发明公开了一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法，包括：在衬底上生长GaN材料，并在生长所述GaN材料时通入铁元素；达到第一预设条件时停止通入所述铁元素，开始通入三甲基铟；达到第二预设条件时结束生长所述GaN材料，并停止通入所...
- 尹甲运房玉龙王波张志荣郭艳敏李佳芦伟立冯志红
- 一种基于GaN材料的HEMT外延结构及其生长方法和应用
- 本发明属于新型半导体技术领域，具体公开一种基于GaN材料的HEMT外延结构及其生长方法。本发明提供的外延结构，包括由下到上依次层叠的基底、InN层、缓冲层、第一帽层、插入层、势垒层和第二帽层；其中，所述缓冲层为In<Su...
- 张志荣于斌高楠王波房玉龙
- 一种金刚石衬底GaN外延方法
- 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种金刚石衬底GaN外延方法。本发明通过在金刚石衬底上溅射生长AlN缓冲层，并形成AlN/金刚石模板，将AlN/金刚石模板进行退火处理，在退火后的AlN缓冲层上生长GaN外延层，其中，对...
- 王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮
- 用于氮化物外延材料的衬底预处理方法及外延材料
- 本发明适用于氮化物材料制备方法技术领域，提供了一种用于氮化物外延材料的衬底预处理方法及外延材料。其中，用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，在衬底上生长外延材料之前还包括以下步骤：将衬底设置在反应室内、并将衬底升温至700...
- 郭艳敏尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠房玉龙冯志红
- 文献传递
- 射频相变开关
- 本发明提供了一种射频相变开关，属于微波开关器件技术领域，自下至上依次包括：衬底、衬底隔离层、散热层、加热电阻、加热电阻隔离层、相变材料、钝化层、信号传输电路欧姆接触电极和加热控制电路欧姆接触电极，信号传输电路欧姆接触电极...
- 郭艳敏房玉龙尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠王元刚冯志红
- 文献传递
- 一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法
- 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种高电子迁移率晶体管外延结构及其制备方法。所述外延结构从下到上依次包括衬底、In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/GaN多量子阱层、GaN缓冲层和有源区。所述...
- 张志荣郭艳敏尹甲运王波高楠房玉龙冯志红
- 文献传递
- 一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片
- 本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在碳化...
- 芦伟立房玉龙郝文嘉李帅王健高楠张志荣王波陈宏泰
- 增强型GaN场效应晶体管及其制造方法
- 本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型GaN场效应晶体管及其制造方法，增强型GaN场效应晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、复合盖帽层以及源电极、漏电极和栅电极，源电极与栅电极之间以及漏...
- 郭艳敏房玉龙尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠王元刚冯志红
- 文献传递
- AlGaN缓冲层结构对Si基GaN材料性能的影响
- 2017年
- Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长面临的首要问题。采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)Si(111)衬底上制备了GaN外延材料并研究了不同AlGaN缓冲层结构对Si基GaN外延材料性能的影响,并采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、喇曼光谱以及光学显微镜对制备的GaN材料的性能进行了表征。采用3层AlGaN缓冲层结构制备了表面光亮、无裂纹的GaN外延材料,其(002)晶面半高宽为428 arcsec,表面粗糙度为0.194 nm。结果表明,采用3层AlGaN缓冲层结构可以有效地降低GaN材料的张应力和位错密度,进而遏制表面裂纹的出现,提高晶体质量。
- 邹学锋王波房玉龙尹甲运郭艳敏张志荣冯志红
- 关键词：铝镓氮SI衬底
